65NM

中芯國(guó)際65nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 45nm研發(fā)進(jìn)展順利

10月27日于北京舉行的中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)傳出消息，中芯國(guó)際的65nm邏輯Low-Leakage工藝已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，明年第3－4季度，45nm工藝將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在剛剛結(jié)束的08財(cái)年第3季度，中芯國(guó)際來自國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司的銷售額較上季度增

中芯國(guó)際技術(shù)進(jìn)展順利 Q3營(yíng)收預(yù)期增長(zhǎng)5-8％

中芯國(guó)際繼武漢、深圳12寸廠分別進(jìn)入營(yíng)運(yùn)、建地的好消息后，目前又傳出與IBM45nm制程技術(shù)轉(zhuǎn)移十分順利，未來在45nm領(lǐng)域有信心緊追領(lǐng)先業(yè)者，同時(shí)基于客戶需求將進(jìn)一步向半世代的40nm制程技術(shù)延伸。 目前中芯在上海8

中芯國(guó)際計(jì)劃2011年推出32納米制程工藝

10月8日消息，中芯國(guó)際公司近日透露，該公司計(jì)劃于2011年內(nèi)推出32納米制程,有可能采取與IBM的技術(shù)轉(zhuǎn)移與合作方式，但未披露詳細(xì)情況。中芯國(guó)際還重申其2008年第三季度營(yíng)收目標(biāo)維持不變，預(yù)期將增長(zhǎng)5-8%。中芯國(guó)際繼武

采用65nm工藝的SH7786雙核處理器（瑞薩）

采用65nm工藝的SH7786雙核處理器（瑞薩）

IC業(yè)在拐點(diǎn)生存

摘要：分析了IC業(yè)的眾多特點(diǎn)，例如從90nm向65nm、45nm、32nm、22nm等拐點(diǎn)演進(jìn)的困難，以及ESL、DFM拐點(diǎn)，制造是設(shè)計(jì)的拐點(diǎn)，F(xiàn)PGA與ASIC之間的拐點(diǎn)等熱門問題。 關(guān)鍵詞：EDA；65nm；45nm；22nm；光刻在IC(集成電路

臺(tái)聯(lián)電投產(chǎn)65nm嵌入式DRAM

臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電(UMC)宣稱基于公司專利技術(shù)的65nm嵌入式DRAM已經(jīng)投產(chǎn)。UMC的嵌入式DRAM技術(shù)稱為URAM，是公司擁有IP的存儲(chǔ)技術(shù)之一。該技術(shù)應(yīng)用很廣，可用于通信、圖形成像和存儲(chǔ)器件等。 據(jù)稱URAM的尺寸僅

聯(lián)電公布技術(shù)發(fā)展圖 質(zhì)疑450mm晶圓可行性

在設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議（DesignAutomationConference，DAC）上，臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電（UMC）公布了公司的工藝發(fā)展路線圖，并宣布與EDA">EDA領(lǐng)域形成聯(lián)盟關(guān)系。 與代工龍頭廠商臺(tái)積電（TSMC）不同，全球第二大代工廠商聯(lián)電

首款采用65nm制造工藝的SPEAr定制芯片（ST）

首款采用65nm制造工藝的SPEAr定制芯片（ST）

首款采用65nm制造工藝的SPEAr定制芯片（ST）

首款采用65nm制造工藝的SPEAr定制芯片（ST）

首款采用65nm制造工藝的SPEAr定制芯片（ST）

首款采用65nm制造工藝的SPEAr定制芯片（ST）

打造民族半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)堅(jiān)持走國(guó)際化道路

HDMI 65nm IP 解決方案（MIPS）

MIPS 科技公司推出用于高清多媒體接口（HDMI）的業(yè)界首款 65nm IP 產(chǎn)品。