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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動(dòng)器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對(duì)此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷(xiāo)代理商還有一定庫(kù)存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來(lái)，但
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英飛凌投資1.6億美元進(jìn)一步擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能
21ic訊 英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增35
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華潤(rùn)微電子1200V IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成
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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場(chǎng)格局
在PCIM-Europe上，匯聚了電力電子行業(yè)各領(lǐng)域的企業(yè)，而中國(guó)方面，PCIM看上去就像一場(chǎng)IGBT功率模塊廠商的聚會(huì)。中國(guó)IGBT市場(chǎng)方興未艾。在2009年，IGBT在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額為7.1%。隨著全球低碳，節(jié)能概念的普及，I
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電力變換裝置中短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
摘要：為了使電力變換裝置能夠安全可靠地工作，在分析其短路保護(hù)設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上，給出了幾種實(shí)用的電流保護(hù)電路，并對(duì)其工作機(jī)理進(jìn)行了詳盡的剖析，以便變通使用。 關(guān)鍵詞：電力變換；過(guò)流保護(hù)；短路保護(hù)；軟關(guān)斷；
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IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策
實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問(wèn)題是“炸管”! 為了研究“炸管“! 首先
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瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體
瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開(kāi)始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
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完美無(wú)諧波高壓IGBT變頻器
1前言國(guó)外某公司利用一種新的高壓變頻技術(shù)，生產(chǎn)出功率為315kW～10000kW的完美無(wú)諧波高壓變頻器（PERFECTHARMONY），無(wú)需附加輸出變壓器實(shí)現(xiàn)了直接3kV或6kV高壓輸出；首家在高壓變頻器中采用了先進(jìn)的IGBT開(kāi)關(guān)器件；達(dá)
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分析影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素
0 引言 IGBT 即絕緣門(mén)極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身， 具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性
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30kVA逆變電源中IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
摘要：系統(tǒng)介紹30kVA逆變電源中IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)。提出IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，介紹三菱的IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L和逆變電源中IGBT的過(guò)壓、柵極過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱保護(hù)措施。關(guān)鍵詞：IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)Problems on Anti? J
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IGBT高壓變頻調(diào)速電源
摘要：提出用于高壓電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速電源需考慮的串聯(lián)、諧波和效率等幾個(gè)問(wèn)題；介紹由全控型電力電子器件IGBT按多重化PWM控制技術(shù)構(gòu)成、目前已商品化的高壓變頻器，可用于中、高壓交流電動(dòng)機(jī)的直接變頻調(diào)速。Abstract:
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科達(dá)半導(dǎo)體IGBT封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)
科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行?？七_(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目于2010年6月開(kāi)工建設(shè)，從投資建設(shè)到正式投產(chǎn)，僅用了6個(gè)月的時(shí)間，創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。
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科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目正式投產(chǎn)
2月23日上午，科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目于2010年6月開(kāi)工建設(shè)，從投資建設(shè)到正式投產(chǎn)，僅用了6個(gè)月的時(shí)間，創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快
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采用IGBT的正弦波中頻逆變電源
摘要：介紹了用IGBT作功率器件的中頻逆變電源，對(duì)電路的工作原理進(jìn)行了詳盡的分析。 關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極晶體管；中頻逆變電源；驅(qū)動(dòng)；正弦波脈寬調(diào)制 0 引言 400Hz中頻電源在工業(yè)、國(guó)防、航海、航空等領(lǐng)域
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IGBT的保護(hù)設(shè)計(jì)
摘要：通過(guò)對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，采取相應(yīng)措施對(duì)其進(jìn)行保護(hù)，以保證其安全可靠工作。 關(guān)鍵詞：IGBT；MOSFET；驅(qū)動(dòng)；過(guò)壓；浪涌；緩沖；過(guò)流；過(guò)熱；保護(hù) 0 引言 絕緣柵雙極型晶體管
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柴油機(jī)測(cè)功過(guò)程中的能量回饋技術(shù)方案
隨著技術(shù)的進(jìn)步，在動(dòng)力機(jī)和動(dòng)力設(shè)備的研制方面，對(duì)動(dòng)力機(jī)(如柴油機(jī))的各項(xiàng)性能都提出了更高的要求。測(cè)功設(shè)備均為水力測(cè)功機(jī)配以各分立測(cè)試儀表。測(cè)試時(shí)，將柴油機(jī)的機(jī)械能通過(guò)水力測(cè)功機(jī)轉(zhuǎn)化為的水的溫升(熱能)都白
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移相全橋式IGBT超聲波電源的研制
摘要：介紹了某型超聲波電源的工作原理，采用移相式全橋串聯(lián)諧振電路，以IGBT為功率開(kāi)關(guān)器件，熱耗小，轉(zhuǎn)換效率高，噪音低，配合適當(dāng)型號(hào)的清洗槽和清洗液，清洗效果好。關(guān)鍵詞：超聲波電源；全橋；移相；絕緣柵晶體
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高壓IGBT變頻器及應(yīng)用
1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合，有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來(lái)，具有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、
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三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析
摘要：對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析，對(duì)TLP250、EXB8系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用
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