IGBT

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設備設計

中國上海，2019年12月23日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設備設計

東芝今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。

d打破國外巨頭壟斷 華為進軍IGBT市場

11月28日晚，業(yè)內人士透露，華為已開始自主研發(fā)IGBT器件，目前正在從某國內領先的IGBT廠商中挖人。但據(jù)公開消息表示，華為的研發(fā)此前并不涉及功率半導體，而其需要的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購。

中國半導體廠商的發(fā)展良機到了

此外，在國內市場，中高端IGBT產(chǎn)能嚴重不足，長期依賴國際巨頭，導致“一芯難求”。有業(yè)內人士表示，國內能真正做IGBT芯片的廠商總共也沒有幾家，真正做的比較好的，基本都是從封裝做起的，靠封裝在市場上站穩(wěn)了腳跟，逐漸一款一款地研發(fā)芯片。

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 以共同推動寬禁帶功率半導體技術的研發(fā)及廣泛應用

各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。

工信部：將推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件和IGBT模塊產(chǎn)業(yè)

10月8日，工信部發(fā)布“關于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案答復的函”。根據(jù)答復函，在制定工業(yè)半導體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃、出臺扶持技術攻關及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策方面，工信部及相

超級結MOSFET與IGBT的電動汽車充電方案

轉向零排放電動汽車等節(jié)能減排趨勢推動對中高壓MOSFET的需求增加。平面MOSFET的導通電阻Rds(on)和損耗較大。且根據(jù)擊穿電壓與面積成正比，要獲得更高的擊穿電壓需要更大面積的摻雜。

隔離式柵極驅動器的重要特性

在功率電子(例如驅動技術)中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。

在中國的軌道交通與電網(wǎng)中的英飛凌的IGBT

在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。在能源、軌道交通、工業(yè)電子與汽車電子中，功率半導體扮演著關鍵角色，這些領域對于可靠性要求非常高。以軌道交通應用為例，軌道交通會采用IGBT做牽引變流器，這些牽引變流器的性能將決定軌交列車跑得快不快、速度是否均勻、剎車是否可靠，軌道交通的快速發(fā)展，對于IGBT技術的發(fā)展起到了極大的促進作用。

國產(chǎn)芯片真金質!基本半導體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。 國產(chǎn)芯片真金質，不懼火煉過樓蘭。

將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。

IGBT功率半導體項目投資7.5億美元，落戶嘉善

7月16日，浙江嘉善舉行了IGBT功率半導體項目及IGBT技術研發(fā)中心簽約儀式。IGBT功率半導體項目注冊資金2.5億美元，總投資7.5億美元，主要從事高端絕緣柵雙極型晶體管的自主研發(fā)和制造，一期達產(chǎn)

意法半導體推出600V三相智能關斷柵極驅動器，提高工業(yè)應用性能和安全性

中國，2019年7月17日——意法半導體的STDRIVE601三相柵極驅動器用于驅動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內最先進水平，可耐受低至-100V的負尖峰電壓，邏輯輸入響應速度在85ns以內，處于同級產(chǎn)品一流水平。

什么是IGBT呢？詳細講解IGBT作用及其選型要求

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT最不為人知的神秘損壞原因！

尤其在使用單相交流電源的電磁爐電路中，千篇一律的采用大同小異的電源電路結構，如圖中所示，R1與C1+C2之和的乘積——放電時間常數(shù)，遠遠大于交流電半周期的時間（10毫秒），因此，每個半周期所充的電壓都

安森美半導體和格芯合作轉讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權

安森美半導體公司(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導體收購GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達成最終協(xié)議。此次收購總代價為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導體將獲得該晶圓廠的全面運營控制權，該廠的員工將轉為安森美半導體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機構的批準及其它慣例成交

安森美半導體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅動器

安森美半導體，在德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器隔離型大電流IGBT門極驅動器。

意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關技術提升應用性能

中國，2019年4月30日——意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合

用超快速IGBT可取代100KHz變換器中的MOSFET

意法半導體的先進IGBT專為軟開關優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率

意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關性能，提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內的能效。