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聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)
聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)
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本土IC廠商生存空間令人堪憂
近來中國IC市場的最重磅新聞要屬“大小M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體（MStar）宣布合并?！癕兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設(shè)計公司帶來很大的競爭壓力，而原本就缺資金、缺平
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案
富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設(shè)計之“渴” 近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并?！癕兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸
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AFM：應(yīng)對65nm以下測量技術(shù)挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體工業(yè)目前已經(jīng)進(jìn)入65納米及以下技術(shù)時代，關(guān)鍵特征通常為納米級，如此小特征的制造工藝要求特殊的測量儀器，以便能夠表征出納米級幾何尺寸，從而檢驗出任何偏離工藝規(guī)格中心值的情況，確保與設(shè)計規(guī)格保持一致。
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低功耗器件的“設(shè)計時測試”方法
在65nm制造工藝條件下，依靠電池供電的器件正在大量出現(xiàn)。這種先進(jìn)的工藝技術(shù)使得新器件較前代工藝的同類器件具有很多改進(jìn)。采用65nm工藝之后，設(shè)計人員可以在一塊單獨(dú)的裸片上集成遠(yuǎn)多于過去的晶體管，還可以在器件
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IC裝備專項支撐IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備，掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的成套先進(jìn)工藝及相關(guān)新材料技術(shù)，打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進(jìn)口的狀況，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)
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英飛凌推出第一代65nm嵌入式快閃安全芯片
英飛凌推出第一代65nm嵌入式快閃安全芯片
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英飛凌展出65nm嵌入式閃存微控制器
英飛凌科技股份公司近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存（eFlash）微控制器（MCU）樣品。這是英飛凌和臺積電（TSMC）于2009年開始共同開發(fā)及生產(chǎn)65 納米 eFlash MCU的結(jié)果。 首款批量生產(chǎn)的產(chǎn)品
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聯(lián)華電子與賽普拉斯宣布65nm SONOS工藝
聯(lián)華電子與賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress)日前共同宣佈，雙方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅-氧-氮化硅-氧-硅)快閃記憶體技術(shù)，成功產(chǎn)出了有效硅晶片(working silicon)。聯(lián)華電子將採用此
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Kilopass把單次可編程型NVM專利授權(quán)給中芯國際
非易失性存儲芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布，將把自己一項有關(guān)單次可編程型NVM產(chǎn)品專利授權(quán)給中芯國際使用，中芯國際將使用55nm制程技術(shù)制造使用這項專利技術(shù)的NVM存儲芯片。Kilopass同時表示，他們已經(jīng)成
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臺積電擴(kuò)大向中砂購料
〔記者高嘉和／臺北報導(dǎo)〕法人圈傳出，臺積電（2330）將大量采用本土廠商已通過驗證的耗材原料，原有供應(yīng)臺積電鉆石碟及再生晶圓的中砂（1560）受益最多，下半年中砂營運(yùn)將因此有爆炸性演出。 中砂三大主力產(chǎn)品依
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“65nm之后將推進(jìn)28nm”——FPRG制造商萊迪思加快微細(xì)化進(jìn)程
Billerbeck介紹Lattice Semiconductor公司業(yè)務(wù)戰(zhàn)略（點(diǎn)擊放大） 2011年5月24日，美國萊迪思半導(dǎo)體公司（Lattice Semiconductor）在東京舉行業(yè)務(wù)說明會，該公司總裁兼首席執(zhí)行官Darin Billerbeck介紹了今后的發(fā)展戰(zhàn)
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聯(lián)芯詳解技術(shù)演進(jìn)路線給力后續(xù)發(fā)展
4月25日下午消息在日前舉行的“TD-SCDMA/LTE芯片及終端產(chǎn)業(yè)高峰論壇（上海）暨聯(lián)芯科技2011年度客戶大會”上，聯(lián)芯科技密集推出了三款65nm/55nm的自主研發(fā)TD芯片，覆蓋低成本功能手機(jī)、無線固話、智能終端等多個領(lǐng)域
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02政策專項“給力”國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)
02專項的實(shí)施，對國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)尤其是設(shè)備企業(yè)來說，具有歷史性的意義，因為半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)所需資金數(shù)額巨大，若完全由國內(nèi)企業(yè)自己承擔(dān)，恐怕難以承受其重。02重大專項的實(shí)施，不僅表明國家支持半導(dǎo)體支撐業(yè)
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中國半導(dǎo)體現(xiàn)實(shí)的機(jī)會在成熟工藝
就目前國際半導(dǎo)體制造工藝成熟與否而言，65nm應(yīng)該是個公認(rèn)的分界點(diǎn)，畢竟進(jìn)入65nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)者已大為減少，而以中芯國際為代表的中國半導(dǎo)體制造水平及能力，則剛完成65nm工藝的批量化生產(chǎn)，另一條華力微65nm生產(chǎn)線
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IC裝備專項掌握核心技術(shù)
極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項，簡稱IC裝備專項，屬于電子信息板塊。該專項的主要任務(wù)是實(shí)現(xiàn)IC制造核心裝備和制造工藝的突破，支撐我國IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。IC裝備專項由北京市、上海市牽頭組織實(shí)施，是唯一一個
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賽普拉斯簽署寅通科技 推展130nm和65nm工藝SONOS閃存記憶體方案
賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)今日宣布，該公司已授權(quán)寅通科技股份有限公司(Innopower)推展130納米和65納米的SONOS嵌入式NVM(Non-VolatileMemory)存儲器技術(shù)的IP。根據(jù)授權(quán)協(xié)議，寅通科技（Innopower）
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華為微電子65nm邏輯產(chǎn)品年內(nèi)量產(chǎn)
華力微電子的經(jīng)營管理機(jī)構(gòu)會議經(jīng)研究決定，基于項目設(shè)備安裝調(diào)試進(jìn)度和前期技術(shù)準(zhǔn)備的進(jìn)展，以及2011年產(chǎn)能已全部落實(shí)客戶的情況，項目將于4月初進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段，并在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)模化量產(chǎn)。同時
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華力微電子2011年奮斗目標(biāo)：65nm邏輯產(chǎn)品4月初試產(chǎn)年底量產(chǎn)
1月17日，華力微電子的經(jīng)營管理機(jī)構(gòu)會議經(jīng)研究決定，基于項目設(shè)備安裝調(diào)試進(jìn)度和前期技術(shù)準(zhǔn)備的進(jìn)展，以及2011年產(chǎn)能已全部落實(shí)客戶的情況，項目將于4月初進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段，并在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)?；?/p>
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中芯國際獲得大量訂單 透露發(fā)展計劃
業(yè)內(nèi)消息，中芯國際近期獲得了大量訂單，這些訂單主要來自國際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。消息指出，中芯國際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價格。相比之下，臺積電和
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