電動(dòng)機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在此類應(yīng)用中很常見,并且總是使用功率級中用于驅(qū)動(dòng)它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 進(jìn)行電子換向以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后,目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商,國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何?派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。
2021年10月19日,美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布與致瞻科技(上海)有限公司的成功合作。致瞻科技(上海)有限公司是寬禁帶器件應(yīng)用和先進(jìn)電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的創(chuàng)新者,該公司燃料電池汽車全碳化硅控制器采用了Wolfspeed? 1200V SiC MOSFET。
中國,2021 年 10 月 19 日——意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝,具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。
P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā),具有較高的耐壓,極低的柵極電荷,較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),光伏,直流充電樁,儲能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì),可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),降低散熱成本,大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。
該協(xié)議標(biāo)志著通用汽車開始做出轉(zhuǎn)變,將在其電動(dòng)汽車電力電子中采用 SiC 提供安全、長期的供貨 SiC 賦能電動(dòng)汽車更長續(xù)航里程
為了解決消費(fèi)者對電動(dòng)汽車 (EV) 普及的里程、充電時(shí)間和價(jià)格等問題,世界各地的汽車制造商都在增加電池容量而不增加尺寸、重量或組件成本。我正在尋找一種加快速度的方法充電。
日前,UnitedSiC推出業(yè)界最小導(dǎo)通電阻RDS(on)6mΩ的750V第四代碳化硅場效應(yīng)管,并一口氣推出9款全新的UJ4C/SC器件。
作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商,英飛凌認(rèn)識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標(biāo)準(zhǔn),以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個(gè)特定領(lǐng)域。
新增的9款器件可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2021年9月6日,模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系,此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會。
交易加速安森美推動(dòng)創(chuàng)新,以創(chuàng)造智能電源和感知技術(shù)及構(gòu)建可持續(xù)未來的使命,拓展安森美的碳化硅實(shí)力并確??蛻艄?yīng),以滿足可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)的快速增長,包括電動(dòng)車(EV)、電動(dòng)車充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施,加強(qiáng)安森美對顛覆性、高增長技術(shù)進(jìn)行重大投資的承諾。
2021年8月23日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。
DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā),一經(jīng)推出就受到廣大科研和企業(yè)用戶的強(qiáng)烈關(guān)注。
2021年8月19日,美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 –– 全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc.與意法半導(dǎo)體STMicroelectronics宣布擴(kuò)大現(xiàn)有的多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議。
目前,整個(gè)市場的晶圓代工產(chǎn)能嚴(yán)重不足。在這種情況下,海威華芯在世強(qiáng)硬創(chuàng)電商平臺上線六英寸(兼容4英寸)化合物半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)。
近日,英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合,具有650 V阻斷電壓。
業(yè)界首款圖騰柱PFC控制器以高性價(jià)比提供高性能