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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應先進功率半導體
這項棕地投資將為當?shù)貛砀吣苄酒圃炷芰?，助力電氣化、可再生能源和人工智能的未來發(fā)展
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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
摘要：本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學模型，根據(jù)Vth 選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。測試結果表明，根據(jù)閾壓為模塊選擇適合的裸片可以優(yōu)化散熱性能，減少熱失衡現(xiàn)象。
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意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地,在園區(qū)內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進程和高能效轉型
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吉利汽車與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，深化新能源汽車轉型;成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，推動雙方創(chuàng)新合作
2024年6月4日，中國北京--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、高級駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關領域的創(chuàng)新解決方案。
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術的持續(xù)發(fā)展
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英飛凌為小米SU7智能電動汽車供應多款產(chǎn)品
【2024年5月6日，德國慕尼黑和中國上海訊】作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布將為小米汽車最新發(fā)布的SU7智能電動汽車供應碳化硅（SiC）HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM功率模塊及芯片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌的CoolSiC功率模塊可適應更高的工作溫度，從而實現(xiàn)一流的性能、駕駛動力和壽命。例如，基于該技術的牽引逆變器可進一步增加電動汽車續(xù)航里程。HybridPACK Drive是英飛凌市場領先的電動汽車功率模塊系列，自2017年以來已累計出貨近850萬顆。
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安森美2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動
5城巡回研討會, 安森美全面解讀碳化硅方案在汽車和工業(yè)領域的10+趨勢性縱深應用
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仿真微調：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領域，精度至關重要。仿真結果的真實性取決于各個器件所采用模型的準確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預測的可靠性與模型的精度密切相關。老話說得好，“垃圾進，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
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Microchip推出集成作動電源解決方案旨在簡化航空業(yè)向多電飛機轉型
Microchip 推出可配置的配套驅動板系列，使用基于碳化硅(SiC)或硅 (Si)技術的混合功率驅動模塊
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意法半導體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用，用于高效率可靠的服務器電源供應器設計及應用
結合ST第三代碳化硅金屬氧化物半導體場效晶體管、STGAP隔離驅動器和STM32微控制器技術，此圖騰柱無橋式功率因數(shù)修正器(PFC)解決方案為一個即插即用的解決方案，滿足數(shù)據(jù)中心之高階服務器和電信通訊電源設計的需求
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導體器件得益于其較低的開關損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應用。
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應用中，其中包括電路保護領域。本文將回顧該領域的發(fā)展，同時比較機械保護和使用不同半導體器件實現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
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意法半導體隔離柵極驅動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶
STGAP系列隔離柵極驅動器具有穩(wěn)健性能、簡化設計、節(jié)省空間和高可靠性的特性
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安森美公布2023年第四季度及全年業(yè)績
2023年汽車業(yè)務收入創(chuàng)紀錄，同比增長29%
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英飛凌與Wolfspeed擴展并延長多年期 150mm 碳化硅晶圓供應協(xié)議
【2024年1月26日，德國慕尼黑和美國北卡羅來納州達勒姆訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球碳化硅技術領域的領導者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。經(jīng)過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產(chǎn)能預訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產(chǎn)品日益增長的需求。
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致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術，提高新能源汽車電動空調壓縮機控制器能效
提升電動汽車夏冬續(xù)航里程，降低整車擁有成本
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意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場
2023年12月22日，中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。
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碳化硅在電子器件中的應用如何？有何特點？
在這篇文章中，小編將對碳化硅材料的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。
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碳化硅材料具有哪些特點？未來發(fā)展如何？
一直以來，碳化硅材料都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)硖蓟璨牧系南嚓P介紹，詳細內容請看下文。
