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實現(xiàn)SiC器件與先進電機、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”
CISSOID與南京航空航天大學自動化學院電氣工程系達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，建立聯(lián)合電驅(qū)動實驗室，共同開展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開發(fā)
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低電壓無功補償投切電容器裝置研究
切換電容器接觸器、晶閘管投切電容器裝置(Tsc)、復合開關(guān)投切電容器裝置作為工業(yè)低壓系統(tǒng)中常用的電容器投切裝置 ,在可靠性、體積、能耗、壽命等方面各有不同的缺陷 。鑒于第三代半導體材料sic已在電力電子器件中大量使用 ,試圖通過新型材料電力電子器件的選用和對交流接觸器的適應性設(shè)計 ,提出新的電容器投切裝置方案 ,并通過MATLAB仿真驗證方案。
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提高 SiC 逆變器和其他應用中隔離偏置電源的共模瞬態(tài)電壓抗擾度 (CMTI)
近年來，碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 在牽引逆變器設(shè)計中的使用顯著增加。其主要原因是 SiC FET 可以在高開關(guān)頻率下工作，從而在保持高效率的同時提高功率密度。另一方面，SiC 逆變器可以產(chǎn)生大于 100V/ns 的大瞬態(tài)電壓 (dv/dt) 信號，引發(fā)人們對共模瞬態(tài)電壓抗擾度 (CMTI) 的擔憂。這在設(shè)計逆變器柵極驅(qū)動器的隔離偏置電源時提出了新的挑戰(zhàn)。
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羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議
全球知名半導體廠商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）于近日與中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨協(xié)議。
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型
應用于主機逆變器，有助于延長續(xù)航里程，提升性能
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對SiC MOSFET進行柵極應力測試
了解半導體器件的故障模式是創(chuàng)建篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵，這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的范圍內(nèi)運行，并滿足汽車和其他電源轉(zhuǎn)換應用中要求的越來越嚴格的十億分之一故障率。在本文中，我們將討論對碳化硅 MOSFET 器件執(zhí)行的柵極開關(guān)應力 (GSS) 測試。
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SiC功率器件生產(chǎn)規(guī)模效益擴大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進入生產(chǎn)營運
正在持續(xù)擴建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價值約 50 億歐元的設(shè)計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預付款。值得一提的是，這些設(shè)計訂單來自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運營投產(chǎn)，英飛凌正在持續(xù)擴大其在SiC生產(chǎn)制造領(lǐng)域的規(guī)模優(yōu)勢，提升產(chǎn)能效益，同時將寬禁帶功率器件帶入到一個更為廣闊且多元的應用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來邁進。
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何謂碳化硅
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。這是因為，為了應對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。
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SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點
SiC是在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導體，對于功率元器件來說的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄嶋H設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。
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碳化硅在電子領(lǐng)域中的應用
硅成為制造半導體產(chǎn)品的主要原材料，廣泛應用于集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是，第一代半導體材料難以滿足高功率及高頻器件需求。
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碳化硅MOSFET在充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機中的應用
SiC 具有寬的禁帶寬度、高擊穿電場、高熱傳導率和高電子飽和速率的物理性能，使其有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等優(yōu)點，可降低下游產(chǎn)品能耗、減少終端體積
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TrendForce集邦咨詢：2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一
Jun. 20, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應用的驅(qū)動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。
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一文了解SiC MOS的應用
作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
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如何設(shè)計SiC功率元器件中的浪涌抑制電路？
SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。
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Nexperia的650 V SiC二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)可滿足汽車和更廣泛的工業(yè)應用需求
符合汽車標準的肖特基二極管現(xiàn)采用R2P DPAK封裝
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ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”
小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實現(xiàn)小型化!
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導體供應商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長近44%，約占全球市場的29%，首次拿下全球汽車MCU市場份額第1。
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
新型驅(qū)動器可提供量身定制的導通和關(guān)斷時序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強dV/dt抗擾性能
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羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體擴大SiC晶圓供應合同
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)和為各種電子設(shè)備提供半導體的全球著名半導體制造商意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布，羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)將擴大目前已持續(xù)多年的150mm SiC晶圓長期供應合同。
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