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中芯國(guó)際獲得大量訂單 透露發(fā)展計(jì)劃
中芯國(guó)際近期獲得了大量訂單，這些訂單主要來(lái)自國(guó)際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。消息指出，中芯國(guó)際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價(jià)格。相比之下，臺(tái)積電和聯(lián)華電子
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中芯國(guó)際獲得大量訂單
業(yè)內(nèi)消息，中芯國(guó)際近期獲得了大量訂單，這些訂單主要來(lái)自國(guó)際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。 消息指出，中芯國(guó)際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價(jià)格。相比之下，臺(tái)積電和
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中芯國(guó)際獲得大量訂單 透露發(fā)展計(jì)劃
業(yè)內(nèi)消息，中芯國(guó)際近期獲得了大量訂單，這些訂單主要來(lái)自國(guó)際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。消息指出，中芯國(guó)際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價(jià)格。相比之下，臺(tái)積電和
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中芯國(guó)際獲得大量訂單 透露發(fā)展計(jì)劃
業(yè)內(nèi)消息，中芯國(guó)際近期獲得了大量訂單，這些訂單主要來(lái)自國(guó)際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。 消息指出，中芯國(guó)際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價(jià)格。相比之下，臺(tái)積
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Microsemi發(fā)布65nm嵌入式閃存工藝平臺(tái)
美高森美(Microsemi) 的SoC產(chǎn)品部(原Actel公司)11月17日于北京發(fā)布了65nm嵌入式閃存工藝平臺(tái)。“這是與臺(tái)聯(lián)電(UMC)合作開(kāi)發(fā)的，今后將成為我們低功耗、具有四輸入查找表(LUT)架構(gòu)FPGA的統(tǒng)一平臺(tái)。適于工業(yè)、醫(yī)療、軍
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中國(guó)大陸一次流片成功率高
“今年TSMC資本支出將達(dá)60億美元，其中8億美元集中在研發(fā)，50多億美元的支出主要用于擴(kuò)充先進(jìn)工藝和成熟工藝的產(chǎn)能。因先進(jìn)工藝設(shè)備比較貴，所以支出占比較大?！盩SMC(臺(tái)積電)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球在ICCAD20
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中國(guó)大陸一次流片成功率高
-預(yù)計(jì)明年第二季度代工需求會(huì)有很大的反彈-中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)在三方面有發(fā)展?jié)摿Γ簶?biāo)準(zhǔn)、內(nèi)需市場(chǎng)、系統(tǒng)公司“今年TSMC資本支出將達(dá)60億美元，其中8億美元集中在研發(fā)，50多億美元的支出主要用于擴(kuò)充先進(jìn)工藝和成熟工藝
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國(guó)產(chǎn)65nm大角度離子注入機(jī)進(jìn)入晶圓生產(chǎn)線
由北京中科信電子裝備有限公司自主研發(fā)的300mm/65nm大角度離子注入機(jī)進(jìn)入中芯國(guó)際(北京)集成電路制造有限公司，開(kāi)始接受國(guó)際主流生產(chǎn)線的技術(shù)測(cè)試與器件工藝檢驗(yàn)，為這一國(guó)產(chǎn)集成電路制造裝備實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)跨越作最后
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Microsemi與UMC合作發(fā)布65nm嵌入式快閃平臺(tái)
美高森美公司宣布其旗下SoC產(chǎn)品部門發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺(tái)。美高森美和臺(tái)灣聯(lián)華電子公司是首批推出65nm嵌入式快閃工藝的企業(yè)，公司內(nèi)部已經(jīng)完成首個(gè)商業(yè)化硅器件。 采用65nm嵌入式快閃工藝，相比前一代產(chǎn)品，器
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國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)首次進(jìn)入300mm晶圓生產(chǎn)線
由北京中科信電子裝備有限公司自主研發(fā)的300mm/65nm大角度離子注入機(jī)進(jìn)入中芯國(guó)際(北京)集成電路制造有限公司，開(kāi)始接受國(guó)際主流生產(chǎn)線的技術(shù)測(cè)試與器件工藝檢驗(yàn)，為這一國(guó)產(chǎn)集成電路制造裝備實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)跨越作最后
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Microsemi發(fā)布65nm工藝基于FLASH的FPGA平臺(tái)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布，旗下SoC產(chǎn)品部門(原為愛(ài)特公司Actel Corporation)發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺(tái)，以用于構(gòu)建公司下一代基于快閃的可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(system-on-chip, SoC)。美高森美的低功耗
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Synopsys和中芯國(guó)際合作推出65nm到40nm的SoC設(shè)計(jì)解決方案
SoC 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的供應(yīng)商新思科技有限公司和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司近日宣布已正式提供用于中芯國(guó)際先進(jìn)65-nm工藝的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）綜合設(shè)計(jì)解決方案。該解決方案
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Synopsys為中芯國(guó)際設(shè)計(jì)65nm芯片
全球軟件和半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的領(lǐng)軍企業(yè)美國(guó)新思科技（Synopsys）公司和中芯國(guó)際[0.60 0.00%]集成電路制造有限公司今天宣布，將為中芯國(guó)際集成電路制造有限公司的65納米系統(tǒng)芯片（SOC）的設(shè)計(jì)提供全面解決方案。 這
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Synopsys 和中芯國(guó)際合作推出65nm 到40nm 的 SoC 設(shè)計(jì)解決方案
編者點(diǎn)評(píng)：近期報(bào)道中芯國(guó)際的消息越來(lái)越多，反映它正在變化，是十分可喜的。然而中芯國(guó)際的發(fā)展與壯大要靠天時(shí)，地利及自身的努力。所謂天時(shí)指全球代工的大勢(shì)。地利是指中國(guó)政府在資金，政策等方面的支持。能否滿足
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車用NOR 閃存裝置（美光科技）
美光科技（Micron Technology, Inc. ）宣布推出面向汽車應(yīng)用的高密度 Axcell™ NOR 閃存裝置，強(qiáng)化其在汽車市場(chǎng)廣泛的產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的技術(shù)。該裝置采用最先進(jìn)的NOR 閃存工藝技術(shù)，為信息娛樂(lè)制造商、車內(nèi)電腦和
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傳資本市場(chǎng)垂青T3G ST-Ericsson對(duì)傳聞不予置評(píng)
10月21日消息 據(jù)知情人士透露，ST-Ericsson將剝離此前完成整合的T3G業(yè)務(wù)，相關(guān)資本財(cái)團(tuán)目前正在進(jìn)行該業(yè)務(wù)的洽談。ST-Ericsson相關(guān)人士在接受通信世界網(wǎng)連線時(shí)表示對(duì)傳聞不予評(píng)論，“公司致力于中國(guó)市場(chǎng)和TD產(chǎn)業(yè)
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美國(guó)再次放寬對(duì)華高技術(shù)產(chǎn)品出口 65nm以下刻蝕設(shè)備不再受限
在SEMI及會(huì)員公司的共同努力下，經(jīng)過(guò)9個(gè)月的等待，美國(guó)聯(lián)邦政府正式實(shí)施放寬刻蝕設(shè)備的出口條件，原來(lái)180nm的技術(shù)審核指標(biāo)被正式放寬到了65nma。
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Cadence劉國(guó)軍：65nm及以下芯片設(shè)計(jì)要破傳統(tǒng)
幾年前，65nm芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目已經(jīng)在中國(guó)陸續(xù)開(kāi)展起來(lái)。中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)已逐步具備65nm芯片的設(shè)計(jì)能力。同時(shí)，由于65nm與以往更大特征尺寸的設(shè)計(jì)項(xiàng)目確實(shí)有很大不同，因此，對(duì)一些重要環(huán)節(jié)需要產(chǎn)業(yè)上下游共同關(guān)注。
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基于FPGA的65nm芯片的設(shè)計(jì)方案
隨著工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn)，出現(xiàn)了兩類關(guān)鍵的開(kāi)發(fā)問(wèn)題：待機(jī)功耗和開(kāi)發(fā)成本。這兩個(gè)問(wèn)題在每一新的工藝節(jié)點(diǎn)上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨的主要問(wèn)題。在設(shè)計(jì)方法上從專用集成電路(ASIC)和
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基于FPGA的65nm芯片的設(shè)計(jì)方案
基于FPGA的65nm芯片的設(shè)計(jì)方案
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