IGBT

CPLD在IGBT驅(qū)動設(shè)計中的應(yīng)用

一款并聯(lián)諧振逆變電源的設(shè)計方案

前言 在現(xiàn)代工業(yè)的金屬熔煉、彎管，熱鍛，焊接和表面熱處理等行業(yè)中，感應(yīng)加熱技術(shù)被廣泛應(yīng)用。感應(yīng)加熱是根據(jù)電磁感應(yīng)原理，利用工件中渦流產(chǎn)生的熱量對工件進(jìn)行加熱的

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用

最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術(shù)詳解，設(shè)計技巧，應(yīng)用案例

基礎(chǔ)理論IGBT系統(tǒng)的介紹 就IGBT的定義、工作原理、等效電路、特性參數(shù)、設(shè)計技巧等作全面介紹…… 設(shè)計技巧IGBT的驅(qū)動和過流保護(hù)電路的研究IGBT目前被廣泛使

IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速

雜散電感對高效IGBT4逆變器設(shè)計的影響

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動這

IGBT的驅(qū)動和過流保護(hù)電路的研究

1 引言絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET與GTR的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、熱

小小一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器？

電動汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動電路的設(shè)計與工業(yè)通用變頻

經(jīng)驗總結(jié)：IGBT奇葩波形 不炸都對不起它

對于很多電源新手來說，在使用示波器測試波形的時候，都遇到過炸管的問題，是什么原因?qū)е抡ü?？又該如何解決呢？下面就來看看這位仁兄的情況。 　　 　　如圖1，黃線為示波器探頭直接接在上臂IGBT的驅(qū)動Vge兩端。

基于2SD106的IGBT驅(qū)動電路設(shè)計與應(yīng)用

引言 IGBT驅(qū)動電路的關(guān)鍵是驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計，良好的驅(qū)動電路必須保證IGBT的開關(guān)損耗量盡可能小。在IGBT承受短路電流時，如能實現(xiàn)可靠關(guān)斷，則可以保護(hù)IGBT。 由于大功率的IGBT模塊在開通關(guān)斷時，需要瞬間大電流。本

MOSFET產(chǎn)能大缺 正醞釀下一波漲價

由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。

緊湊型全橋DC-DC隔離電源設(shè)計

新型電力電子器件IGBT 作為功率變換器的核心器件，其驅(qū)動和保護(hù)電路對變換器的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。集成驅(qū)動是一個具有完整功能的獨立驅(qū)動板，具有安裝方便、驅(qū)動高效、保護(hù)

用于低功率應(yīng)用的高能效AC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器方案

近年來，世界各國政府為了因應(yīng)全球氣候變暖，紛紛制定更嚴(yán)格的高能效法規(guī)與標(biāo)準(zhǔn)，提升電源能效，降低能耗，以期減輕對環(huán)境的壓力。安森美半導(dǎo)體身為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商

隔離型全橋DC-DC電源的設(shè)計方案

全橋結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計當(dāng)中有著相當(dāng)廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動

一種緊湊型全橋DC-DC隔離電源設(shè)計方案

全橋結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計當(dāng)中有著相當(dāng)廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動

英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流。

超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備，這些應(yīng)用的特點是對功率損耗的要求很高。

MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價，預(yù)計7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價格15～20%，高單價客戶及高售價產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價格。

檢測絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）好壞的簡易方法

　　1、 判斷極性 　　首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬用

IGBT的檢測方法

　　IGBT有三個電極，分別稱為柵極G（也叫控制極或門極）、集電極C（亦稱漏極）及發(fā)射極E（也稱源極）。 　　一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別 　?。?）用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 　　根