長久以來,中國半導體設備廠都被國外產商壓制,無論是從技術層面還是市場空間都遠不及國外大廠。中美貿易戰(zhàn)爆發(fā)之后,中興和福建晉華被美國實施禁售令,這才讓一直依賴外國科技的中國意識到了自主創(chuàng)新的重要性。也因此,國內的半導體設備廠迎來了發(fā)展的最好時期。
希捷科技近日宣布其已成功在美國明尼蘇達州諾曼戴爾 (Normandale) 的晶圓工廠,首次部署深度學習制造計劃。希捷內部將此計劃命名為“雅典娜計劃 ”(Project Athena) ,借由打造務實可行的人工智能 (AI) 平臺,能更快地處理異常及生產過程的問題,不僅耗費成本低于以往,更可大幅減少制程所需的無塵室投資達20%,并降低生產流程中10%的投注時間。希捷預期在效率與生產質量提升后,投資報酬率能提升三倍。
據遼寧科技廳消息,近年來,遼寧大力發(fā)展招才引智工作,且在集成電路領域頗見成效。
在全球半導體產業(yè)增速放緩的背景下,作為國內半導體產業(yè)鏈發(fā)展較為領先的一環(huán),國內封測產業(yè)最早實現突破,技術成熟度較高,市場競爭也日漸激烈,國內封測上市公司綜合毛利率大多在10%-20%之間。
全球最大半導體薄化代工廠昇陽半 3 月營收創(chuàng)高,達 2.16 億元,月成長 20.95% ,年成長 39.09% ,累計第一季營收年成長為 28.57% ;昇陽半自去年下半年以來,隨著產能開出,營收持續(xù)墊高,而在新項目陸續(xù)加入后,第二季營收可望再向上。
晶圓代工大廠臺積電3日宣布,5納米制程已進入試產階段,在開放創(chuàng)新平臺下,推出 5 納米架構的完整版本,協助客戶實現支持下一代先進移動、及高效能運算應用產品的 5 納米系統單芯片設計,目標鎖定具高成長性的 5G 與人工智能市場。
在當前全球晶圓制造的先進制程領域中,只剩下臺積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經宣布量產 7 納米 EUV 制程,但實際情況并非如此。因為,就連三星自己的 Exynos 9820 處理器都沒用上 7 納米 EUV 制程,這是因為三星的 7 納米工廠過去一直都沒完成。直到日前,三星提交的報告顯示,他們投資 13 億美元的華城生產線已經完成建設工作,三星的 7 納米 EUV 制程現在才算真正進入量產。
4月1日,模擬IC廠商達爾科技Diodes官網宣布,已完成對德州儀器位于蘇格蘭格里諾克的晶圓制造廠和運營部門(GFAB)的收購。
市場上普遍認為,MOSFET在2019年價格預估有開始衰退的可能,其原因來自全球MOSFET需求吃緊狀況減緩,以及中國自有12英寸廠功率半導體的逐步放量。
3月31日,晶圓代工大廠中芯國際發(fā)布公告,宣布將以112,816,089美元的價格出售其持有的意大利工廠LFoundry的股權。而接盤方則是中科君芯。
多家半導體廠商預期,半導體景氣可望在本季脫離谷底。包括臺積電、旺宏、環(huán)球晶、南亞科、京鼎和崇越電等多家晶圓制造廠、半導體材料和設備廠都認為下半年需求將回升,帶動整體半導體產業(yè)脫離低迷景氣,逐步攀升。
在半導體設計、制造及封測三大領域中,國內公司最薄弱的環(huán)節(jié)是半導體制造,目前英特爾、三星、臺積電三大公司的制造工藝已經微縮到了14nm、10nm及7nm節(jié)點,國內最大的晶圓代工廠中芯國際目前量產的最先進
近日,SK海力士二工廠項目35億美元銀團貸款簽約儀式在無錫舉行,此次貸款的銀團由國開行牽頭,農行、建行、中行、工行、進出口等銀行參與。
消息,近日,Soitec在北京舉辦中國市場戰(zhàn)略調整計劃發(fā)布會,發(fā)布了中國市場發(fā)展新戰(zhàn)略。面對5G和人工智能市場需求,Soitec承諾將繼續(xù)加強本地化支持,直接面向中國客戶,助力中國半導體生態(tài)系統。So
AI和5G等新技術的發(fā)展,其中芯片技術是核心的內容。SEMICON China 2019期間特別舉辦了“2019新技術發(fā)布會”。繼2018年首屆成功舉辦以后,今年的發(fā)布會分為2個主題:封裝測試技術專場、晶圓制造及材料技術專場。來自半導體產業(yè)鏈的12家公司發(fā)布了最新的產品和技術,與現場觀眾零距離交流。
臺積電南科18廠今(22)日上午傳出工人墜樓意外,雖緊急送醫(yī)仍不幸死亡,臺積電指出,目前已停工厘清事件發(fā)生原因,預計在下周一恢復施工,至于后續(xù)全力協助處理。
此次戰(zhàn)略合作協議的簽署是否意味著富士康建設半導體工廠的部署將會很快來臨?
晶圓代工龍頭臺積電支援極紫外光(EUV)微影技術的7+納米進入量產階段,競爭對手韓國三星晶圓代工(Samsung Foundry)亦加快先進制程布局,包括8納米及7納米邏輯制程進入量產后,今年將推進至采用EUV技術的5/4納米,以及支援嵌入式磁阻隨機存取存儲器(eMRAM)的28納米全耗盡型絕緣層上覆硅(FD-SOI)制程進入量產,并會在今年推進至18納米。
據國外媒體報道,集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新調查顯示,2019年Q1,由于市場供過于求,DRAM產業(yè)的大部分交易已改為月結價(Monthly Deals),價格也在2月份出現大幅下滑,季度降幅已從最初估計的25%調整至近30%,這將是自2011年以來單季最大跌幅。