有助于進一步提高電動汽車領(lǐng)域電力電子器件的效率
受惠于電動車市場需求提升,為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求,SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品,可分為:SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、H
2020年5月28日,新澤西州普林斯頓:領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC,現(xiàn)已任命劉魯偉為亞洲銷售副總裁。
一文看明白眾說紛紜的SiC(文末報名在線研討會) ? 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被稱為“寬禁帶半導(dǎo)體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶擴散到導(dǎo)帶所需的能量為:在硅中,該能量為1.1eV, SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致較高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達到1200至1700V。由于使用了生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)勢:
點擊上方藍字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體: 不斷推進與車企的各種合作項目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 (SiC) MOSFET 和車用SiC二極管,包括:650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET (現(xiàn)提供樣品,今...
安森美半導(dǎo)體的市場份額增長極快,2019年成為了排名第五的碳化硅供應(yīng)商,而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。
【ROHM在線研討會】 將于5月28日重磅開啟! ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體 具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能? ? 材料方面 高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化 6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進 ? 產(chǎn)業(yè)方面 國際企業(yè)紛紛加強
根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Gartner公司的調(diào)查,到2021年,全球各地的組織將通過人工智能創(chuàng)造將近3萬億美元的商業(yè)價值。 有些人表示,人工智能技術(shù)有朝一日可能完全取代工作場所中的人類。至少在可預(yù)見
動力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運行,需要通過電池管理系統(tǒng)(BMS)對動力電池進行實時監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護等,并通過 CAN 總線與車輛集成控制器進
在5G、電動車、電源裝置等應(yīng)用的推動下,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。 由于對設(shè)計、制造業(yè)者來說,資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗,因此早期多由歐美IDM業(yè)者
硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素,作為最基礎(chǔ)的器件原料,硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來隨著電動汽車、5G的新應(yīng)用的普及,對于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC(碳化硅)等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。
美國加利福尼亞州圣何塞,2020年3月17日 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日宣布,其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級
為最前沿的電力電力技術(shù)提供更廣泛更全面的代工服務(wù)
據(jù)消息稱,美國專業(yè)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC與擁有50萬工程師用戶的世強元件電商合作。
世強元件電商再添第三代半導(dǎo)體功率器件品牌,授權(quán)代理全球SiC MOSFET頂尖制造商美浦森(Maplesemi)。
CISSOID與華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將共同開展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開發(fā)
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多,并且隨著對SiC器件需求的增加,制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來源。
科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新,傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟,正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商