韓國三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM,將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓,以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。報(bào)導(dǎo)指出,三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(
Crossing Automation日前宣布,它已經(jīng)完成了法律程序,收購商Asyst Technologies的大氣晶圓處理和知識(shí)產(chǎn)權(quán),包括分類器產(chǎn)品線, EFEM (設(shè)備前端模塊)和load port和RFID產(chǎn)品。當(dāng)收購?fù)瓿珊?,?zhí)行主席Robert MacKnig
1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,MOSFET中的低頻噪聲,尤其是較高頻率的1/f噪聲,是模擬和射頻電路應(yīng)用中人們關(guān)注的重要因素。此外,隨著器件特征尺寸的縮小,1/f噪聲會(huì)大大增加[參考文獻(xiàn)
在近日于美國舉行的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預(yù)測。在專題演說中,SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告,NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”,主要是因?yàn)槭袌霎a(chǎn)能供應(yīng)
SUSS MicroTec是半導(dǎo)體業(yè)界創(chuàng)新工藝和測試方案提供商。SUSS MicroTec向日本發(fā)運(yùn)了一臺(tái)LithoPack300光刻一體機(jī),用于三維集成技術(shù)開發(fā),并已成功安裝。該一體機(jī)擁有涂膠、烘烤、曝光、顯影模塊,可用于最大直徑為300毫
在近日于美國舉行的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預(yù)測。在專題演說中,SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告,NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”,主要是因?yàn)槭袌霎a(chǎn)能供應(yīng)
(上海,2009 年 8 月 25 日)康耐視公司(納斯達(dá)克代碼:CGNX)為太陽能電池制造過程提供新的檢測解決方案,進(jìn)一步擴(kuò)展了檢測范圍。新型VisionPro?太陽能工具箱中包括預(yù)配置的軟件工具,用于光電 (PV) 太陽能生產(chǎn)中
在近日于美國舉行的快閃記憶體高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預(yù)測。在專題演說中,SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告,NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”,主要是因?yàn)槭袌霎a(chǎn)
1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,MOSFET中的低頻噪聲,尤其是較高頻率的1/f噪聲,是模擬和射頻電路應(yīng)用中人們關(guān)注的重要因素。此外,隨著器件特征尺寸的縮小,1/f噪聲會(huì)大大增加[參考文獻(xiàn)
得可進(jìn)一步擴(kuò)展高速的植球能力,已獲認(rèn)可的DirEKt Ball Placement™ 工藝現(xiàn)能以300微米細(xì)距精準(zhǔn)地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過良率實(shí)現(xiàn)這一精確性和精密度的能力,DirEKt植球?yàn)楝F(xiàn)代
2009、2010年對美光而言,最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程,大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅,且同時(shí)也需要龐大的資金挹注,才能完成整個(gè)轉(zhuǎn)換過程。 美光分析,在50納米制程上,預(yù)計(jì)每