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檢測(cè)絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）好壞的簡(jiǎn)易方法
1、 判斷極性 首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬(wàn)用
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IGBT的檢測(cè)方法
IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G（也叫控制極或門極）、集電極C（亦稱漏極）及發(fā)射極E（也稱源極）。 一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別 （1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極 根
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IGBT檢測(cè)好壞的方法
功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極 管的判斷.對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測(cè):將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e
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告別缺貨煩惱 Silicon Labs CP2102全系列USB MCU世強(qiáng)元件電商十萬(wàn)庫(kù)存保障供貨
自2017年以來(lái)，以存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、功率器件為主的缺貨漲價(jià)潮給電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了超乎以往的影響。目前市場(chǎng)上有的低壓MOSFET的交期超過(guò)40周，而IGBT的最長(zhǎng)交期達(dá)50周。而第二季度又是半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈的旺季，各產(chǎn)品需求旺盛，缺貨也更加惡化。
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高效能IGBT為高功率應(yīng)用加把勁
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見(jiàn)的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的?讓我們來(lái)進(jìn)一步深入了解。
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意法半導(dǎo)體新ACEPACK功率模塊兼有先進(jìn)性能和經(jīng)濟(jì)性
意法半導(dǎo)體新ACEPACK™ (Adaptable Compact Easier PACKage)模塊為包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、空調(diào)、太陽(yáng)能發(fā)電、焊機(jī)、充電器、不間斷電源控制器和電動(dòng)汽車在內(nèi)的3-30 kW 應(yīng)用提供高成本效益的高集成度的功率轉(zhuǎn)換功能。
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為什么說(shuō)新能源汽車的核心是IGBT？
IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說(shuō)IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。
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兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
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HL402 IGBT驅(qū)動(dòng)模塊參數(shù)和電路設(shè)計(jì)
HL402 驅(qū)動(dòng)模塊具有先降柵壓、后軟關(guān)斷的雙重保護(hù)功能，其降柵壓延遲時(shí)間、降柵壓時(shí)間、軟關(guān)斷斜率均可通過(guò)外接電容器進(jìn)行整定，因而能適應(yīng)不同飽和壓降IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。1.引腳排列及功能HL402的外形尺寸及引腳排
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IGBT的工作原理及作用淺析
本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是
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IGBT模塊五種不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖
單管模塊的內(nèi)部由若干個(gè)IGBT并聯(lián)，以達(dá)到所需要的電流規(guī)格，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機(jī)械強(qiáng)度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太大，大電流規(guī)格的IGBT需要將多個(gè)管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極(第二發(fā)射極)連接到柵極驅(qū)動(dòng)電路，主發(fā)射極連接到主電路中。
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路作用與設(shè)計(jì)詳解，如何選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，同時(shí)對(duì)IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的作用對(duì)整個(gè)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。IGBT是電路的核心器件，它可在高壓下導(dǎo)通，并在大電流下關(guān)
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Power Integrations與Future Electronics簽署全球分銷協(xié)議
借助新的創(chuàng)造需求舉措，促進(jìn)設(shè)計(jì)方案的推陳出新Power Integrations公司今日宣布同全球電子元器件分銷及營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)者Future Electronics簽署全球分銷協(xié)議。Power Integrations
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野“芯”勃勃，比亞迪布局芯片市場(chǎng)
談到比亞迪，大家更熟悉的是其汽車。尤其是最近幾年推出的幾款電動(dòng)車，因而其汽車制造商的名頭更為大家所熟知，但其實(shí)比亞迪是靠做電池起家的。根據(jù)比亞迪財(cái)報(bào)，他們還從事二次充電池及光伏業(yè)務(wù)、手機(jī)部件及組裝業(yè)務(wù)、以及包含傳統(tǒng)燃油汽車及新能源汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務(wù)。最讓筆者佩服的是，為了推進(jìn)業(yè)務(wù)的發(fā)展，比亞迪在更上游的芯片領(lǐng)域也有不少的布局。
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一大波車用需求！MCU、MOS、IGBT、BMS、驅(qū)動(dòng)IC吃緊
拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏指出，從法律層面來(lái)看，各國(guó)政府對(duì)于廢氣或是二氧化碳等排放有其嚴(yán)格要求，回推到車輛本身，如何進(jìn)一步降低不必要的能源消耗，以符合政策法規(guī)的要求，成為車輛設(shè)計(jì)的首要課題。
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光伏IGBT逆變器設(shè)計(jì)原理和電路圖
太陽(yáng)能光伏發(fā)電的實(shí)質(zhì)就是在太陽(yáng)光的照射下，太陽(yáng)能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能，輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉(zhuǎn)變成用戶可以使用的交流電。以往的光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。
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IGBT串聯(lián)設(shè)計(jì)電路 工作原理
IGBT屬于場(chǎng)控功率管,具有開(kāi)關(guān)速度快、管壓降小等特點(diǎn),在各領(lǐng)域的電子電器中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,在運(yùn)用中，針對(duì)IGBT單管耐壓值不高的情況，技術(shù)人員常常需要將多只IGBT管串聯(lián)以增加IGBT管的耐壓值，拓展其運(yùn)用范圍。
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圖解IGBT模塊特性的測(cè)量方法
IGBT模塊選型時(shí)比較關(guān)鍵的特性有柵極-發(fā)射級(jí)門檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、上升時(shí)間tr、關(guān)斷耗散功率Poff、關(guān)斷耗散能量Eoff、關(guān)斷時(shí)間toff、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)、下降
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IGBT工作原理圖
IGBT單管工作原理IGBT管是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT管是靠的是它的
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IGBT模塊封裝流程原理圖
IGBT模塊封裝是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起，以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性，體積更小、效率更高、可靠性更高是市場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的需求趨勢(shì)，這就有待于IGBT模塊封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和運(yùn)用。目前流行的IGBT模塊封裝形式有
qmei2008
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