NAND閃存

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Windows 7將發(fā)布為NAND閃存發(fā)展添動(dòng)能

NAND Flash價(jià)格逐步回穩(wěn)，配合結(jié)合卡類加密等新產(chǎn)品應(yīng)用日新月異，也讓未來發(fā)展性更受市場(chǎng)矚目。過去微軟每推出一代新操作系統(tǒng)，市場(chǎng)就關(guān)注于對(duì)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM需求的提升。但即將發(fā)布的Windows 7卻打破這項(xiàng)傳統(tǒng)，除可

消費(fèi)電子
2009-04-10

Windows NAND閃存 NAND SSD
塊抽象化NAND閃存（美光）

美光科技股份有限公司公布其高密度系列的塊抽象化(BA) NAND閃存，可用于個(gè)人媒體播放機(jī)和其他應(yīng)用中。BA NAND是個(gè)單封裝解決方案，使用美光業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的34納米工藝技術(shù) - 將MLC NAND與一個(gè)內(nèi)存控制器相結(jié)合，無需對(duì)控制

智能硬件
2009-03-12

美光 GB BSP NAND閃存
DRAM市場(chǎng)在2009年下半年將顯著增長(zhǎng)

據(jù)國(guó)際電子商情報(bào)道，繼2009年第一季度銷售額觸及低點(diǎn)之后，預(yù)計(jì)今年余下時(shí)間內(nèi)的DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)情況將會(huì)非常出眾。隨著產(chǎn)能縮減，平均銷售價(jià)格上漲和系統(tǒng)需求開始回升，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)將在2009年下半年大漲。從環(huán)比情

智能硬件
2009-03-06

DRAM 閃存市場(chǎng) INSIGHT NAND閃存
ONFI發(fā)布新的NAND規(guī)范創(chuàng)造新的速度紀(jì)錄

開放式NAND閃存接口（ONFI）工作組專門致力于簡(jiǎn)化NAND閃存與消費(fèi)電子設(shè)備、計(jì)算平臺(tái)及工業(yè)系統(tǒng)的集成。該組織今天發(fā)布了ONFI 2.1版技術(shù)規(guī)范。這個(gè)芯片級(jí)標(biāo)準(zhǔn)接口是最新的規(guī)范，延續(xù)了ONFI工作組此前發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)：ONFI

智能硬件
2009-02-11

接口 BSP NAND閃存 NAND
SSD 2.0：相變內(nèi)存將挑戰(zhàn)NAND閃存？

從70年代開始，相變內(nèi)存(PhaseChangeMemory，PCM)就開始成為一個(gè)熱議話題，由于其高讀取/寫入速度、低易失性和高存儲(chǔ)密度而成為可能取代磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的選擇?，F(xiàn)在，相變內(nèi)存被認(rèn)為是繼NAND閃存后的下一代技術(shù)，因?yàn)樗?/p>
消費(fèi)電子
2009-02-05

內(nèi)存 SMITH NAND閃存 SSD
SSD 2.0：相變內(nèi)存將挑戰(zhàn)NAND閃存？

從70年代開始，相變內(nèi)存(PhaseChangeMemory，PCM)就開始成為一個(gè)熱議話題，由于其高讀取/寫入速度、低易失性和高存儲(chǔ)密度而成為可能取代磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的選擇?，F(xiàn)在，相變內(nèi)存被認(rèn)為是繼NAND閃存后的下一代技術(shù)，因?yàn)樗?/p>
智能硬件
2009-02-02

內(nèi)存 SMITH NAND閃存 SSD
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)

12月25日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐，終止先前下跌趨勢(shì)，至少都以平盤以上開出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng)，將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫(kù)存跌價(jià)損失壓力。

消費(fèi)電子
2008-12-29

東芝 Flash 海力士 NAND閃存
英特爾合資公司Numonyx推消費(fèi)級(jí)NAND閃存

英特爾與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics NV)的合資子公司本周四宣布推出用于從手機(jī)、USB設(shè)備到數(shù)碼相機(jī)和MP3播放器等消費(fèi)電子產(chǎn)品的NAND閃存產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用了Numonyx最新的41納米制程工藝，其中包括用于固

模擬
2008-12-22

英特爾 GB MICROSD NAND閃存
東芝NAND閃存將減產(chǎn)30％，其他半導(dǎo)體生產(chǎn)也將調(diào)整

東芝宣布，2009年1月開始，將在該公司的NAND閃存生產(chǎn)基地四日市工廠（三重縣四日市市）進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整。將把該工廠的產(chǎn)量削減30％左右。由于全球經(jīng)濟(jì)衰退，以面向內(nèi)存卡及便攜式媒體播放器為主的閃存市場(chǎng)需求低迷，供給

模擬
2008-12-18

半導(dǎo)體東芝晶圓 NAND閃存
全新系列NAND閃存產(chǎn)品（恒憶）

以提供完整的NOR、NAND、RAM和PCM（相變移位存儲(chǔ)器）解決方案為己任，恒憶公司（Numonyx）針對(duì)無線通信、嵌入式設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級(jí)單元 (MLC) NAND閃存

智能硬件
2008-12-18

GB BSP MICROSD NAND閃存
串行NAND閃存技術(shù)（美光）

美光科技有限公司（Micron Technology, Inc）推出一項(xiàng)串行NAND閃存技術(shù)，使嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品能夠靈活方便地升級(jí)存儲(chǔ)容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb，這樣一來，客戶就能夠輕松地在串行NOR閃存現(xiàn)有存儲(chǔ)能力

消費(fèi)電子
2008-12-10

美光閃存技術(shù) BSP NAND閃存
英特爾美光量產(chǎn)34nm NAND閃存

英特爾和美光日前開始量產(chǎn)雙方聯(lián)合開發(fā)的34nm 32G MLC NAND Flash。雙方的合資公司IM Flash表示，明年將開始試產(chǎn)34nm低密度MLC（multi-level cell）和SLC（Single-level cell）產(chǎn)品。該公司稱34nm NAND flash量產(chǎn)

模擬
2008-11-26

英特爾美光 Flash NAND閃存
東芝和SanDisk將重新分配NAND閃存合資企業(yè)的產(chǎn)能

東芝公司（東京證券交易所：6502）昨天宣布，東芝和SanDisk（納斯達(dá)克股票代碼：SNDK）已按照SanDisk的提議，就雙方位于東芝日本四日市運(yùn)營(yíng)中心的兩家生產(chǎn)300毫米 (mm) 晶圓NAND閃存的合資企業(yè)的晶圓產(chǎn)量、設(shè)備所有權(quán)

通信技術(shù)
2008-10-22

東芝 Flash SANDISK NAND閃存

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NAND閃存

Windows 7將發(fā)布為NAND閃存發(fā)展添動(dòng)能

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受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)

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串行NAND閃存技術(shù)（美光）

英特爾美光量產(chǎn)34nm NAND閃存

東芝和SanDisk將重新分配NAND閃存合資企業(yè)的產(chǎn)能

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