IGBT

用超快速IGBT可取代100KHz變換器中的MOSFET

意法半導(dǎo)體的先進(jìn)IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計(jì) 可提高家電感應(yīng)加熱效率

意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實(shí)現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅(jiān)強(qiáng)屏障

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

繼續(xù)快速成長(zhǎng)，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預(yù)估，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣，較2018年成長(zhǎng)12.17%，維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。

開關(guān)電源IGBT的可靠性能解析

　　一、IGBT的簡(jiǎn)單介紹　　絕緣柵雙極型晶體管(簡(jiǎn)稱“IGBT”)是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)

基于IGBT的電壓型逆變器輔助開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

電壓型逆變電源的輔助開關(guān)電源其雙管反激式開關(guān)電源能高效地提供多路直流輸出，電路元件全部由分立式元件構(gòu)成，抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定可靠，因而能滿足電壓型逆變器等對(duì)電

IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)總結(jié)

　　本文論述了IGBT的過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)相關(guān)問題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。　　IGBT（

不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

　　1. 引言　　在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通

太陽能逆變器中IGBT和MOSFET技術(shù)解析

　　發(fā)展逆變器技術(shù)是太陽能應(yīng)用提出的要求，本文介紹了太陽能逆變器的原理及架構(gòu)，著重介紹了IGBT和MOSFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)智能控制是發(fā)展太陽能逆變器技術(shù)的關(guān)鍵。　　一、太陽

IGBT助變頻器實(shí)現(xiàn)高效能低損耗

　　·隨著IGBT升級(jí)換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小?！　　と怆姍C(jī)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)就是貼近系統(tǒng)用戶?！　∪毡緩纳鲜兰o(jì)80年代開始使用工業(yè)用的

不間斷電源(UPS)中IGBT的應(yīng)用

　　1.引言　　在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓

IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

　　IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念（也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”）降低晶圓n襯底的厚度?！?/p>

IGBT初露鋒芒，王傳福的技術(shù)魚池里還有哪些“奇珍異獸”？

“比亞迪有技術(shù)‘魚池’，里面有各種各樣的技術(shù)，市場(chǎng)需要時(shí)，我們就撈一條出來，電動(dòng)車、軌道交通都是‘魚池’里的大魚?！蓖鮽鞲Ｔ啻卧诠_場(chǎng)合介紹比亞迪的技術(shù)積累。日前，比亞迪董事長(zhǎng)王傳福在接受媒體采訪時(shí)

以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計(jì)

全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)，甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車領(lǐng)域。因此在過去幾年，市場(chǎng)對(duì)變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增

IGBT電動(dòng)中國(guó)芯！比亞迪：好電動(dòng)車就靠它了

提起如今迅速崛起的新能源汽車，尤其是對(duì)于純電動(dòng)車，大部分對(duì)它的關(guān)注點(diǎn)都集中在電池及續(xù)航里程上，但他們卻不知道，電動(dòng)車上還有個(gè)指甲大小的部件與電池同樣重要。今晚，比亞迪在寧波舉辦的“核心技術(shù)解析會(huì)之IG

比亞迪不僅做車，還做芯片！比亞迪發(fā)布IGBT 4.0：打造電動(dòng)中國(guó)芯

比亞迪于寧波威斯汀酒店舉辦比亞迪核心技術(shù)解析會(huì)之IGBT電動(dòng)中國(guó)芯，發(fā)布全新一代車規(guī)級(jí)IGBT標(biāo)桿性產(chǎn)品—;—;比亞迪IGBT 4.0。IGBT(Insulated Gate Bipolar Tran

比亞迪推出第四代IGBT，核心技術(shù)告別卡脖時(shí)代

不過，國(guó)外早在上世紀(jì)80年代便開啟了對(duì)IGBT的研究生產(chǎn)，要在產(chǎn)品上追上國(guó)外先進(jìn)水平，顯然需要更多時(shí)間。因此，中途比亞迪的IGBT芯片又歷經(jīng)8年，多次迭代，其間，比亞迪還與上海先進(jìn)半導(dǎo)體在2015年達(dá)

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

汽油機(jī)缸內(nèi)直噴是當(dāng)前轎車汽油噴射中的前沿技術(shù)，多點(diǎn)順序汽油噴射將各個(gè)點(diǎn)火線圈分別安裝在各缸的進(jìn)氣歧管中，使各缸混合氣分配較均勻，因此能很好地適應(yīng)減少排放、降低油

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、 引言 電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、高可靠、低損耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG

面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并