碳化硅

第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設備需求，供應鏈與服務本地化成關(guān)鍵考量

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢壘二極管提供更快的開關(guān)和更高的效率

極快和低損耗的開關(guān)非常適合數(shù)據(jù)中心、樓宇自動化和其他高功率電子應用

東芝的碳化硅功率模塊新技術(shù)提高了可靠性的同時減小了尺寸

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，開發(fā)了用于碳化硅（SiC）功率模塊的封裝技術(shù)，能夠使產(chǎn)品的可靠性提升一倍[1]，同時減少20%的封裝尺寸[2]。與硅相比，碳化硅可以實現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料...

東芝新款高壓MOSFET，碳化硅功不可沒

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）眾所周知，硅元素因其獨特的穩(wěn)定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導體材料的不斷發(fā)展，越來越多的化合物半導體材料走上歷史舞臺。近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料正憑借其優(yōu)越的性能...

科普｜碳化硅芯片怎么制造？

芯片是如何制造的？網(wǎng)絡熱議的碳化硅芯片與傳統(tǒng)硅基芯片有什么區(qū)別？為大家解開謎團，走進神秘的芯片世界?？苿?chuàng)中心先進半導體研究院特別推出的一支科普宣傳片，讓你四分鐘，做個芯片通！碳化硅來了！寬禁帶半導體材料開啟新時代以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，突破原有半導體材料在大功率...

碳化硅如何為電機驅(qū)動賦能

點擊藍字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！前言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太...

東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應用（包括大容量電源），將于今日開始出貨。該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的...

碳化硅邁入新時代ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。

極端溫度半導體解決方案供應商CISSOID授權(quán)世強硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品

7月，來自比利時的高溫半導體解決方案供應商CISSOID正式與世強硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。

UnitedSiC 推出第二版FET-Jet Calculator

該在線電源設計工具的增強型功能使確定最優(yōu)SiC FET設計解決方案更加容易

吉利汽車集團與羅姆半導體集團締結(jié)以碳化硅為核心的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

加速汽車領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，助力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍

擴產(chǎn)能，降成本！意法半導體制造首批200mm碳化硅晶圓

晶圓升級到200mm標志著擴大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計劃取得階段性成功！

意法半導體制造首批200mm碳化硅晶圓

晶圓升級到 200mm標志著擴大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計劃取得階段性成功

快充僅是第三代半導體應用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

眾所周知，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。

華為哈勃投資天域半導體：發(fā)力第三代半導體材料碳化硅

除了投資“芯片之母”EDA企業(yè)，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導體科技有限公司，后

Microchip與貿(mào)澤合作推出新電子書探索未來的汽車設計與制造

2021年7月8日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與Microchip Technology合作推出一本新電子書Enabling the Future of Mobility。

雷諾集團與意法半導體達成電力電子戰(zhàn)略合作

2021 年 6 月 30 日——雷諾集團和意法半導體宣布戰(zhàn)略合作，意法半導體為雷諾集團設計、開發(fā)、制造和供應純電動汽車和混動汽車電力電子系統(tǒng)所用芯片和相關(guān)封裝解決方案。

UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET

2021年5月20日，美國新澤西州普林斯頓 --- 全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品。

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用

國際能源署(IEA)估計，電機功耗占世界總電力的45%以上。