制程技術(shù)

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Global Foundries：主流制程下半年產(chǎn)能利用率下降10~15%

連于慧／臺北晶圓代工產(chǎn)業(yè)受到全球經(jīng)濟(jì)層面的景氣影響頗深，臺積電下調(diào)2011年資本支出、聯(lián)電第4季恐面臨盈轉(zhuǎn)虧挑戰(zhàn)，Global Foundries則是保守指出，雖然高階制程產(chǎn)能滿載，但預(yù)計(jì)65奈米以上的主流制程的產(chǎn)能利用率

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2011-09-15

GLOBAL 制程技術(shù) 臺積電晶圓廠
面板登陸制程須領(lǐng)先

行政院最快本周內(nèi)可望核定負(fù)面表列清單，據(jù)了解，檢討清單只有一項(xiàng)面板松綁，除可與國內(nèi)同為N世代外，也同意登陸參股或并購不限比例上限。即使取消N-1規(guī)定，也要求業(yè)者登陸需經(jīng)專案審查，制程技術(shù)確定領(lǐng)先大陸才可放

顯示光電
2011-08-22

半導(dǎo)體晶圓代工光電制程技術(shù)
銅進(jìn)金退長電科技加快技術(shù)改造

[世華財(cái)訊]近年來，隨著封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，封裝所需要的材料也在逐步改進(jìn)，封裝行業(yè)正在經(jīng)歷銅取代金的轉(zhuǎn)變。由于黃金價(jià)格最近幾年的持續(xù)飆升，加快了封裝行業(yè)銅制程的推進(jìn)，很多芯片廠商開始紛紛改用銅線鍵合，這

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2011-08-11

功率器件長電科技 IGBT 制程技術(shù)
日月光7月營收回溫達(dá)109.2億元月增3.6%

IC封測大廠日月光(2311-TW)今(8)日公布 7 月營收，合并營收為154.16億元，較 6 月增加4.8%，僅看封測事業(yè)營收為109.27億元，較 6 月也增加3.6%。日月光 7 月封測事業(yè)營收微幅增溫，達(dá)109.27億元，較 6 月105.45億

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2011-08-09

晶圓代工 IC 制程技術(shù)
臺積電28nm制程產(chǎn)能爬坡計(jì)劃推后執(zhí)行

由于近期半導(dǎo)體芯片市場需求疲軟，加上今年第三季度準(zhǔn)備推行芯片庫存調(diào)整計(jì)劃，半導(dǎo)體芯片代工大廠臺積電公司調(diào)低了其全年的資本投資計(jì)劃金額，下調(diào)的幅度為5%。原定的資本投資計(jì)劃金額為78億美元左右，計(jì)劃調(diào)整之后

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2011-07-31

半導(dǎo)體芯片 BETA 制程技術(shù) 臺積電
臺積電:28nm制程產(chǎn)能爬坡計(jì)劃推后執(zhí)行

由于近期半導(dǎo)體芯片市場需求疲軟，加上今年第三季度準(zhǔn)備推行芯片庫存調(diào)整計(jì)劃，半導(dǎo)體芯片代工大廠臺積電公司調(diào)低了其全年的資本投資計(jì)劃金額，下調(diào)的幅度為5%。原定的資本投資計(jì)劃金額為78億美元左右，計(jì)劃調(diào)整之后

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2011-07-30

半導(dǎo)體芯片 BETA 制程技術(shù) 臺積電
臺灣公司成立LED曝光制程設(shè)備研發(fā)聯(lián)盟

近日，曝光機(jī)設(shè)計(jì)的專家科毅公司、系統(tǒng)控制的國外大廠美商國家儀器臺灣分公司(NI公司)、影像處理技術(shù)專家美商康耐視(Cognex公司)、半導(dǎo)體與led制程技術(shù)的行家崇文公司、專注于特殊平臺設(shè)計(jì)開發(fā)的全研公司、高精度機(jī)構(gòu)

顯示光電
2011-07-20

先進(jìn)制程 LED 金屬制程技術(shù)
洋華電容式觸控失先機(jī)，毛利率恐逐步走低

電阻式觸控面板大廠洋華光電（3622）切入投射式電容觸控技術(shù)時(shí)點(diǎn)較晚，加上在中尺寸電容觸控模組（貼合）制程良率遲遲未能有效提升，2010年下半年?duì)I運(yùn)略顯疲態(tài)。市場預(yù)期，洋華的中尺寸電容觸控面板良率應(yīng)可于2011年

顯示光電
2011-06-29

電子電容式觸控觸控面板制程技術(shù)
ST與CMP為產(chǎn)學(xué)界導(dǎo)入28奈米CMOS制程技術(shù)

意法半導(dǎo)體（ST）與CMP（Circuits Multi Projets）于日前攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)將可透過CMP提供的矽晶中介服務(wù)，使用意法半導(dǎo)體的28奈米（nm）CMOS制程開發(fā)晶片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CMOS合作專案的成功

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2011-06-29

意法半導(dǎo)體 CMOS ST 制程技術(shù)
日月光：成長高同業(yè)10百分點(diǎn)

張達(dá)智/整理半導(dǎo)體封測廠日月光(2311)營運(yùn)長吳田玉看好下半年業(yè)績可望持續(xù)逐季成長；在市占率持續(xù)擴(kuò)張下，日月光今年?duì)I收成長率將比同業(yè)高出10個(gè)百分點(diǎn)以上。中央社28日電，吳田玉表示，日月光第2季合并營

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2011-06-28

半導(dǎo)體元件封裝技術(shù) 制程技術(shù)
臺積電VCA伙伴

趙凱期臺積電早期在建立開放設(shè)計(jì)平臺時(shí)，主要是采取Design Center Alliance(DCA)聯(lián)盟的加盟方式，不過在進(jìn)入12吋廠更先進(jìn)的45及65奈米制程技術(shù)后，臺積電又重新籌建一個(gè)Value Chain Aggregator(VCA)聯(lián)盟，希望強(qiáng)化公

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2011-06-17

電子 DESIGN 制程技術(shù) 臺積電
臺積電將加入日本主導(dǎo)的國際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù)，目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)

消費(fèi)電子
2011-06-14

半導(dǎo)體工藝 EUV 制程技術(shù) 臺積電
臺積電將加入國際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

《日本經(jīng)濟(jì)新聞》日前報(bào)導(dǎo)，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù)，目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-14

半導(dǎo)體工藝 EUV 制程技術(shù) 臺積電
英特爾擬將以色列廠升至15奈米制程已申請補(bǔ)助

Thomson Reuters報(bào)導(dǎo)，以色列工貿(mào)部(Ministry of Industry and Trade)12日指出，英特爾(Intel Corporation)計(jì)劃將Kiryat Gat廠“Fab 28”升級至15奈米制程技術(shù)，估計(jì)投資總額將達(dá)48億美元，而該公司目前正在向以色列

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2011-06-13

蘋果英特爾處理器制程技術(shù)
張忠謀：今年代工產(chǎn)值增15%臺積市占會續(xù)升

臺積電(2330)今(9)日召開股東會，董事長張忠謀指出，2010年是臺積電營收/獲利再創(chuàng)高峰的一年，成長動(dòng)能來自于產(chǎn)能擴(kuò)充、客戶對先進(jìn)制程的廣泛應(yīng)用和特殊制程的強(qiáng)勁成長。技術(shù)開發(fā)方面，臺積電將會繼續(xù)投入資源發(fā)展特

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2011-06-09

晶圓代工先進(jìn)制程 CMOS 制程技術(shù)
3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

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2011-05-27

晶體管英特爾 FINFET 制程技術(shù)
3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

新聞來源:Digitimes 據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲

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2011-05-27

晶體管英特爾 FINFET 制程技術(shù)
韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用

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2011-05-26

晶體管英特爾 FINFET 制程技術(shù)
韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

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2011-05-26

晶體管英特爾 FINFET 制程技術(shù)
NAND閃存高級制程技術(shù)需上量方有意義

盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉(zhuǎn)移，但按閃存業(yè)者的看法，只有將這些高級制程投入量產(chǎn)使用才較有實(shí)際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)，所需的產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間越來越長，便是這一看法的明證之一。

消費(fèi)電子
2011-05-25

三星東芝 NAND閃存制程技術(shù)

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制程技術(shù)

Global Foundries：主流制程下半年產(chǎn)能利用率下降10~15%

面板登陸制程須領(lǐng)先

銅進(jìn)金退長電科技加快技術(shù)改造

日月光7月營收回溫達(dá)109.2億元月增3.6%

臺積電28nm制程產(chǎn)能爬坡計(jì)劃推后執(zhí)行

臺積電:28nm制程產(chǎn)能爬坡計(jì)劃推后執(zhí)行

臺灣公司成立LED曝光制程設(shè)備研發(fā)聯(lián)盟

洋華電容式觸控失先機(jī)，毛利率恐逐步走低

ST與CMP為產(chǎn)學(xué)界導(dǎo)入28奈米CMOS制程技術(shù)

日月光：成長高同業(yè)10百分點(diǎn)

臺積電VCA伙伴

臺積電將加入日本主導(dǎo)的國際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

臺積電將加入國際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

英特爾擬將以色列廠升至15奈米制程已申請補(bǔ)助

張忠謀：今年代工產(chǎn)值增15%臺積市占會續(xù)升

3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

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韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

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