• 日本誠邀臺積電赴日建廠，重振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

    近日，根據(jù)日媒報道，日本誠意邀請臺積電以及其他芯片制造商赴日建廠，與日本本土企業(yè)攜手共創(chuàng)一座先進(jìn)的芯片制造工廠。同時，日本表示在未來一段時間內(nèi)向赴日建廠的海外芯片廠商，提供數(shù)千億日元(折合數(shù)十億美元)資金用于建設(shè)，并且會提供充足的人力以及物力支持。這也標(biāo)志著日本開始重啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，進(jìn)軍芯片制造領(lǐng)域。 迄今為止，日本政府一直拘泥于打造純國產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不斷推動日本國內(nèi)企業(yè)的合作與重組，但收效甚微。為了應(yīng)對瞬息萬變的數(shù)字時代，日本政府將調(diào)整方針，吸引外資半導(dǎo)體企業(yè)來日，積極借鑒國外企業(yè)的經(jīng)驗(yàn)。 據(jù)日本《讀賣新聞》7月19日報道，日本政府計劃吸引那些有能力生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體制成品的海外企業(yè)來日本建廠。目前正在就為建廠提供資金支持進(jìn)行協(xié)調(diào)，主要的合作對象是擁有最先進(jìn)技術(shù)的臺積電。 報道稱，雖然日本還有不少專門生產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備和材料的企業(yè)擁有較高競爭力，但在制成品方面仍無法與海外相比。政府的目標(biāo)是通過吸引外資與日本企業(yè)組建聯(lián)合體，將制造先進(jìn)半導(dǎo)體的技術(shù)留在國內(nèi)。 報道還稱，受中美貿(mào)易摩擦影響，保護(hù)主義開始在全球大行其道。而新冠疫情的蔓延更凸顯出在日本國內(nèi)制造關(guān)乎國家安全的產(chǎn)品的必要性。 報道認(rèn)為，半導(dǎo)體可以說是智能手機(jī)和電腦的心臟。隨著數(shù)字化進(jìn)程的加快，半導(dǎo)體的重要性也在上升，研發(fā)競爭日益激烈。在5G網(wǎng)絡(luò)不可或缺的前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，日本更是明顯處于劣勢。在全球半導(dǎo)體制造能力方面，臺積電等中國臺灣地區(qū)企業(yè)占到世界四成，英特爾等美國企業(yè)占到三成，韓國企業(yè)占到兩成。而日本國內(nèi)甚至連一家工廠都沒有。 日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省計劃吸引在半導(dǎo)體行業(yè)與韓國三星、美國英特爾三足鼎立的臺積電來日，目的就是在日本國內(nèi)建立工廠，防止出現(xiàn)半導(dǎo)體供貨中斷的情況。 2019年11月，臺積電與東京大學(xué)組建了聯(lián)合研究所，在半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)合作。經(jīng)產(chǎn)省也在考慮與三星和歐美企業(yè)建立合作關(guān)系。 報道稱，美中兩國已經(jīng)先行一步，出臺了一系列強(qiáng)化國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的方針，推出了約合數(shù)萬億日元規(guī)模的援助措施。今年上半年，美國政府決定在美國國內(nèi)建立半導(dǎo)體工廠，又快了日本一步。 報道指出，雖然日本還保有一些在半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備和材料方面領(lǐng)先的企業(yè)，但也出現(xiàn)了一些企業(yè)加速向海外轉(zhuǎn)移生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的動向。為防止技術(shù)外流，日本需要盡快在國內(nèi)組建強(qiáng)有力的聯(lián)合體。 另據(jù)臺灣“中央社”臺北7月20日報道，據(jù)日本媒體19日報道，日本計劃邀臺積電與本土廠商共建芯片廠。臺積電20日表示，不排除任何可能性，但目前沒有相關(guān)計劃，一切以客戶需求為考量。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 臺積電 日本

  • 除相機(jī)外，小米10Pro與榮耀30Pro+旗鼓相當(dāng)

    對于國內(nèi)目前的手機(jī)廠商而言，華為單獨(dú)一檔，OVMH其實(shí)實(shí)力都差不多，算是一個檔次。榮耀緊隨其后，榮耀30、30Pro和30Pro+的定位，就是證明。而碰巧的是，小米10Pro和榮耀30Pro+的價格正好一致。 小米與華為孰強(qiáng)孰弱，會有什么樣的結(jié)論呢? 既然價位相同，配置也是有許多相同的地方。支持SA/NSA雙模5G、紅外模塊、屏下指紋識別、NFC近場通訊、雙揚(yáng)聲器…… 這些關(guān)乎體驗(yàn)的功能，作為各自品牌的數(shù)字旗艦，都沒有省料。 不過，差異化，才會帶來選擇的困難性。對于我們而言，兩者顯而易見的不同，就要提及DXO的排名了，榮耀30Pro+第二、小米10Pro第三。 小米10Pro，后置四攝：一億像素主攝+1200W長焦+800W超長焦+200W廣角，主攝和長焦都支持光學(xué)防抖和激光對焦，而且廣角鏡頭還帶微距功能;前置，2000W單攝。 榮耀30Pro+，后置三攝：5000W主攝+長焦+超廣角鏡頭，IMX700傳感器的主攝，可以說是目前來說最強(qiáng)鏡頭了;50倍潛望式長焦鏡頭，支持光學(xué)防抖和視頻防抖;前置，則是3200W主攝+800W超廣角。 顯然，榮耀30Pro+對得起DXO排名第二的位置。 那么，除了相機(jī)，小米10Pro對比榮耀30Pro+，是否有優(yōu)勢呢? 1、處理器 小米10Pro，高通驍龍865，外掛X55基帶。在性能方面，比不上蘋果的A系列芯片，卻有實(shí)力傲視其余處理器; 榮耀30Pro+，麒麟990 5G集成SoC，作為首款集成5G芯片，CPU和GPU表現(xiàn)還是很均衡的，特別是功耗，控制的不錯。 2、內(nèi)存、閃存 小米10Pro，LPDDR5+UFS3.0組合，加上讀寫的加速功能，算是今年旗艦機(jī)型的標(biāo)配; 榮耀30Pro+，LPDDR4X+UFS3.0，在內(nèi)存規(guī)格，低于對手。 3、屏幕 從表象數(shù)據(jù)來看，OLED材質(zhì)屏幕、90Hz刷新率和DCI-P3色域，是一致的。 小米10Pro，強(qiáng)在800nit最高亮度，經(jīng)過萊茵護(hù)眼認(rèn)證，而且支持HDR10+視頻，另外DC調(diào)光也非常不錯，表面覆蓋的康寧玻璃，對屏幕的保護(hù)不言而喻。 榮耀30Pro+，則強(qiáng)在曲面的曲率更大，70°近似于流瀑屏，支持電影色彩的渲染和萬階調(diào)光。 4、馬達(dá) 線性馬達(dá)的配備，兩者也近乎一致。 但，小米10Pro，為更高端的橫向線性馬達(dá);榮耀30Pro+，只是Z軸線性馬達(dá)。 5、電池充電 隨著5G時代的到來，大電池、高充電功率，成為了手機(jī)的剛需數(shù)據(jù)。 小米10Pro，4500mAh電池，一掃9代機(jī)型被吐槽的陰霾，滿足了大部分粉絲的要求;而50W快充，也算是業(yè)界第二高(第一是OPPO的65W)的水平了。 榮耀30Pro+，4000mAh電池+40W有線快充，稍微有點(diǎn)遜色。 另外，在無線快充和反充方面，小米10Pro也是有一定優(yōu)勢的。 6、音質(zhì) 藍(lán)牙耳機(jī)的爆發(fā)，需要手機(jī)更好的音質(zhì)保證。 小米10Pro，經(jīng)過了HIFI認(rèn)證，聽起來會更加悅耳;榮耀30Pro+，比較遺憾，并沒有配備。 所以，經(jīng)過對比，小米10Pro對比榮耀30Pro+而言，處理器、內(nèi)存、閃存、屏幕、馬達(dá)、電池快充和音質(zhì)，并不弱于對手。

    半導(dǎo)體 小米 榮耀

  • NVIDIA RTX 20系列GPU芯片供應(yīng)緊張

    英偉達(dá)(NVIDIA Corporation)是一家以設(shè)計顯示芯片和主板芯片組為主的半導(dǎo)體公司，日前有消息稱，NVIDIA將逐步停產(chǎn)RTX 20系列GPU芯片，NVIDIA顯卡正面臨全方位漲價。 據(jù)顯卡品牌商透露，NVIDIA確實(shí)已經(jīng)明確，RTX 20系列將逐步停產(chǎn)，同時可以完全確認(rèn)，RTX 2080 Super、RTX 2080 Ti已經(jīng)完全停產(chǎn)，庫存也基本清理完畢，后續(xù)也沒有新的產(chǎn)能規(guī)劃，庫存消化完畢之后就將徹底退出歷史舞臺。 換言之，現(xiàn)在市面上的RTX 2080系列顯卡，是賣一塊就少一塊了。 根據(jù)此前說法，RTX 2070、RTX 2070 Super也將會在近期完全停止生產(chǎn)。 受到停產(chǎn)影響，NVIDIA 7月份的GPU芯片供應(yīng)確實(shí)有些問題，供應(yīng)量只有6月份正常規(guī)模的大約2/3，這才導(dǎo)致個顯卡廠商近期缺貨嚴(yán)重，不得不控制各自的出貨節(jié)奏。 目前，NVIDIA芯片產(chǎn)能的規(guī)劃正在重新調(diào)整，預(yù)計8月初可能會恢復(fù)正常，供貨量也會逐步增加，但仍然不能排除部分型號持續(xù)缺貨。 順便一說，這也意味著，傳說中的滿血版“RTX 2080 Ti Super”將永遠(yuǎn)不會出現(xiàn)了，RTX 20系列終其一生都沒有用上完整的TU102大核心，隱藏的256個流處理器、32-bit位寬只有在Titan RTX上才能找到。

    半導(dǎo)體 英偉達(dá) GPU 顯卡

  • RFID在盒包裝上的應(yīng)用

    射頻識別即RFID(Radio Frequency Identification)技術(shù)，又稱無線射頻識別，是一種通信技術(shù)，可通過無線電訊號識別特定目標(biāo)并讀寫相關(guān)數(shù)據(jù)。RFID技術(shù)是21世紀(jì)發(fā)展最快的一項(xiàng)高科技技術(shù)，隨著與傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)的結(jié)合，RFID技術(shù)展現(xiàn)出巨大的市場應(yīng)用潛力。 它通過射頻信號自動識別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識別工作無須可視及人工干預(yù)，并可工作于各種工作環(huán)境。無線射頻識別系統(tǒng)由電子標(biāo)簽(Tag)、讀寫器(Reader)和天線(Antenna)3個部分組成。具體的工作原理如圖1所示： 上位機(jī)發(fā)送指令使讀寫器工作，讀寫通過天線發(fā)送射頻信號，電子標(biāo)簽接收到射頻信號后，轉(zhuǎn)化為電流，供芯片工作，讀出內(nèi)部所儲存的數(shù)據(jù)，經(jīng)調(diào)制后發(fā)送出去;天線接收標(biāo)簽反饋的信息并送至讀寫器，經(jīng)解調(diào)后還原出標(biāo)簽數(shù)據(jù)，發(fā)送給上位機(jī)進(jìn)行處理。 需要指出，電子標(biāo)簽不含有電池，它接收到閱讀器的電磁信號后經(jīng)整流為直流電供芯片工作，可做到免維護(hù)。每個電子標(biāo)簽都有全球唯一的ID號，且有用戶數(shù)據(jù)區(qū)可供用戶寫入信息，它的重量輕、體積小、壽命長、價格便宜，通過合理的加工工藝可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模批量生產(chǎn)。RFID電子標(biāo)簽作為防偽標(biāo)識，附加到生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，結(jié)合在原有的標(biāo)識內(nèi)附著在瓶上，然后裝入包裝盒。 電子標(biāo)簽為紙質(zhì)EPC標(biāo)簽，表面印刷有標(biāo)識信息，背面帶有永久性不干膠，直接貼到瓶上。手工粘貼和機(jī)械粘貼: 產(chǎn)品生產(chǎn)時，通過手工或自動化的方法在產(chǎn)品的相應(yīng)位置放置RFID防偽射頻標(biāo)簽，或者將標(biāo)簽放在產(chǎn)品包裝盒內(nèi)。 這種防偽方法利用RFID技術(shù)，硬件上使用大規(guī)模生產(chǎn)的集成電路芯片和標(biāo)簽天線等裝置，生產(chǎn)廠商很容易制造，系統(tǒng)可靠性良好，具有三重防偽的整體設(shè)計，能夠滿足類企業(yè)在包裝盒上的拓展性防偽需求。

    半導(dǎo)體 集成電路 RFID 射頻芯片

  • 優(yōu)盤的演進(jìn)史，金士頓迭代的縮影

    優(yōu)盤，自1998年優(yōu)盤被發(fā)明以來，隨著個人生產(chǎn)數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)變化以及場景的多元化，優(yōu)盤在存儲介質(zhì)和接口上迭代速度越來越快，隨之也衍生出介于不同介質(zhì)和場景的優(yōu)盤產(chǎn)品?！八悸斖?TB優(yōu)盤”、“生肖優(yōu)盤”、“OTG優(yōu)盤”，金士頓始終致力于在研發(fā)多種規(guī)格和形態(tài)的優(yōu)盤產(chǎn)品，金士頓是擁有豐富的優(yōu)盤品類以及應(yīng)對不同場景推出的優(yōu)盤，有最貴的、最快的、最靈活的、最安全的，俯瞰優(yōu)盤發(fā)展的歷史也就是金士頓優(yōu)盤迭代的縮影。 隨著人們數(shù)據(jù)量的越來越大，優(yōu)盤也從過去的512M發(fā)展到至今的主流128GB甚至是2TB，當(dāng)容量在提升的同時接口也從傳統(tǒng)的USB2.0快速推進(jìn)到基于Type-C接口的USB3.2Gen1，速度也從過去的20MB/s飆升至300MB/s，接下來我們就來羅列一下金士頓最具有代表性的幾款優(yōu)盤產(chǎn)品。 實(shí)測讀?。?21MB/s 1、金士頓DTEG2商務(wù)金屬閃存盤|128GB|419元 隨著移動辦公便利性的增加，需求不斷提升，用戶對于數(shù)字化資料的存儲愈發(fā)重視。一款良好的移動辦公設(shè)備，可以完美提升工作效率，節(jié)約時間，體驗(yàn)更加流暢的辦公感受。這款金士頓DTEG2閃存盤的設(shè)計，全身金屬風(fēng)格，黑色一體，拿在手里相當(dāng)有“分量”。通過資料查看得知，采用的是鋅合金壓鑄，具有防震、抗擠壓和耐磨損，并且從高處跌落，也能有效的防止數(shù)據(jù)意外損壞。目前128GB在京東售價419元。 在優(yōu)盤尾部附帶鑰匙孔，方便工作攜帶也防止心大無腦者經(jīng)常丟失的煩惱。閃存盤上的LED等可以實(shí)時顯示優(yōu)盤的運(yùn)行狀態(tài)。 金士頓EliteG2優(yōu)盤提供32G、64G和128G三種容量可供用戶選擇，充分滿足個性化的移動存儲需求。 從測試數(shù)據(jù)來看，這款軟件測出來的數(shù)據(jù)比官方宣傳的還要略高，看來官方的數(shù)據(jù)有些保守。從上述兩款測試軟件我們可以看出，持續(xù)讀寫的數(shù)據(jù)和官方宣傳的出入不是很大，有的甚至超過了官方宣傳數(shù)據(jù)，雖然數(shù)據(jù)沒有好到逆天，好在我們?nèi)粘Ｊ褂檬菦]什么問題的。 只要身處存儲世界，您都可以信賴金士頓品牌。我們的閃存盤皆精心挑選優(yōu)質(zhì)原料，并在各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)經(jīng)過了嚴(yán)苛測試。同時，還享有五年質(zhì)量保證服務(wù)以及免費(fèi)技術(shù)咨詢服務(wù)，讓您使用安心無虞。 2、Type-C閃存盤 金士頓DT70閃存盤|128GB|129元 如今移動設(shè)備發(fā)展迅速，不論是性能和外形早已今非昔比，隨著隨著快充技術(shù)的普及和設(shè)備輕薄化發(fā)展，Type-C接口注定要接替?zhèn)鹘y(tǒng)Type-A接口成為新一代通用性接口。這一趨勢也為單調(diào)的U盤市場注入了一波新鮮血液，一批專為Type-C設(shè)備而設(shè)計的U盤應(yīng)運(yùn)而生，鼎鼎有名的存儲產(chǎn)品大品牌金士頓也在近期上新了一款Type-C接口的U盤——DT70。 這款U盤外觀簡潔，黑色磨砂塑料外殼，小巧輕便，尾部預(yù)留鑰匙孔可以連接鑰匙環(huán)或者吊繩，便于隨身攜帶，降低丟失的概率。配備了可拆卸本透明蓋帽，有效保護(hù)數(shù)據(jù)傳輸接口。 這款U盤最大的亮點(diǎn)在于它最采用了USB3.2Gen1規(guī)范的USBType-C接口，擁有更快的傳輸速度，快速讀取高清視頻、大量圖像以及其他龐大的數(shù)據(jù)，提高文件傳輸?shù)男省? 這個設(shè)計也是專為現(xiàn)在的移動設(shè)備服務(wù)，只要是支持Type-C接口的臺式機(jī)、筆記本電腦以及支持OTG功能的平板電腦或是智能手機(jī)等設(shè)備都能用這款U盤高效地傳輸文件，Type-C接口正反都能插入，簡單省時，金士頓精致的做工能承受長期反復(fù)插拔，放心使用。 日常生活中，可用金士頓DT70U盤在多個移動設(shè)備之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，大大提高工作效率。當(dāng)你出差或是旅途中時，在信號不好的高鐵、火車或是無信號的飛機(jī)上，可以用DT70連接上自己的移動設(shè)備播放事先存在里面的高清影片，打發(fā)無聊時光，還能用它隨時隨地存儲移動設(shè)備里的文件，做好文件備份。 金士頓DT70輕巧便攜，適合用作當(dāng)今移動設(shè)備的便攜性存儲工具，依照目前Type-C接口的應(yīng)用情況，未來這款U盤的使用場景肯定會越來越多。 3、一頭Type-C一頭USB 金士頓DTDUO3COTG閃存盤|128GB|209.9元 U盤作為儲存和傳輸文件必備的設(shè)備之一，相信大家都不陌生，其小巧便攜、即插即用的特點(diǎn)而被大眾廣泛使用。如今我們的辦公設(shè)備早已不再局限于臺式電腦或者筆記本電腦，平板甚至手機(jī)都成為了辦公的工具，為了更好的在不同設(shè)備之間進(jìn)行文件傳輸，多接口的U盤應(yīng)運(yùn)而生。這款金士頓DTDUO3C二合一U盤便是當(dāng)下環(huán)境一個不錯的選擇。 這款U盤提供USBType-A和Type-C兩個接口，采用了USB3.1高速連接，讀取速度能達(dá)到100MB/s，寫入速度15MB/s，高效率傳輸大量數(shù)據(jù)，辦公體驗(yàn)更輕松?，F(xiàn)在的很多移動設(shè)備都采用USBType-C接口，金士頓DTDUO3CU盤支持USBType-C接口，能與支持OTG的手機(jī)或是平板進(jìn)行連接，在文件管理器里就能找到U盤，操作與本地存儲沒有任何區(qū)別，文件的移動、拷貝等數(shù)據(jù)互換，輕松搞定，簡單又省事。 也能配合電腦上的USBType-C接口使用，比如新款的MacBook，對于USBType-A接口比較緊張的輕薄型筆記本來說，就避免了使用U盤時時不得不拔掉一些設(shè)備的尷尬。當(dāng)然他也能使用USBType-A接口與電腦連接，讀寫速度不受影響。 金士頓DTDUO3CU盤外形迷你便攜，大小和大拇指相似，隨身攜帶一點(diǎn)都不占空間，采用了金屬外殼更精致耐用。 金士頓DTDUO3CU盤外形小巧，支持USB3.1雙接口設(shè)計，不論是上班族還是學(xué)生黨，有U盤使用需求的都可以考慮它。 最大容量2TB 4、金士頓UltimateGT閃存盤|2TB|9999元 市面上常見的2TB存儲設(shè)備有多大，機(jī)械硬盤就不說了，大家心中都有數(shù)。新興貴族固態(tài)硬盤和優(yōu)盤相比也非常大。作為存儲行業(yè)領(lǐng)袖金士頓發(fā)布了DataTravelerUltimateGT系列U盤，也可以稱為隨身盤或者閃存盤，堅持將結(jié)構(gòu)穩(wěn)固的品質(zhì)與隨身便攜性作為產(chǎn)品研發(fā)的基礎(chǔ)，并且將這款U盤的容量做到了2TB之大。 盡管產(chǎn)品屬性依然是U盤，但是這樣可以說是超大容量的U盤帶給我們的更多可能是PC實(shí)用習(xí)慣乃至生活娛樂應(yīng)用的全面改變。 金士頓DataTravelerUltimateGTU盤采用了細(xì)膩的高強(qiáng)度材質(zhì)，其中鋅合金外殼保證了U盤結(jié)構(gòu)整體的堅固性，同時亦能提供良好的散熱表現(xiàn)。外觀設(shè)計上是拔插式的開合方式，這樣可以避免用戶意外的遺失U盤蓋。 72×26×21mm的三圍尺寸，60g的重量，放在衣兜里或者包里沒有什么壓力。 金屬外殼正反都有保護(hù)性設(shè)計，開啟后可以實(shí)現(xiàn)近乎全金屬的外觀包裹，同時出色的結(jié)構(gòu)設(shè)計也讓這只2TB容量的U盤擁有很好的抗震和穩(wěn)定性，堅固性優(yōu)秀。 金士頓DataTravelerUltimateGT2TB閃存盤尺寸達(dá)到75.18mmx27mmx21.02mm，稍大于傳統(tǒng)閃存盤產(chǎn)品，插在個別PC上可能會影響到其他的設(shè)備，因此金士頓在所送配件中貼心的加入了USB3.1延長線，從根本上避免了由于USB接口區(qū)域狹窄與其他設(shè)備造成的沖突。

    半導(dǎo)體 u盤 金士頓

  • 英特爾12代酷睿16核心

    大家對于大小核設(shè)計的處理器并不陌生，基于ARM架構(gòu)的很多處理器都采用了類似設(shè)計，大核心負(fù)責(zé)高負(fù)載，小核心則能夠提升續(xù)航。根據(jù)目前各個渠道匯總消息，英特爾AIder Lake架構(gòu)預(yù)計會在2022年上半年發(fā)布。 在桌面市場上首次采用大小核心設(shè)計，包括Golden Cove大核心、Gracemont小核心，提供8+8、6+8、2+8、6+0不同組合方式，而制造工藝方面有說法稱CPU部分是10nm，GPU部分繼續(xù)14nm。 其實(shí)在手機(jī)SOC處理器上，大小核，大中小核的配置已經(jīng)是正常到不能再正常的基本操作，英特爾則是把這種設(shè)計理念引入到桌面和筆記本領(lǐng)域，1大4小總計5核心的Lakefield只是個嘗試。 預(yù)計將于后年問世的AIder Lake也就是12代酷睿將徹底將其發(fā)揚(yáng)光大。當(dāng)然，英特爾不會直接稱之為big.LITTLE，而是叫做混合技術(shù)Hybrid Technology，并且結(jié)合各種新的平面、立體重封裝技術(shù)。 此前我們已經(jīng)了解到AIder Lake-S系列會有兩種組合8+8+1也就是8大8小和GT1核顯，熱設(shè)計功耗120W/150W/88W。 二是6+0+1也就是6大0小和GT1核顯，而且熱設(shè)計功耗為80W，兩者都是全新的LGA1700封裝接口。 現(xiàn)在更有趣的第三方爆料來了，除了確認(rèn)8+8+1、6+0+1的AIder Lake-S組合，還有兩類：AIder Lake-P：2+8+2、6+8+2與AIder Lake-M：2+8+2 現(xiàn)在能看出兩類統(tǒng)一都是8個小核心+GT2核顯，只是大核心的規(guī)模不同，目前可以確定的就是CPU大核心架構(gòu)會是Goden Cove，小核心是Gracemont，核顯有望繼續(xù)第12代，并將首次支持DDR5內(nèi)存。

    半導(dǎo)體 英特爾 處理器 大小核

  • 福特聯(lián)手英特爾，開發(fā)新自動駕駛技術(shù)

    為了提高智能化，福特汽車與英特爾旗下技術(shù)子公司Mobileye站在了一起。 7月21日，英特爾宣布其無人駕駛車輛研發(fā)部門Mobileye與福特汽車達(dá)成協(xié)議。作為先進(jìn)的駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)視覺傳感技術(shù)供應(yīng)商，Mobileye將為福特汽車提供EyeQ系列基于攝像頭的檢測技術(shù)，包括正面碰撞警告和車輛，行人和騎自行車者檢測，自動遠(yuǎn)光燈等，這些功能還將用于福特即將推出的Co-Pilot360自動駕駛輔助系統(tǒng)。 福特與英特爾達(dá)成協(xié)議，讓未來汽車擁有更好的視覺效果，Mobileye視覺感應(yīng)技術(shù)將被用于駕駛輔助系統(tǒng)。 Mobileye EyeQ將用于福特Co-Pilot360等系統(tǒng)，包括硬件和軟件，并最終在2021年形成驅(qū)動福特主動駕駛輔助系統(tǒng)背后的部分技術(shù)。 對于英特爾來說，這是一個重大的勝利，英特爾一直將Mobileye定位為其在ADAS技術(shù)領(lǐng)域的主要技術(shù)。這家芯片制造商在2017年初收購了Mobileye，交易價值超過150億美元。然而雖然未來汽車的很多焦點(diǎn)都集中在全自動駕駛汽車上，但事實(shí)上，現(xiàn)在的市場還是集中在駕駛輔助上，而不是駕駛替代上。 所謂的Level 2汽車，以及即將到來的Level 3車型，仍然期望方向盤后有人類駕駛員監(jiān)控。不過，ADAS技術(shù)能夠更好地支持他們，比如自適應(yīng)巡航控制和車道定位等功能。同時，明年，福特將把主動駕駛輔助系統(tǒng)推向市場，這是一個不需要動手控制的系統(tǒng)，像野馬Mach-E這樣的車輛將能夠跟上高速公路交通的步伐，并保持在車道上，而駕駛員的手不需要放在方向盤上。不過，攝像頭將確保駕駛員仍在關(guān)注路面情況。 即使在這之前，EyeQ芯片和軟件也將被用于福特全系產(chǎn)品中，以提供更廣泛的功能。集成在擋風(fēng)玻璃上的攝像頭將用于識別和跟蹤車道標(biāo)記和交通標(biāo)志，以及識別其他車輛和行人。它將為車道保持、預(yù)碰撞輔助和自動緊急制動等功能提供幫助。 這已經(jīng)不是福特和Mobileye第一次合作了。該汽車制造商表示，這次的不同之處在于，它現(xiàn)在承諾在其下一代汽車的整個生命周期內(nèi)使用EyeQ。鑒于汽車的生命周期大都是4年以上，這對英特爾來說是一個很大的勝利。 目前，Mobileye正在構(gòu)建兩個獨(dú)立的ADAS系統(tǒng)。第一個完全基于攝像頭，第二個將集成雷達(dá)，激光雷達(dá)傳感器，調(diào)制解調(diào)器，GPS和其他組件。

    半導(dǎo)體 英特爾 自動駕駛 福特

  • 機(jī)皇，華為P40Pro

    華為，無論在通信領(lǐng)域，還是手機(jī)領(lǐng)域，都憑借其強(qiáng)大的自研能力，一直以來都是國產(chǎn)廠商的標(biāo)桿。華為P40Pro帶給我們旗艦機(jī)的配置，當(dāng)之無愧的機(jī)皇。 似溢未溢，滿溢屏。采用新的屏幕外觀設(shè)計，并非完全的曲面，而是四角微微上揚(yáng)，有種凸起的感覺，但一體性更好。輕輕點(diǎn)亮，畫面流淌開來，像浩瀚大海，演繹無邊純粹與沉浸。曲面玻璃與邊框無縫相接，握持舒適順滑，更支持 90Hz 刷新率，手指觸摸之間，彷佛在星辰大海遨游一般。 拍照，一個能打的都沒有。搭載華為迄今最大的傳感器，5000 萬超高像素，四合一像素聚合 2.44 微米大像素，超乎想象的進(jìn)光量，令人驚嘆的解析力與動態(tài)范圍，為你超清記錄生活點(diǎn)滴，從晨曦到夜幕，從烈陽到星輝，你都可拍攝全時段高清照片。華為的拍照，我說再多都不及親身體驗(yàn)，簡直就是，美輪美奐。 超強(qiáng)數(shù)字變焦。纖薄機(jī)身內(nèi)藏潛望式長焦鏡頭，最高可實(shí)現(xiàn) 50 倍數(shù)字變焦。采用超感光 RYYB 濾色陣列，進(jìn)一步增強(qiáng)長焦進(jìn)光量，消除距離的限制，擁抱生活的美好。有如此變焦，你在做，華為P40Pro在看。強(qiáng)大的內(nèi)心。純自研設(shè)計開發(fā)的麒麟990 5G芯片，第五代ISP，達(dá)芬奇架構(gòu)NPU持續(xù)進(jìn)化，將強(qiáng)大的AI計算能力結(jié)合影像，完成影像技術(shù)的再度突破。16核GPU能效大幅提升，帶來更澎湃的速度體驗(yàn)。5G雙模全網(wǎng)通，雙卡體驗(yàn)，WI-FI6+，完全做到全環(huán)境，都夠快。 多重解鎖。暗光人像解鎖搭配新一代屏內(nèi)指紋，識別面積更大，解鎖速度提升30%，解鎖姿態(tài)更隨心，為你守護(hù)你的私享世界。 高端散熱系統(tǒng)。采用3D石墨烯液冷散熱系統(tǒng)，3D石墨烯散熱膜，全面貼合主板，超薄大面積VC，更高導(dǎo)熱效率，酣暢時刻，為你高效降溫。 想充就充。全新的充電體驗(yàn)，支持40W華為有線超級快充，以及27W華為無線超級快充，萊茵TUV安全認(rèn)證，為你的安全保駕護(hù)航，支持無線反向充電19，突破常規(guī)，讓好用變得更為實(shí)用。 IP68級防塵抗水。防止突然的雨滴或意外飛濺，旗艦機(jī)必備，沒有防塵防水的旗艦機(jī)怎么能配叫做旗艦機(jī)呢?

    半導(dǎo)體 華為 p40pro

  • 國產(chǎn)芯片“智”勝未來

    作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性支撐，芯片行業(yè)的發(fā)展對于國計民生至關(guān)重要，無論是全球化受阻，還是科技強(qiáng)國戰(zhàn)略的實(shí)施，都需要國產(chǎn)芯片奮起直追，大步進(jìn)位。 1、國產(chǎn)替代：提升研發(fā)投入是關(guān)鍵 長期以來，中國核心芯片主要依賴進(jìn)口。如今，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展逐漸成為中國制造的重中之重。預(yù)計2020年，國內(nèi)芯片自給率要達(dá)到40%，2025年則要達(dá)到70%。然而，根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會與國家統(tǒng)計局統(tǒng)計數(shù)據(jù)，自2013年至2017年，中國芯片產(chǎn)量增速在波動中僅為15%。 在廣闊的市場發(fā)展空間與政策資金加持下，半導(dǎo)體國產(chǎn)替代迎來了前所未有的歷史機(jī)遇。 根據(jù)CVSource投中數(shù)據(jù)，近5年來，國內(nèi)的芯片投融資數(shù)量與金額幾乎逐年遞增，總?cè)谫Y規(guī)模達(dá)到千億規(guī)模。其中，2018年，芯片行業(yè)的投融資數(shù)量高達(dá)260，成為5年之最，融資規(guī)模為451.84億元，占據(jù)總規(guī)模的近50%。 芯片制造是典型的資本密集型行業(yè)，作為具有高技術(shù)含量的重資產(chǎn)業(yè)務(wù)，需要投入的資金量巨大。半導(dǎo)體行業(yè)觀察從國內(nèi)頂尖半導(dǎo)體公司營收與研發(fā)費(fèi)用著手，對比了國內(nèi)與國外領(lǐng)先者的差距，這也正是國內(nèi)公司可以奮起直追的方向。 2、晶圓代工廠 在晶圓代工領(lǐng)域，臺積電是絕對的王者。有報道指出，臺積電為保持先進(jìn)制程，近十年來研發(fā)投入強(qiáng)度不斷攀升，近10年研發(fā)營收比平均為 7%，高于多數(shù)可比公司。并且在近十年來，臺積電毛利率一直維持在50%左右。對比中國臺灣，中國大陸晶圓代工條件正逐步完善但差距尚存。但從整體上來看，市場占比依舊較小。 3、芯片設(shè)計 根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2019年我國集成電路設(shè)計業(yè)銷售額首次突破3000億元大關(guān)，并已經(jīng)超過芯片制造及封裝測試業(yè)，在全球集成電路市場的份額第一次超過10%。 芯思想研究院數(shù)據(jù)顯示，2019年全球半導(dǎo)體公司研發(fā)支出有20家超過10億美元，合計達(dá)到563億美元。在這其中，有三家中國半導(dǎo)體公司入榜前十位。分別是臺積電、華為海思、聯(lián)發(fā)科。三家公司研發(fā)投入合計約75億美元，較2018年增長21%。 4、封裝測試 在我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中，封裝測試業(yè)是唯一能夠與國際企業(yè)全面競爭的產(chǎn)業(yè)，長電科技、通富微電、華天科技等三大封測廠合計全球市占率超過 20%，具備全球競爭力。 華泰證券稱，中國大陸IC封測企業(yè)未來有望將重心從通過海外并購取得高端封裝技術(shù)及市占率，轉(zhuǎn)而聚焦在開發(fā)扇出型及 SiP(系統(tǒng)級)等先進(jìn)封裝技術(shù)，并積極通過客戶認(rèn)證來向市場顯示自身技術(shù)，提高市場競爭力。 5、半導(dǎo)體設(shè)備 2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場約576億美金，大陸地區(qū)約130億美金，占比約22.4%，僅次于中國臺灣的27%，高于韓國的18%。2019年泛半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)率約16%，IC設(shè)備國產(chǎn)化率約5%。 半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率較低，產(chǎn)品供應(yīng)主要被應(yīng)用材料、泛林、東電、ASML和科天等廠商占有。他們能獲得這樣的地位，與他們一直以來堅持的高投入研發(fā)有關(guān)。 通過對比三家刻蝕設(shè)備國際龍頭與中微半導(dǎo)體的財務(wù)數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，中微半導(dǎo)體作為新興的設(shè)備公司，與國際巨頭的差距主要體現(xiàn)在規(guī)模上。公司研發(fā)費(fèi)用投入占比為 21.8%，高于競爭對手，雖然規(guī)模有一定差距，但仍有非常大的成長空間。 6、半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體行業(yè)的最下游，對于半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展有著牽一發(fā)而動全身的影響。 半導(dǎo)體材料市場處于寡頭壟斷局面，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模非常小。相比同為產(chǎn)業(yè)鏈上游的半導(dǎo)體設(shè)備市場，半導(dǎo)體材料市場更細(xì)分，單一產(chǎn)品的市場空間很小，所以少有純粹的半導(dǎo)體材料公司。 半導(dǎo)體材料往往只是某些大型材料廠商的一小塊業(yè)務(wù)，但由于半導(dǎo)體工藝對材料的嚴(yán)格要求，就單一半導(dǎo)體化學(xué)品而言，僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商可以提供產(chǎn)品。以半導(dǎo)體硅片市場為例，全球半導(dǎo)體硅片市場集中度較高，產(chǎn)品主要集中在日本、韓國、德國和中國臺灣等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)，中國大陸廠商的生產(chǎn)規(guī)模普遍偏小。 半導(dǎo)體材料領(lǐng)域具有難以跨越的技術(shù)壁壘，護(hù)城河高，國內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商想要趕上非常困難，但差距正在不斷縮小。 分析這些企業(yè)發(fā)現(xiàn)，對于集成電路產(chǎn)業(yè)而言，保證研發(fā)投入是企業(yè)能夠入場的前提。但是，正如英特爾每年花費(fèi)超過800億人民幣、臺積電每年花費(fèi)超過140億人民幣研發(fā)費(fèi)用去維持他們的先進(jìn)性一樣，想要成為頭部廠商，必須要砸錢。同時，研發(fā)費(fèi)用只是一部分，人才，技術(shù)等都缺一不可。未來，芯片的國產(chǎn)替代還有很長的路要走。 7、dToF開啟無限可能 今年3月，蘋果在新款iPad Pro上配備“激光雷達(dá)掃描儀”引發(fā)了外界的極大關(guān)注。目前，激光雷達(dá)(LiDAR)技術(shù)仍是自動駕駛汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，但高性能光電傳感器芯片研發(fā)也已與之產(chǎn)生交集。 根據(jù)蘋果官方的介紹，新款iPad Pro所配備的激光雷達(dá)掃描儀是“通過測量光觸及物體并反射回來所需的時間，來確定距離。特制的激光雷達(dá)掃描儀利用直接飛行時間(dToF)，測量室內(nèi)或室外環(huán)境中從最遠(yuǎn)五米處反射回來的光。它可從光子層面進(jìn)行探測，并能以納秒速度運(yùn)行，為增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)及更廣泛的領(lǐng)域開啟無盡可能?！? iPad Pro上所搭載的激光雷達(dá)(Light Detection And Ranging)其實(shí)和手機(jī)上采用的ToF攝像頭都屬于雷達(dá)技術(shù)，以飛行時間距離(Time of Flight，飛行時間)捕捉3D圖像。 不同之處在于，新款iPad Pro所采用激光雷達(dá)掃描儀采用的是dToF(direct time of flight，直接測量飛行時間)技術(shù)，而目前手機(jī)上所采用的3D TOF模組則是基于iToF(indirect time of flight，間接測量飛行時間)技術(shù)。那么二者有何區(qū)別呢? 芯智訊指出，根據(jù)“大話成像”的介紹：iToF和dToF的區(qū)別，首先從發(fā)出信號來看，dToF是單個脈沖，iToF多是正弦波。此外，iToF和dToF在sensor和算法上也有不小的區(qū)別。 靈明光子成立于2018年，致力于應(yīng)用國際領(lǐng)先的單光子探測器技術(shù)，研發(fā)及制造高性能光電傳感器芯片。公司總部位于深圳南山，并在美國硅谷設(shè)有研發(fā)中心。公司主要研發(fā)高效率單光子探測器(SPAD)的大規(guī)模集成芯片，目前主要有兩條產(chǎn)品業(yè)務(wù)線：適用于高性能激光雷達(dá)光子接收方案的硅光子倍增管(SiPM)和適用于消費(fèi)級電子產(chǎn)品的SPAD成像傳感器(SPADIS)及整體dToF解決方案。 靈明光子CEO賈捷陽認(rèn)為，單從技術(shù)方面看，dToF取代iToF存在很強(qiáng)的邏輯必然性?，F(xiàn)在iToF實(shí)際應(yīng)用中暴露出三個自身難以解決的問題：一是全系統(tǒng)能耗太大(因?yàn)椴捎眠B續(xù)波或?qū)捗}沖激光)，二是準(zhǔn)度易受干擾(如透明物體干擾、多光路干擾、反射率對比度干擾)，三是抗環(huán)境光能力差限制了戶外應(yīng)用。這三個問題顯著限制了iToF的應(yīng)用。 而dToF則從根本上解決了以上三個問題，實(shí)際應(yīng)用的性能天花板要遠(yuǎn)高于iToF。然而任何一項(xiàng)新技術(shù)的發(fā)展都不只取決于技術(shù)原理，產(chǎn)業(yè)鏈的成熟度、全產(chǎn)業(yè)鏈成本、可靠性等因素以及市場的宏觀局勢都會影響技術(shù)演進(jìn)。當(dāng)前的dToF產(chǎn)業(yè)鏈成熟度尚不如iToF，因此未來dToF是否取代iToF會取決于很多因素。3D ToF的應(yīng)用場景非常多，對于某些特定應(yīng)用場景，iToF跟dToF也會各自有一些優(yōu)勢。 8、消費(fèi)類、汽車類產(chǎn)品線并駕齊驅(qū) 蘋果新款平板電腦iPad Pro搭載了基于dToF(直接飛行時間法)原理的激光雷達(dá)，該dToF傳感器由索尼(Sony)為蘋果定制生產(chǎn)，基于SPAD(單光子雪崩光電二極管)陣列，分辨率達(dá)到3萬像素，相比意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)的256像素和艾邁斯半導(dǎo)體(ams)的128像素，直接將dToF傳感器功能從“簡單測距”跨越至“距離成像”。 蘋果新款iPad Pro激光雷達(dá)中的SPAD探測器、VCSEL及其驅(qū)動芯片 在單芯片上集成SPAD陣列和測距電路的光電探測解決方案，可實(shí)現(xiàn)低激光功率下的遠(yuǎn)距離探測能力，降低整體系統(tǒng)的功耗和成本，以及減小體積。但無論是對設(shè)計能力，還是對制造工藝和封裝技術(shù)，要求都非常高，因此，全球具有上述綜合能力的廠商寥寥無幾。據(jù)麥姆斯咨詢調(diào)研，在中國能提供此技術(shù)的設(shè)計企業(yè)可謂鳳毛麟角，靈明光子便是其中的佼佼者。 據(jù)麥姆斯咨詢，單光子探測技術(shù)在當(dāng)前和未來有巨大的發(fā)展前景，靈明光子專注于高效率單光子探測芯片的開發(fā)，目前面向消費(fèi)類和汽車類應(yīng)用分別布局了相關(guān)產(chǎn)品。靈明光子CEO賈捷陽介紹，靈眀光子目前有兩條產(chǎn)品線：一是硅光子倍增管(SiPM)，主要面向激光雷達(dá)客戶，旨在取代目前在各種激光雷達(dá)上廣泛采用的雪崩光電二極管(APD);二是單光子圖像傳感器(SPADIS)，主要面向消費(fèi)電子客戶，也就是業(yè)界俗稱的“dToF”芯片，未來會逐漸替代現(xiàn)在已經(jīng)普及的“iToF”芯片。 靈眀光子已經(jīng)有成熟的量產(chǎn)型SiPM產(chǎn)品，包括了單點(diǎn)和線陣等不同形態(tài)，同時主要參數(shù)已經(jīng)達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先水平，目前已有多家激光雷達(dá)客戶正在采購或評測。SPADIS已經(jīng)小范圍開放demo(演示)，并向主要客戶開始供樣，當(dāng)前主要滿足客戶的dToF技術(shù)驗(yàn)證需要，將結(jié)合客戶需求在2021年推出量產(chǎn)型產(chǎn)品。 賈捷陽強(qiáng)調(diào)，SiPM可適用于各種不同形態(tài)的激光雷達(dá)，并不僅局限于車載應(yīng)用。靈眀光子SiPM同樣可以滿足包括用于掃地機(jī)器人在內(nèi)的各種非車載激光雷達(dá)的需求，并且有多家非車載客戶正在積極評測。

    半導(dǎo)體 國產(chǎn) 芯片 晶圓

  • 中國芯片擁有全球近一半潛在市場

    芯片領(lǐng)域的競爭，就是科技的戰(zhàn)爭。西方制裁中國的方式，變成芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)解決點(diǎn)。沒有技術(shù)就只有被動，西方對我國實(shí)行的芯片封鎖，導(dǎo)致很多中國企業(yè)在研發(fā)上陷入了瓶頸。 雖然我國每年花費(fèi)大約3000億美元用來進(jìn)口芯片，但國產(chǎn)的自有芯片技術(shù)一直沒有大的進(jìn)展。而進(jìn)口芯片中，絕大部分是存儲芯片，也就是我們經(jīng)?？吹降腄RAM內(nèi)存。 也不能說中國在芯片技術(shù)上一籌莫展，持續(xù)研發(fā)的大背景下，也有很多不錯的閃光點(diǎn)。比如國內(nèi)的瀾起科技，已經(jīng)在DRAM內(nèi)存的競爭環(huán)境中脫穎而出。inter認(rèn)證下的DRAM公司，瀾起科技就在其中。并且發(fā)起了DDR4全球標(biāo)準(zhǔn)的建立。 中國芯片的希望，擁有全球近一半市場份額 瀾起科技在全球范圍內(nèi)的客戶眾多，英特爾是常年合作的主要對象，除此之外還有三星等主要廠商。依據(jù)知名機(jī)構(gòu)在2018年的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，瀾起科技覆蓋了全球46%的內(nèi)存芯片市場，接近一半的國家采用了瀾起科技的技術(shù)和設(shè)備。 中國能有孕育出如此出色的企業(yè)，得益于科研經(jīng)費(fèi)和人才的不斷投入。2004年瀾起科技才剛剛成立，如今15年剛過，已經(jīng)能夠與全球老牌芯片內(nèi)存廠商競爭。這就是中國速度。更好的消息是，由于瀾起科技擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，所以核心技術(shù)都在手中，這樣渠道商也不受國外零件商的影響。完全掌握自己的利潤表，一度高達(dá)70%。這在整個中國國內(nèi)都是比較罕見的。 內(nèi)存撕開了國外封鎖的口子，不少媒體也評價，瀾起科技的崛起，一方面是中國力量的展示，另一方面是，沒有了內(nèi)存的封鎖，瀾起科技可能將帶動一波中國企業(yè)向同一方向發(fā)起沖擊。 有外媒曾這樣評價中國存儲芯片領(lǐng)域，有瀾起科技在背后背書，中國的存儲芯片企業(yè)將無需擔(dān)心被卡脖子的問題，因?yàn)樵趦?nèi)存接口這一塊，中國已經(jīng)走在世界前沿。5G華為登頂，匯頂?shù)娜藱C(jī)交互技術(shù)，瀾起科技這樣的企業(yè)，都代表了中國力量在世界科技領(lǐng)域的地位。

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  • 歐洲5G巨頭愛立信彎道超車，斬獲97個5G訂單反超華為

    眾所周知，華為5G一直在世界上遙遙領(lǐng)先，在5G剛興起時，斬獲了許多訂單，一度被業(yè)界尊為“行業(yè)典范”。今年2月份，華為更是以91份商用合同的成績榮登5G榜首，但最近根據(jù)愛立信官網(wǎng)顯示，愛立信已成功斬獲97個5G商用訂單，比華為2月份公布的91份多了6份，實(shí)現(xiàn)了彎道超車。根據(jù)愛立信官網(wǎng)數(shù)據(jù)，其已經(jīng)和55家5G客戶達(dá)成可公示的商用合同，其中甚至包括中國移動、電信、聯(lián)通三大運(yùn)營商。 華為被制裁，愛立信躺贏 愛立信于1876年成立于瑞典，至今已有144年的歷史，從最初只生產(chǎn)電話機(jī)、程控交換機(jī)已發(fā)展成全球最大的移動通訊設(shè)備商之一。但在5G面前，愛立信依然要向華為稱呼“前輩”，而愛立信確實(shí)也是這么做的，近來一直將華為作為學(xué)習(xí)榜樣。 那么，此次愛立信訂單反超是因?yàn)槠?G技術(shù)已經(jīng)超越華為了嗎?我看未必。其實(shí)最主要的原因是自特朗普上臺后，頻頻打壓華為，不僅禁止本國企業(yè)與華為合作，甚至拉上“同盟國”一起禁用華為，所以這才導(dǎo)致華為5G訂單直線下降，愛立信“趁虛而入”。 華為5G何去何從 華為，作為國內(nèi)最大的5G設(shè)備供應(yīng)商，無論是對國內(nèi)5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，還是促進(jìn)國內(nèi)通訊領(lǐng)域的發(fā)展都起著至關(guān)重要的作用。在國際上，華為更是牽頭5G協(xié)議的制定，無論在人才儲備還是專利數(shù)量上都完勝其他企業(yè)。但是再強(qiáng)大的企業(yè)也扛不住美國接二連三的制裁。在這種情況下，面對美國打壓，萬萬不可委曲求全;其次繼續(xù)堅持“自主研發(fā)”，加緊“去美國化”，技術(shù)在手天下我有;華為5G代表的不僅僅是一個企業(yè)5G，更是中國5G。

    半導(dǎo)體 華為 愛立信 5G

  • 英國禁用華為5G

    近日，一直搖擺不定的英國，終于做出決定：“禁用華為5G”。幾個月之前，英國還“擔(dān)保”華為設(shè)備無“安全風(fēng)險”，暗示會持續(xù)為華為5G亮“綠燈”，誰知在14日一改常態(tài)突然翻臉，宣布與華為5G徹底“分手”。 7月14日，英國文化大臣表示：“將停止在5G建設(shè)中使用華為設(shè)備，自2020年12月31日后不再采購新的華為設(shè)備，其國內(nèi)5G網(wǎng)絡(luò)中已使用的華為設(shè)備將于2027年之前完成拆除”，此消息一出業(yè)界一片嘩然，畢竟在今年2月，英國還表示允許華為參與部分5G建設(shè)，這才幾個月態(tài)度就180度大轉(zhuǎn)變了，實(shí)則令人難以接受。 對此，有業(yè)內(nèi)人士分析，華為被禁更多的是因美國施壓，而非商業(yè)因素。而且英國給出的兩個時間節(jié)點(diǎn)很有意思，或許另有玄機(jī)?畢竟到2021年時，美國大選早已結(jié)束，到時是什么光景誰也不知道，而英國將禁令時間推至2021年留出緩沖時間，無非是給自己留一條“后路”，雖然這件事現(xiàn)在看起來很頭痛，或許美國大選之后事情就逐漸明朗了。 英國目前做出的決定，無非是迫于美國的施壓，畢竟完全不符合“利人利己”的原則。據(jù)英國媒體報道，移除相關(guān)華為設(shè)備將花費(fèi)“數(shù)十億英鎊”，而且會耗費(fèi)巨大的人力物力，這對于“脫歐”后的英國無疑是一次嚴(yán)重打擊。而且目前相關(guān)通訊設(shè)備更換成諾基亞、愛立信也完全不現(xiàn)實(shí)，此舉甚至?xí)斐捎?G建設(shè)落后一年，喪失掉5G發(fā)展全球領(lǐng)先的機(jī)會。 英國這個決定，無非是想“討好”美國的同時不得罪“中國”，給華為的“緩沖期”同樣是自己的“觀察期”，一旦發(fā)現(xiàn)時機(jī)不對，隨時再與華為恢復(fù)合作。何設(shè)備都有損耗期，到2027年設(shè)備本身就需要更新?lián)Q代了。

    半導(dǎo)體 華為 英國 5G

  • 英特爾8086芯片，有史以來最具影響力的芯片

    英特爾8086微處理器是在42年前推出的， 8086是有史以來最有影響力的芯片之一。它開創(chuàng)了x86體系結(jié)構(gòu)，該體系結(jié)構(gòu)如今仍占據(jù)著臺式機(jī)和服務(wù)器計算的主導(dǎo)地位。8086處理器芯片的金屬層，大部分遮住了其下的硅片層。在裸片的邊緣，細(xì)細(xì)的綁定線提供了芯片上的焊盤和外部引腳之間的連接，該芯片包含29000個晶體管。 1、觀察芯片內(nèi)部 大多數(shù)集成電路都是用環(huán)氧樹脂封裝的，除去頂部，可以在中心看到硅芯片。芯片通過微小的綁定線連接到芯片的金屬引腳。這是40針DIP封裝，當(dāng)時是微處理器的標(biāo)準(zhǔn)封裝。請注意，硅芯片本身僅占芯片尺寸的一小部分。 在顯微鏡下，可以看到8086部件號以及版權(quán)日期。綁定線連接到焊盤和位于頂部的一部分微碼ROM 管芯去除了金屬和多晶硅層，顯示了具有29,000個晶體管的底層硅。2 標(biāo)簽是根據(jù)我的逆向工程顯示的主要功能塊。芯片的左側(cè)包含16位數(shù)據(jù)路徑：芯片的寄存器和算術(shù)電路。加法器和高位寄存器構(gòu)成與外部存儲器通信的總線接口單元，而低位寄存器和ALU構(gòu)成處理數(shù)據(jù)的執(zhí)行單元。芯片的右側(cè)具有控制電路和指令解碼，以及控制每個指令的微碼ROM。 在下面的芯片照片中，去掉了金屬和多晶硅層，顯示了底層的硅和29,000個晶體管。標(biāo)簽顯示了主要的功能塊。芯片的左側(cè)包含16位數(shù)據(jù)通路：寄存器和算術(shù)電路。加法器和上層寄存器構(gòu)成與外部存儲器通信的總線接口單元，下層寄存器和ALU構(gòu)成處理數(shù)據(jù)的執(zhí)行單元。芯片的右側(cè)有控制電路和指令解碼，以及控制每條指令的微碼ROM。 8086的一個特點(diǎn)是指令預(yù)取，它通過在需要指令之前從內(nèi)存中獲取指令來提高性能。這是由左上方的總線接口單元實(shí)現(xiàn)的，它可以訪問外部存儲器。高位寄存器包括8086的臭名昭著的段寄存器，它提供對比16位地址所允許的64 KB更大的地址空間的訪問。對于每次存儲器訪問，都添加了段寄存器和存儲器偏移量以形成最終的存儲器地址。為了提高性能，8086有一個單獨(dú)的加法器用于這些內(nèi)存地址計算，而不是使用ALU。高位寄存器還包括六個字節(jié)的指令預(yù)取緩沖區(qū)和程序計數(shù)器。 芯片的左下角存放著執(zhí)行單元，該單元用于執(zhí)行數(shù)據(jù)操作。低位寄存器包括通用寄存器和堆棧指針等索引寄存器。16位ALU執(zhí)行算術(shù)運(yùn)算(加減法)、布爾邏輯運(yùn)算和移位。ALU不執(zhí)行乘法或除法，這些運(yùn)算是通過一連串的移位和加/減法來完成的，所以速度相對較慢。 微碼計算機(jī)設(shè)計中最困難的部分之一就是創(chuàng)建控制邏輯，該邏輯用來告知處理器的每個部分如何執(zhí)行每條指令。1951年，莫里斯·威爾克斯(Maurice Wilkes)提出了微代碼的想法：代替由復(fù)雜的邏輯門電路構(gòu)建控制邏輯，可以用稱為微代碼的特殊代碼代替控制邏輯。為了執(zhí)行一條指令，計算機(jī)在內(nèi)部執(zhí)行一些更簡單的微指令，這些指令由微碼指定。使用微碼，構(gòu)建處理器的控制邏輯成為編程任務(wù)，而不是邏輯設(shè)計任務(wù)。 在顯微鏡下，可以看到微碼ROM的內(nèi)容，并且可以根據(jù)每個位置上是否存在晶體管來讀取位。ROM由512條微指令組成，每條21位寬。每個微指令指定數(shù)據(jù)在源和目標(biāo)之間的移動。它還指定了微操作，可以是跳轉(zhuǎn)，ALU操作，內(nèi)存操作，微代碼子例程調(diào)用。微碼非常有效;一個簡單的指令(例如遞增或遞減)由兩個微指令組成，而更復(fù)雜的字符串復(fù)制指令則由八個微指令實(shí)現(xiàn)。 2、8086的歷史 通往8086的道路并不像你想象的那樣直接和有計劃。它最早的祖先是1970年的臺式電腦/終端機(jī)Datapoint 2200。Datapoint 2200是在微處理器誕生之前，所以它使用的是由一塊布滿獨(dú)立TTL集成電路的電路板構(gòu)建的8位處理器。Datapoint咨詢英特爾和德州儀器公司是否可以用一塊芯片取代那塊板子。復(fù)制Datapoint 2200的架構(gòu)，德州儀器在1971年推出了TMX 1795處理器，而英特爾推出的是8008處理器(1972年)。然而，Datapoint拒絕了這些處理器，這是一個致命的決定。盡管德州儀器公司找不到TMX 1795處理器的客戶而放棄了它，但英特爾還是決定將8008作為產(chǎn)品出售，就此開創(chuàng)了微處理器市場。英特爾在8008之后又推出了改進(jìn)的8080(1974)和8085(1976)處理器。 由于iAPX 432進(jìn)度落后，因此英特爾在1976年決定在iAPX 432就緒之前需要一個簡單的，權(quán)宜之計的處理器來銷售。英特爾迅速將8086設(shè)計成一個16位處理器，與1978年發(fā)布的8位80804有一定的兼容性。隨著1981年IBM個人電腦(PC)的推出，8086有了很大的突破。到1983年，IBM PC成為最暢銷的計算機(jī)，并成為個人計算機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)。IBM PC中的處理器是8088，是8086的變種，采用8位總線。IBM PC的成功使8086體系結(jié)構(gòu)成為仍然持續(xù)了42年的標(biāo)準(zhǔn)。 IBM PC為什么選擇Intel 8088處理器?據(jù)最初的IBM PC工程師之一David Bradley博士說，關(guān)鍵因素是團(tuán)隊(duì)對Intel開發(fā)系統(tǒng)和處理器的熟悉程度 無論如何，使用8088處理器的決定鞏固了x86系列的成功。IBM PC AT(1984)升級到兼容但功能更強(qiáng)大的80286處理器。1985年，x86系列產(chǎn)品的80386移植到32位，然后在2003年采用AMD Opteron架構(gòu)的移植到 64位。x86體系結(jié)構(gòu)仍在通過AVX-512 矢量操作(2016)等功能進(jìn)行擴(kuò)展 。但是即使進(jìn)行了所有這些更改，x86體系結(jié)構(gòu)仍保留了與原始8086的兼容性。 3、晶體管 8086芯片采用了一種叫做NMOS的晶體管。可以將晶體管視為開關(guān)，控制電流在稱為源極和漏極的兩個區(qū)域之間流動。這種晶體管是通過在硅基底的區(qū)域摻雜雜質(zhì)來制造具有不同電性能的 "擴(kuò)散 "區(qū)域。晶體管由柵極激活，柵極由一種特殊類型的硅制成，稱為多晶硅，層疊在硅基板之上。晶體管通過上面的金屬層連接在一起，構(gòu)建了完整的集成電路?，F(xiàn)代的處理器可能有十幾層金屬層，而8086的金屬層只有一層。 硅顯示了算術(shù)邏輯單元(ALU)的一些晶體管。摻雜的導(dǎo)電硅呈深紫色。白色條紋是多晶硅線穿過硅的地方，形成了晶體管的柵極。(23個晶體管形成7個門)晶體管的形狀很復(fù)雜，以使布局盡可能高效。此外，晶體管有不同的尺寸，以便在需要的地方提供更高的功率。請注意，相鄰的晶體管可以共享源極或漏極，從而使它們連接在一起。圓圈是硅層和金屬布線之間的連接(稱為過孔)，而小方塊是硅層和多晶硅之間的連接。 8086的本意是在英特爾發(fā)布他們的旗艦iAPX 432芯片之前，作為一個臨時性的臨時處理器，它是由一塊滿是TTL芯片的電路板構(gòu)建的處理器的“后代”。從不起眼的開始，8086的架構(gòu)(x86)意外地最終主導(dǎo)了桌面和服務(wù)器計算，直到現(xiàn)在。

    半導(dǎo)體 芯片 微處理器 8086

  • 我國芯片之路

    合抱之木，生于毫末;九層之臺，起于累土;千里之行，始于足下。芯片領(lǐng)域是我國被“卡脖子”的突出、代表領(lǐng)域之一。在外部環(huán)境加劇變化的當(dāng)下，“缺芯”問題更加凸顯。差距是客觀存在的，但我們也一直在進(jìn)步的路上，自主研發(fā)，道阻且長。 1、3D視覺芯片 據(jù)科技日報7月初的報道，近日，中科融合感知智能研究院(蘇州工業(yè)園區(qū))有限公司(以下簡稱中科融合)自主研發(fā)的高精度AI-3D雙引擎SOC芯片，已經(jīng)在國內(nèi)一家芯片代工廠進(jìn)入最終流片階段。這也是全球首顆AI-3D雙引擎SOC芯片。該芯片將和中科融合2019年研發(fā)、目前已初步量產(chǎn)的MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))微鏡3D結(jié)構(gòu)光芯片，共同成為全國產(chǎn)高精度機(jī)器視覺的3D之“腦”與之“眼”。 在智能制造、金融安全、混合現(xiàn)實(shí)等眾多新興領(lǐng)域，3D視覺芯片技術(shù)都屬于核心基礎(chǔ)。然而，幾乎所有高精度機(jī)器視覺系統(tǒng)的3D視覺入口都采用了美國德州儀器公司100%壟斷的DLP(數(shù)字光處理)芯片技術(shù)。過去1年，包括2020一季度，超過數(shù)10億的資金投入智能機(jī)器視覺領(lǐng)域。若沒有DLP芯片，所有機(jī)器視覺設(shè)備都會“失明”，基于這一技術(shù)的系統(tǒng)投入都將付之東流。 中科融合是國內(nèi)實(shí)現(xiàn)全國產(chǎn)替代DLP芯片在3D視覺領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。據(jù)CEO、中科院蘇州納米所AI實(shí)驗(yàn)室主任王旭光介紹，目前市場上并不存在專用于3D的AI芯片。中科融合首次實(shí)現(xiàn)了AI-3D雙引擎集成SOC芯片，將高精度3D建模算法引擎和基于深度學(xué)習(xí)的智能引擎結(jié)合，并同時在單顆芯片中完成。 這一直接控制MEMS，同時整合了高精度動態(tài)結(jié)構(gòu)光建模引擎和自研NPU雙引擎的SOC芯片，具有以下幾個優(yōu)勢： - 成本低，單價只有國外同類指標(biāo)產(chǎn)品的1/3上下; - 功耗低，與國外方案相比，功耗降低1/10，低至毫瓦級，“插上充電寶就能跑起來”; - 體積小，“同樣是高精度，DLP光機(jī)模組像磚頭，我們的芯片模組只有大拇指大小”; - 精度高。據(jù)介紹，目前國外的芯片大多數(shù)是低成本、低精度，在3-30萬個3D點(diǎn)云，類似早期的數(shù)碼相機(jī)的低分辨率，“而我們的國產(chǎn)自研芯片可以做到百萬以上的高精度3D點(diǎn)云，相當(dāng)于直接到了高分辨率3D相機(jī)時代。更重要的是，在提供如此高精度的同時，可以做到和低精度相機(jī)相同的低成本、小體積。這是目前國外的DLP芯片做不到的?！? 2、E波段毫米波芯片 據(jù)科技日報報道，7月6日，杭州電子科技大學(xué)程知群教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)的毫米波通訊系統(tǒng)完成測試。該系統(tǒng)由毫米波天線、毫米波收發(fā)信機(jī)和高速基帶處理電路板組成，實(shí)現(xiàn)了“超大數(shù)據(jù)高速率傳輸”，提供了5G通信的一種解決方案。系統(tǒng)中使用的毫米波芯片和基帶電路板，由程教授領(lǐng)銜的杭電新型半導(dǎo)體器件與電路學(xué)科交叉團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)。 “第四代通信技術(shù)傳輸速率為100Mbps，這意味著，數(shù)據(jù)傳輸中會有100毫秒的延時。第五代通信技術(shù)能夠?qū)?shù)據(jù)傳輸時延縮短至1毫秒，傳輸速率為1Gbps-10Gbps?！背讨航淌诮榻B說。目前，國際上5G通信采用的頻段為Sub-6GHz和毫米波結(jié)合，分別兼顧遠(yuǎn)距離傳輸和區(qū)域高速回傳，實(shí)現(xiàn)完整的數(shù)據(jù)傳輸通信鏈。程知群教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中國科學(xué)院研發(fā)力量，針對頻段71GHz-86GHz毫米波通信的大氣窗口自主研發(fā)的全套E波段毫米波芯片，能完全滿足5G通信對傳輸速率的需求。 據(jù)了解，杭電自主研發(fā)的E波段毫米波芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該芯片在外場實(shí)驗(yàn)中，曾成功實(shí)現(xiàn)全世界首個高階毫米波外場驗(yàn)證，速率達(dá)到70Gbps。 程知群教授表示：“目前國際上有中、美、歐盟的3家公司有E波段毫米波芯片出售。這項(xiàng)成果的應(yīng)用表明，在5G通信E波段毫米波芯片領(lǐng)域，中國有了自主研發(fā)的可替代方案。” 3、高能離子注入機(jī) 新華社記者6月28日從中國電子科技集團(tuán)有限公司獲悉，由該集團(tuán)旗下電科裝備自主研制的高能離子注入機(jī)成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素以按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中。離子注入機(jī)即是執(zhí)行這一工藝的設(shè)備。 根據(jù)能量、注入劑量范圍等不同，常用的離子注入機(jī)主要分為三種類型：低能大束流注入機(jī)、中束流注入機(jī)和高能注入機(jī)。其中，高能離子注入機(jī)的能量范圍需要高達(dá)幾MeV(百萬電子伏特)，是離子注入機(jī)中技術(shù)難度最大的機(jī)型。 一直以來，我國離子注入機(jī)嚴(yán)重依賴外國，國產(chǎn)率極低，大部分的離子注入機(jī)市場被美國AMAT/Varian和Axcelis、日本SMIT和Nissin等品牌壟斷。在高能離子注入機(jī)領(lǐng)域，Axcelis的前身Eaton占據(jù)了近乎壟斷地位，國內(nèi)之前一直是空白。此次電科裝備在高能離子注入機(jī)上的突破，打破了國外廠商的壟斷，填補(bǔ)了國內(nèi)的空白。 此前，電科裝備已連續(xù)突破中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī)產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化難題，產(chǎn)品廣泛服務(wù)于全球知名芯片制造企業(yè)。 電科裝備離子注入機(jī)總監(jiān)張叢表示，電科裝備將在年底前推出首臺高能離子注入機(jī)，實(shí)現(xiàn)我國芯片制造領(lǐng)域全系列離子注入機(jī)自主創(chuàng)新發(fā)展，并將為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機(jī)成套解決方案。 4、CMOS毫米波全集成4通道相控陣芯片 6月15日，中國工程院院士劉韻潔表示，我國已研制出CMOS毫米波全集成4通道相控陣芯片，目前已經(jīng)完成了芯片封裝和測試，每通道成本實(shí)現(xiàn)了斷崖式下降，由1000元降至20元，成本大降98%。同時劉院士透露，南京網(wǎng)絡(luò)通訊與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室還封裝集成1024通道天線單元的毫米波大規(guī)模有源天線陣列。芯片與天線陣列力爭2022年規(guī)模商用于5G系統(tǒng)。 有媒體稱，這也是全球第1次較為完美地解決阻礙CMOS毫米波通信的芯片問題，從芯片、模塊到天線陣面，均實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)，在國際上處于領(lǐng)先地位。 一直以來，毫米波芯片是高容量5G移動通訊核心，長期被國外壟斷(主要由歐美廠商占據(jù)主導(dǎo)地位)，是我國短板中的短板。毫米波擁有很多優(yōu)勢，比如頻譜資源豐富、傳輸速率更高、方向性更好、元器件尺寸更小等，但由于長期以來被國外壟斷，導(dǎo)致每通道成本高達(dá)上千元，嚴(yán)重影響我國更高容量5G核心技術(shù)的發(fā)展。 此次我國研制出CMOS毫米波全集成4通道相控陣芯片，打破了國外壟斷，進(jìn)一步增加了自身的籌碼，極大提升我國在5G核“芯”產(chǎn)業(yè)鏈上的話語權(quán)，助力5G毫米波商用，對我國5G建設(shè)意義重大。 5、半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī) 今年5月，中國電子旗下中國長城鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院和河南通用智能裝備有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功研制出我國首臺半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。該設(shè)備在關(guān)鍵性能參數(shù)上處于國際領(lǐng)先水平。 晶圓切割是半導(dǎo)體封測工藝中不可或缺的關(guān)鍵工序。據(jù)中國長城副總裁、鄭州軌交院院長劉振宇介紹，與傳統(tǒng)的切割方式相比，激光切割屬于非接觸式加工，可避免對晶體硅表面造成損傷，且具有加工精度高、加工效率高等特點(diǎn)，可大幅提升芯片生產(chǎn)制造的質(zhì)量、效率、效益。 該裝備通過采用特殊材料、特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計、特殊運(yùn)動平臺，可實(shí)現(xiàn)加工平臺在高速運(yùn)動時保持高穩(wěn)定性、高精度，運(yùn)動速度可達(dá)500mm/s，效率遠(yuǎn)高于國外設(shè)備。在光學(xué)方面，根據(jù)單晶硅的光譜特性，結(jié)合工業(yè)激光的應(yīng)用水平，采用了合適波長、總功率、脈寬和重頻的激光器，實(shí)現(xiàn)了隱形切割。在影像方面，采用不同像素尺寸、不同感光芯片的相機(jī)，配以不同功效的鏡頭，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品輪廓識別及低、中、高倍的水平調(diào)整。該裝備還搭載了同軸影像系統(tǒng)，可確保切割中效果的實(shí)時確認(rèn)和優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)最佳切割效果。 據(jù)介紹，長期以來，高精度的切割機(jī)都依賴進(jìn)口，特別是日本和德國品牌占據(jù)了大量的市場份額。我國首臺半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)的成功研制，對進(jìn)一步提高我國智能裝備制造能力具有里程碑式的意義。 6、存儲芯片 作為全球最大的電子產(chǎn)品制造國和重要的電子產(chǎn)品消費(fèi)市場，中國對存儲器、存儲芯片有著巨大的需求。中國海關(guān)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，近兩年，我國集成電路進(jìn)口總金額均超過3000億美元，其中，存儲器進(jìn)口金額占比均超過1/3。 但目前，全球的存儲芯片行業(yè)主要由韓、美、日三國所掌控，占有全球存儲芯片市場的份額合計超過9成。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心的信息顯示，在NAND Flash市場，三星、KIOXIA(原東芝存儲)、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾和SK海力士這6家企業(yè)占據(jù)了全球99.5%的市場份額。而全球DRAM市場則被三星、SK海力士和美光所壟斷，三家合計占據(jù)了超過95%的市場。 我國若無法實(shí)現(xiàn)存儲芯片的自主可控，將意味著關(guān)鍵命脈被掌握在國外廠商手中。所幸的是，在長江存儲、長鑫存儲等國產(chǎn)存儲廠商的努力下，國外廠商對于存儲芯片的壟斷逐漸被打破。 《日經(jīng)亞洲評論》報道指出，從32層到128層的跨越，三星用了5年時間，而長江存儲僅用了3年。目前，長江存儲的128層產(chǎn)品已經(jīng)與國際廠商近乎處于同一水平線上，這也意味著，中國的三維閃存芯片從最初的追趕首次實(shí)現(xiàn)了與國際同行的齊頭并進(jìn)。 去年9月，長鑫存儲與世界主流產(chǎn)品同步的8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。這標(biāo)志著我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產(chǎn)能。 7、宇航級FPGA芯片 去年年初，北京微電子技術(shù)研究所成功研制出國內(nèi)首個自主可控的宇航用千萬門級高性能高可靠FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)芯片。經(jīng)過ATE測試和板級驗(yàn)證，本次發(fā)布的FPGA的功能和性能指標(biāo)均達(dá)到國外對標(biāo)產(chǎn)品水平，相比前一代產(chǎn)品，系統(tǒng)容量增加58%，系統(tǒng)性能提升50%，功耗降低40%。國產(chǎn)宇航級FPGA芯片的成功研制，初步打破了外國的封鎖壟斷。 作為一種非常重要的芯片，F(xiàn)PGA一直是國內(nèi)的短板，市場基本被國外壟斷。FPGA市場主要由美國雙寡頭壟斷，Xilinx和Altera(2015年被英特爾收購)兩家占了全球90%的市場份額。國內(nèi)超過100億元的FPGA市場中，國產(chǎn)市占率不到3%。 近年來國家和地方對本土芯片產(chǎn)業(yè)的投入有目共睹，通過過去多年的技術(shù)沉淀，積累的創(chuàng)新能力，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在不斷成熟完善，芯片設(shè)計能力也在不斷加強(qiáng)，出現(xiàn)了如上海復(fù)旦微、紫光同創(chuàng)、高云半導(dǎo)體、上海安路等國產(chǎn)FPGA廠商。 8、超分辨光刻裝備 2018年11月29日，國家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”在成都通過驗(yàn)收。該裝備由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達(dá)到22納米，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10納米級別的芯片。 據(jù)介紹，該光刻機(jī)在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達(dá)到22納米。項(xiàng)目在原理上突破了分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過了國外相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)壁壘，具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。 光刻機(jī)是制造芯片的核心裝備，我國在這一領(lǐng)域長期落后。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把母版上的精細(xì)圖形通過曝光轉(zhuǎn)移至硅片上。一般來說，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但傳統(tǒng)光刻技術(shù)由于受到光學(xué)衍射效應(yīng)的影響，分辨力進(jìn)一步提高受到很大限制。為獲得更高分辨力，傳統(tǒng)上采用縮短光波、增加成像系統(tǒng)數(shù)值孔徑等技術(shù)路徑來改進(jìn)光刻機(jī)，但技術(shù)難度極高，裝備成本也極高。 經(jīng)過近7年艱苦攻關(guān)，我國的超分辨光刻裝備研制項(xiàng)目在無國外成熟經(jīng)驗(yàn)可借鑒的情況下，突破了高均勻性照明，超分辨光刻鏡頭，納米級分辨力檢焦及間隙測量，超精密、多自由度工件臺及控制等關(guān)鍵技術(shù)，研制出了國際首套分辨力突破衍射極限的裝備。 超分辨光刻裝備項(xiàng)目的順利實(shí)施，打破了國外在高端光刻裝備領(lǐng)域的壟斷，打破了傳統(tǒng)路線格局，形成了一條全新的納米光學(xué)光刻技術(shù)路線，為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具，也為新一代信息技術(shù)、新材料、生物醫(yī)療等先進(jìn)戰(zhàn)略技術(shù)領(lǐng)域，基礎(chǔ)前沿和國防安全提供了核心技術(shù)保障。 高科技領(lǐng)域的終極競爭在于技術(shù)競爭，核心競爭力就體現(xiàn)在核心技術(shù)上。差距是顯性的結(jié)果，而縮小差距，需要從基礎(chǔ)研究，到科技創(chuàng)新，再到規(guī)?；逃?，全面提升能力。最終實(shí)現(xiàn)突破的那一大步，必定基于許許多多人點(diǎn)點(diǎn)滴滴、日日夜夜的努力和日拱一卒的精神。

    半導(dǎo)體 毫米波芯片 3d視覺芯片 高能離子注入機(jī)

  • 7nm ArF光刻膠技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，打破美日壟斷

    在全球近幾十年的半導(dǎo)體發(fā)展中，硅基半導(dǎo)體，成為工業(yè)批量化生產(chǎn)的主要對象。而未來的發(fā)展建立在5G基礎(chǔ)，不管是人工智能，還是所謂云技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，芯片將是所有技術(shù)實(shí)現(xiàn)的核心，是大腦主控中心。 要想成功生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，必須要經(jīng)過濕洗、光刻、離子注入、干/濕刻蝕、等離子沖洗、快速熱退火、熱氧化、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、分子束外延、電鍍處理、化學(xué)機(jī)械處理、晶圓打磨和晶圓測試等過程，完成后再封裝和成品測試。 芯片的加工制造，流程復(fù)雜，標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格。沒有強(qiáng)大的技術(shù)背景做支撐，是無法成功實(shí)現(xiàn)芯片加工的。正所謂沒有金剛鉆，不攬瓷器活。 光刻，是芯片制造中難度最大、耗時最久的工藝，成本超過整個芯片生產(chǎn)成本的30%，它也是我國高端芯片制造急需解決的主要問題之一。因?yàn)樯形赐耆莆?4nm以下芯片制造的核心技術(shù)，芯片加工只能依靠代工(光刻設(shè)備和光刻材料一直是被國外壟斷的)。 最近的華為芯片“斷供”，就是源于荷蘭ASML光刻機(jī)，特別是EUV設(shè)備，一直是世界技術(shù)壟斷的，如果不能突破這些技術(shù)，我們將受制于人。為了不被卡脖，我國光刻領(lǐng)域的科技公司---華卓精科，傳來了一個喜人的消息：華卓精科突破了光刻機(jī)雙工件的核心技術(shù)，打破ASML光刻機(jī)在工件臺上的全球技術(shù)壟斷，成為世界第二家掌握雙工件核心技術(shù)的科技公司，并且部分技術(shù)和設(shè)備已經(jīng)達(dá)到世界領(lǐng)先水平。我國的科技公司，能夠打破ASML光刻機(jī)部分的技術(shù)壟斷，實(shí)乃振奮人心。 除了光刻機(jī)是核心要素之外，光刻機(jī)加工所必需的重要材料，光刻膠，也是制勝關(guān)鍵。 什么是光刻膠呢?光刻膠是一種對光敏感的混合液體，由光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、樹脂、單體、溶劑和其他助劑組成，又稱光致抗蝕劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，通過曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰涛g的細(xì)微圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工硅基片上。光刻膠的作用，除了提高加工精度，它還可以保護(hù)硅基材免受腐蝕，阻止離子影響。 按照曝光光源的波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠(300-450nm)、深紫外光刻膠(DUV，160-280nm)、極紫外光刻膠(EUV，13.5nm)、X射線光刻膠等。通常情況下，在使用相同工藝方法的情況下，曝光波長越短，加工分辨率越好。 從產(chǎn)業(yè)分類上，目前半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠，包括g線、i線、KrF、ArF等，其中g(shù)線、i線是最常見的，用量較大的比較低端的光刻膠。而KrF、ArF等則是比較高端，且光刻分辨率較高的光刻膠，基本被國外壟斷。 目前，全球光刻膠主要生產(chǎn)企業(yè)有日本合成橡膠JSR、東京應(yīng)化TOK、富士電子、信越化學(xué)、美國羅門哈斯等，集中度非常高，主要是日本和美國企業(yè)，所占市場份額超過85%?？v觀近兩年全球半導(dǎo)體光刻膠市場，市場份額基本被日本廠商所占據(jù)，市占率約為70%。 據(jù)了解，我國半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)和研發(fā)的企業(yè)主要有6家，分別為南大光電、蘇州瑞紅、北京科華、強(qiáng)力新材、容大感光、上海新陽等。國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠廠商的市場份額，僅有2%左右，且還集中在技術(shù)水平相對較低的g線和i線半導(dǎo)體光刻膠。對于高端光刻膠(高分辨率)，它是半導(dǎo)體化學(xué)品中技術(shù)壁壘最高的材料，目前基本被國外壟斷。我國的半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)發(fā)展，任重而道遠(yuǎn)。 雖然被壟斷，但是我們還是在逆境中前行。不止光刻機(jī)，國產(chǎn)芯片又獲新突破。近日，在南大光電的互動平臺上得知，南大光電研發(fā)制造的應(yīng)用于7nm工藝的ArF光刻膠技術(shù)已通過客戶測試，進(jìn)入批量生產(chǎn)和銷售階段。這一信息，意味著我國的南大光電，7nm ArF光刻膠技術(shù)，成功打破了日本、美國的壟斷，不再受制于人。 從市場角度來看，光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潛力巨大，尤其是國內(nèi)。據(jù)預(yù)測，半導(dǎo)體光刻膠在2020年國內(nèi)市場規(guī)模將會超過16億美元(約112億元)，其中2020年EUV光刻膠的市場規(guī)模將會超過1000萬美元(約7000萬元)。未來幾年，EUV光刻膠年平均增長率將達(dá)到50%以上。

    半導(dǎo)體 7nm 光刻膠 半導(dǎo)體

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