功率模塊的好壞判斷主要是對功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極 管的判斷.對于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測:將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1 e1、c2 e
自2017年以來,以存儲芯片、被動元件、功率器件為主的缺貨漲價潮給電子產(chǎn)業(yè)帶來了超乎以往的影響。目前市場上有的低壓MOSFET的交期超過40周,而IGBT的最長交期達(dá)50周。而第二季度又是半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈的旺季,各產(chǎn)品需求旺盛,缺貨也更加惡化。
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來進(jìn)一步深入了解。
意法半導(dǎo)體新ACEPACK™ (Adaptable Compact Easier PACKage)模塊為包括工業(yè)電機驅(qū)動、空調(diào)、太陽能發(fā)電、焊機、充電器、不間斷電源控制器和電動汽車在內(nèi)的3-30 kW 應(yīng)用提供高成本效益的高集成度的功率轉(zhuǎn)換功能。
IGBT約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,而電機驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
HL402 驅(qū)動模塊具有先降柵壓、后軟關(guān)斷的雙重保護(hù)功能,其降柵壓延遲時間、降柵壓時間、軟關(guān)斷斜率均可通過外接電容器進(jìn)行整定,因而能適應(yīng)不同飽和壓降IGBT的驅(qū)動和保護(hù)。1.引腳排列及功能HL402的外形尺寸及引腳排
本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點。可以說,IGBT是一個非通即斷的開關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是
單管模塊的內(nèi)部由若干個IGBT并聯(lián),以達(dá)到所需要的電流規(guī)格,可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機械強度和熱阻的限制,IGBT的管芯面積不能做得太大,大電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示,副發(fā)射極(第二發(fā)射極)連接到柵極驅(qū)動電路,主發(fā)射極連接到主電路中。
IGBT驅(qū)動電路的作用IGBT驅(qū)動電路的作用是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動電路的作用對整個IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要。IGBT是電路的核心器件,它可在高壓下導(dǎo)通,并在大電流下關(guān)
借助新的創(chuàng)造需求舉措,促進(jìn)設(shè)計方案的推陳出新Power Integrations公司今日宣布同全球電子元器件分銷及營銷領(lǐng)導(dǎo)者Future Electronics簽署全球分銷協(xié)議。Power Integrations
談到比亞迪,大家更熟悉的是其汽車。尤其是最近幾年推出的幾款電動車,因而其汽車制造商的名頭更為大家所熟知,但其實比亞迪是靠做電池起家的。根據(jù)比亞迪財報,他們還從事二次充電池及光伏業(yè)務(wù)、手機部件及組裝業(yè)務(wù)、以及包含傳統(tǒng)燃油汽車及新能源汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務(wù)。最讓筆者佩服的是,為了推進(jìn)業(yè)務(wù)的發(fā)展,比亞迪在更上游的芯片領(lǐng)域也有不少的布局。
拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏指出,從法律層面來看,各國政府對于廢氣或是二氧化碳等排放有其嚴(yán)格要求,回推到車輛本身,如何進(jìn)一步降低不必要的能源消耗,以符合政策法規(guī)的要求,成為車輛設(shè)計的首要課題。
太陽能光伏發(fā)電的實質(zhì)就是在太陽光的照射下,太陽能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽能轉(zhuǎn)換成電能,輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉(zhuǎn)變成用戶可以使用的交流電。以往的光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。
IGBT屬于場控功率管,具有開關(guān)速度快、管壓降小等特點,在各領(lǐng)域的電子電器中得到越來越廣泛的應(yīng)用,在運用中,針對IGBT單管耐壓值不高的情況,技術(shù)人員常常需要將多只IGBT管串聯(lián)以增加IGBT管的耐壓值,拓展其運用范圍。
IGBT模塊選型時比較關(guān)鍵的特性有柵極-發(fā)射級門檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開通時間ton、開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷耗散功率Poff、關(guān)斷耗散能量Eoff、關(guān)斷時間toff、關(guān)斷延遲時間td(off)、下降
IGBT單管工作原理IGBT管是一個非通即斷的開關(guān),由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT管是靠的是它的
IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起,以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性,體積更小、效率更高、可靠性更高是市場對IGBT模塊的需求趨勢,這就有待于IGBT模塊封裝技術(shù)的開發(fā)和運用。目前流行的IGBT模塊封裝形式有
IGBT驅(qū)動電路的作用IGBT驅(qū)動電路的作用是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動電路的作用對整個IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要。IGBT是電路的核心器件,它可在高壓下導(dǎo)通,并在大電流下關(guān)
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 閘極驅(qū)動器,皆為浮點高側(cè)驅(qū)動器,簡化了半橋組態(tài)下兩部 N 溝道 MOSFET 或兩部 IGBT 的切換。這些驅(qū)動器產(chǎn)品適合工業(yè)自動