-
貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。
-
電源設計說明：線性方案中的 SiC MOSFET
SiC MOSFET 在開關狀態(tài)下工作。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，這可能發(fā)生在驅動器發(fā)生故障的情況下，或者出于某些目的，當設計者編程時會發(fā)生這種情況。
-
智能能源時代的 SiC
隨著硅達到功率器件的理論性能限制，電力電子行業(yè)一直在向寬帶隙材料(WBG) 過渡?；谔蓟?(SiC) 和氮化鎵技術的 WBG 功率半導體器件提供的設計優(yōu)勢可提高應用性能，包括：低漏電流、顯著降低的功率損耗、更高的功率密度、更高的工作頻率以及耐受更高工作溫度的能力. 使用比純硅等效器件更小的器件尺寸，所有這些都是可能的。穩(wěn)健性和更高的可靠性是其他重要屬性，從而提高了設備的總預期壽命和運行穩(wěn)定性。
-
ATFX2022年第二季《交易者雜志》正式上線
（全球TMT2022年4月30日訊）近期，匯集2022年第二季度展望的ATFX《交易者雜志》正式上線，分析師團隊從專業(yè)的視角為投資者提供內容詳盡的深度行情解讀。此次《交易者雜志》的全球分析團隊更大強大。ATFX不但再次添加了兩位中東和北非市場分析師Mohamed Nabawy和...
-
安森美將在PCIM Europe 2022展示高能效方案
USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡化高能效電源方案的設計
-
羅姆集團旗下的SiCrystal成立25周年
全球知名半導體制造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)迎來了成立25周年紀念日。
-
寬帶隙 (WBG) 材料在電源應用的前景
寬帶隙 (WBG) 材料逐漸在電源管理和其他應用的成本效益分析中幸存下來，電動汽車可能會推動采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化鎵器件。使用 WBG 半導體可產(chǎn)生超過 95% 的潛在效率，大大擴展范圍。 功率轉換器是利用可再生能源進行運輸和工業(yè)應用的關鍵組件。為了促進功率轉換器設計所需的進步，可以選擇基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型 WBG 半導體技術。
-
SiC 和 GaN：兩種半導體的故事
在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術的進步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達到 10 億美元。
-
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。
-
如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴大？
ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導體領域進行了襯底技術收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領域獲得成功的原因，如何保持領先的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。
-
一文解讀！搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點！
2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導體峰會”在保定市淶源成功召開。中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長、中國有色金屬工業(yè)協(xié)會特邀副會長屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導體要做好頂層設計，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長聯(lián)半導體為您介紹如何搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點。
-
車規(guī)級SiC供應商桑德斯，填補國內1200V 25mΩ SiC MOS空白
2021年12月9日，桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創(chuàng)平臺達成協(xié)議，授權世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。
-
通過SiC技術電機逆變器實現(xiàn)電動汽車行駛里程拓展的承諾
目前有兩大因素影響著車輛運輸和半導體技術的未來。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅動我們的汽車，同時重新設計支撐電動汽車(EV)子系統(tǒng)的半導體材料，以最大程度地提高功效比，進而增加電動汽車的行駛里程。
-
環(huán)旭電子預計2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
-
即刻報名 | 直播啦！先進汽車電子方案大薈萃
點擊藍字?關注我們隨著汽車功能電子化、自動駕駛、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的快速進展，汽車的發(fā)展可謂一日千里，正在改變個人交通的界限。如何使汽車更輕、續(xù)航更遠、實現(xiàn)更高級別的自動駕駛并提升先進安全?安森美(onsemi)的智能電源和智能感知技術和方案提供“相輔相成”的力量和最先...
-
第三代半導體潮起，我國GaN射頻市場迎何機遇？
第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
-
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
-
意法半導體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅動器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
點擊“意法半導體PDSA"，關注我們！中國，2021年10月19日意法半導體的?STGAP2SiCSN?是為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅動器，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的PWM控制。SiC功率技術被廣泛用于提高功率轉換效率，SiC驅動器ST...
-
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴充寬禁帶半導體產(chǎn)品
工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件
-
羅姆獲選為UAES的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應商
全球知名半導體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）獲選為中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應商。
askeyes
chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛說話
yingdian6
shuangbang
dcf866553
cdwujinshan
lele4090039
lilijiang2
chen217
liuliuqiu1212
啦啦啦德瑪西亞1
peak0210
HPJ_0123
電腦小白09
c475301174
mingpu21
徐俊成123
