晶片

聯(lián)發(fā)科5G晶片 估Q2量產(chǎn)

聯(lián)發(fā)科過(guò)去十多年來(lái)在全球手機(jī)晶片市場(chǎng)有相當(dāng)?shù)恼加新驶A(chǔ)上，展現(xiàn)高度且精準(zhǔn)的研發(fā)實(shí)力，在5G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)討論初期就參與5G標(biāo)準(zhǔn)制訂，如今成為全球5G技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的貢獻(xiàn)者之一。聯(lián)發(fā)科更積極爭(zhēng)取3GPP大會(huì)于2019年1月21日到臺(tái)灣舉辦，促進(jìn)全球5G依共同標(biāo)準(zhǔn)順利發(fā)展，共同見(jiàn)證5G技術(shù)發(fā)展的重要時(shí)刻。

理解倒裝芯片和晶片級(jí)封裝技術(shù)及其應(yīng)用

1 引言半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能,這一集成規(guī)模在幾年前是無(wú)法想象的。因此,如果沒(méi)有IC封裝技術(shù)快速的發(fā)展，不可能實(shí)現(xiàn)便攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品小型化和更輕、更薄發(fā)展趨勢(shì)的推動(dòng)下

倒裝晶片貼裝設(shè)備

倒裝晶片（Flip Chip）貼裝屬于先進(jìn)半導(dǎo)體組裝（Advanced Semiconductor Assembly），常見(jiàn)的應(yīng)用有無(wú)線(xiàn)天線(xiàn)、藍(lán)牙、硬盤(pán)磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫(yī)用高精密設(shè)備等。由于半導(dǎo)體元件的尺寸小，引腳的間距小，

倒裝晶片裝配對(duì)助焊劑應(yīng)用單元的要求

助焊劑應(yīng)用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分，其工作的基本原理就是要獲得設(shè)定厚度的穩(wěn)定的助焊劑薄 膜，以便于元件各焊球蘸取的助焊劑的量一致。我們以環(huán)球儀器公司獲得專(zhuān)利的助焊劑薄膜應(yīng)用單元（Linear Thin F

倒裝晶片的組裝基板的設(shè)計(jì)及制造

基板技術(shù)是倒裝晶片工藝需要應(yīng)對(duì)的最大挑戰(zhàn)。因?yàn)槌叽绾苄。ㄐ〉脑?，小的球徑，小的球間距，小的貼裝 目標(biāo)），基板的變動(dòng)可能對(duì)制程良率有很大影響：·密間距貼裝良率極易受限于阻焊膜和焊盤(pán)的尺寸公差；·由于尺寸

PCB倒裝晶片對(duì)照相機(jī)和影像處理技術(shù)的要求

倒裝晶片的組裝工藝流程

1．一般的混合組裝工藝流程在半導(dǎo)體后端組裝工廠(chǎng)中，現(xiàn)在有兩種模塊組裝方法。在兩次回流焊工藝中，先在單獨(dú)的SMT生產(chǎn)線(xiàn)上組裝SMT 元件，該生產(chǎn)線(xiàn)由絲網(wǎng)印刷機(jī)、芯片貼裝機(jī)和第一個(gè)回流焊爐組成。然后再通過(guò)第二條生

SEMI：北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨連兩月下滑 投資步伐放緩

SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))24公布最新Billing Report(出貨報(bào)告)，因半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)需求趨緩，7月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額滑落至23.6億美元，為連續(xù)第二個(gè)月下滑，并創(chuàng)下近8個(gè)月新低。

倒裝晶片的非流動(dòng)性底部填充工藝

非流動(dòng)性底部填充工藝流程如圖1所示，其特點(diǎn)是將底部填充材料在晶片貼裝之前點(diǎn)涂在基板上，然后 在其上貼裝元件，在回流焊接爐內(nèi)同時(shí)完成焊接和填料固化。圖1 非流動(dòng)性底部填充工藝流程圖非流動(dòng)底部填充工藝與傳統(tǒng)底

PCB倒裝晶片裝配對(duì)供料器的要求

倒裝晶片對(duì)照相機(jī)和影像處理技術(shù)的要求

要處理細(xì)小焊球間距的倒裝晶片的影像，需要百萬(wàn)像素的數(shù)碼相機(jī)。較高像素的數(shù)碼相機(jī)有較高的放大倍率， 但像素越高，視像區(qū)域（FOV）越小，這意味著大的元件可能需要多次影像。照相機(jī)的光源一般為發(fā)光二極管 （LED）

倒裝晶片的貼裝工藝控制

由于倒裝晶片韓球及球問(wèn)距非常小，相對(duì)于BGA的裝配，其需要更高的貼裝精度。同時(shí)也需要關(guān)注從晶片被吸 取到貼裝完成這一過(guò)程。在以下過(guò)程中，元件都有可能被損壞：·拾取元件；·影像處理：·助焊劑工藝：·元件調(diào)整

倒裝晶片的底部填充工藝

底部填充工藝就是將環(huán)氧樹(shù)脂膠水點(diǎn)涂在倒裝晶片邊緣，通過(guò)“毛細(xì)管效應(yīng)”，膠水被吸往元件的對(duì)側(cè)完成底 部充填過(guò)程，然后在加熱的情況下膠水固化。為了加快膠水填充的速度，往往還需要對(duì)基板進(jìn)行預(yù)熱。利用“毛 細(xì)管

倒裝晶片的組裝的助焊劑工藝

助焊劑工藝在倒裝晶片裝配工藝中非常重要。助焊劑不僅要在焊接過(guò)程中提供其化學(xué)性能以驅(qū)除氧化物和油污 ，潤(rùn)濕焊接面，提高可焊性，同時(shí)需要起到黏接劑的作用。在元件貼裝過(guò)程中和回流焊接之前黏住元件，使其固 定在

倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝

在回流焊接爐中，倒裝晶片和其他元件要被焊接在基板上。在此過(guò)程中，如果加熱的溫度太高，或者時(shí)間太長(zhǎng) ，助焊劑便會(huì)在潤(rùn)濕整個(gè)焊接面之前揮發(fā)或分解完，造成潤(rùn)濕不良或其他焊接缺陷。另外，在復(fù)雜的混合裝配中 ，大

倒裝晶片裝配對(duì)板支撐及定位系統(tǒng)的要求

有些倒裝晶片應(yīng)用在柔性電路板或薄型電路板上，這時(shí)候?qū)宓钠秸畏浅ｊP(guān)鍵。解決方案往往會(huì)用到載 板和真空吸附系統(tǒng)，以形成一個(gè)平整的支撐及精確的定位系統(tǒng)，滿(mǎn)足以下要求：①基板Z方向的精確支撐控制，支撐高

倒裝晶片的定義

什么元件被稱(chēng)為倒裝晶片（FC）？一般來(lái)說(shuō)，這類(lèi)元件具備以下特點(diǎn)。①基材是硅；②電氣面及焊凸在元件下表面；③球間距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸為1～27 mm；④組裝在基板后需要做底部填充

倒裝晶片的回流焊接及填料固化后的檢查

對(duì)完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查，非破壞性的檢查有：·利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行外觀(guān)檢查，譬如，檢查填料在元件側(cè)面爬升的情況，是否形成良好的邊緣圓角，元件表面 是否有臟污等；·利用X射線(xiàn)檢

倒裝晶片裝配對(duì)供料器的要求

要滿(mǎn)足批量高速高良率的生產(chǎn)，供料技術(shù)也相當(dāng)關(guān)鍵。倒裝晶片的包裝方式主要有2×2和4×4 in JEDEC盤(pán)， 20O mm或300 mm晶圓盤(pán)（Wafer），還有卷帶料盤(pán)（Reel）。對(duì)應(yīng)的供料器有：固定式料盤(pán)供料器 （Stationarytray f

倒裝晶片的組裝焊接完成之后的檢查

焊接完成之后我們可以對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行一些非破壞性的檢查，譬如，利用X射線(xiàn)檢焊點(diǎn)是否橋連、開(kāi)路，焊點(diǎn)內(nèi)是 否有空洞，以及潤(rùn)濕情況，還可以進(jìn)行電氣測(cè)試。由于此時(shí)還未完成底部填充，不便進(jìn)行機(jī)械測(cè)試和熱循環(huán)及老 化測(cè)試