新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本
MJD系列現(xiàn)已上市，涵蓋2 – 8 A和45 – 100 V，且增強(qiáng)了Nexperia的功率產(chǎn)品組合
這家威爾士半導(dǎo)體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導(dǎo)體等車規(guī)級產(chǎn)品的生產(chǎn)
新封裝將大量邏輯功能整合到小尺寸系統(tǒng)
新生產(chǎn)線提高了產(chǎn)能，力求滿足及時(shí)供應(yīng)
新增的技術(shù)、實(shí)驗(yàn)室和人員顯示Nexperia對全球半導(dǎo)體市場復(fù)蘇充滿信心
奈梅亨，2021年5月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。
新器件已通過AEC-Q101認(rèn)證，支持高達(dá)100 V的電壓和20 A的電流，開關(guān)損耗低且安全工作區(qū)域增大
用于汽車多媒體和視頻鏈路應(yīng)用的高性能4通道ESD保護(hù)，提供出色的信號完整性
滿足新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求
節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
通過新投資支持全球戰(zhàn)略，滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù)
面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性
雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性，簡化汽車電磁閥控制電路。
liqinglong1023
本站介紹 歡迎投稿 隱私聲明 廣告業(yè)務(wù) 網(wǎng)站地圖 聯(lián)系我們 誠聘英才
21IC電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有
