半導(dǎo)體工藝
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半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化
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半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化
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半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化讓人擔(dān)心。
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英特爾計(jì)劃2017年生產(chǎn)7納米芯片
芯片最小能小到什么程度？如果我說(shuō)是7納米！你一定會(huì)感到不可思議。但在不久的將來(lái)，這一切都會(huì)成為現(xiàn)實(shí)。近日，英特爾在第九屆年度研究會(huì)議簡(jiǎn)要介紹了其半導(dǎo)體工藝路線圖。通過(guò)把重點(diǎn)放在研發(fā)和投資生產(chǎn)方面。在會(huì)議
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英特爾部署7nm節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體工藝將首次進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代
為邁向7nm工藝做準(zhǔn)備，英特爾微幅調(diào)高了今年度資本支出，并宣布將強(qiáng)化在平板電腦和所謂輕薄筆電(Ultrabook)方面的努力工作。在稍早前的季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中，該公司表示還計(jì)劃擴(kuò)展其x86指令集架構(gòu)的安全性。盡管聲稱(chēng)其
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英特爾部署7nm節(jié)點(diǎn) 半導(dǎo)體工藝將首次進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代
為邁向7nm工藝做準(zhǔn)備，英特爾微幅調(diào)高了今年度資本支出，并宣布將強(qiáng)化在平板電腦和所謂輕薄筆電(Ultrabook)方面的努力工作。在稍早前的季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中，該公司表示還計(jì)劃擴(kuò)展其x86指令集架構(gòu)的安全性。盡管聲稱(chēng)其
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英特爾部署7nm節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體工藝將首次進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代
為邁向7nm工藝做準(zhǔn)備，英特爾微幅調(diào)高了今年度資本支出，并宣布將強(qiáng)化在平板電腦和所謂輕薄筆電(Ultrabook)方面的努力工作。在稍早前的季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中，該公司表示還計(jì)劃擴(kuò)展其x86指令集架構(gòu)的安全性。 盡
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Metryx和Intel合作開(kāi)發(fā)20納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體工藝
英國(guó)質(zhì)量計(jì)量設(shè)備廠商Metryx日前正式加入一項(xiàng)由歐洲廠商主導(dǎo)的半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新發(fā)展評(píng)估項(xiàng)目，在此合作框架下，Metryx將和Intel，IMEC等展開(kāi)深入合作，為20納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)提供高精度質(zhì)量計(jì)量技術(shù)和設(shè)備。高精度
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Metryx和Intel合作開(kāi)發(fā)20納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體工藝
英國(guó)質(zhì)量計(jì)量設(shè)備廠商Metryx日前正式加入一項(xiàng)由歐洲廠商主導(dǎo)的半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新發(fā)展評(píng)估項(xiàng)目，在此合作框架下，Metryx將和Intel，IMEC等展開(kāi)深入合作，為20納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)提供高精度質(zhì)量計(jì)量技術(shù)和設(shè)備。
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臺(tái)積電將加入日本主導(dǎo)的國(guó)際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟
日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺(tái)積電，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù)，目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)
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臺(tái)積電將加入國(guó)際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟
《日本經(jīng)濟(jì)新聞》日前報(bào)導(dǎo)，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺(tái)積電，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù)，目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)
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巨人的步伐：Intel 2017年邁向7nm工藝
今天，Intel研究院主持的第九屆“Research at Intel”(R@I)科研成果展示活動(dòng)開(kāi)幕。Intel首席技術(shù)官Justin Rattner親臨會(huì)場(chǎng)，介紹了35項(xiàng)正在進(jìn)行、有望改變未來(lái)科技面貌的創(chuàng)新科研項(xiàng)目。 不過(guò)最讓我們感興趣的還是
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蘋(píng)果A5半導(dǎo)體工藝太落后 轉(zhuǎn)投臺(tái)積電理由充分
在本周開(kāi)幕的臺(tái)積電2011技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電公司并沒(méi)有談及外界風(fēng)傳頗多的臺(tái)積電與蘋(píng)果之間的代工協(xié)議問(wèn)題。而對(duì)A5處理器的實(shí)際拆解結(jié)果也表明，目前為止三星仍是蘋(píng)果A5處理器的代工商。不過(guò)最近出現(xiàn)的一些跡象，
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蘋(píng)果A5半導(dǎo)體工藝太落后 轉(zhuǎn)投臺(tái)積電理由充分
在本周開(kāi)幕的臺(tái)積電2011技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電公司并沒(méi)有談及外界風(fēng)傳頗多的臺(tái)積電與蘋(píng)果之間的代工協(xié)議問(wèn)題。而對(duì)A5處理器的實(shí)際拆解結(jié)果也表明，目 前為止三星仍是蘋(píng)果A5處理器的代工商。不過(guò)最近出現(xiàn)的一些跡象，卻
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索尼SID展示4.1英寸可卷曲OLED顯示屏
索尼公司昨天在美國(guó)華盛頓舉辦的SID2010展會(huì)上展示了一款可以相當(dāng)有趣的可卷曲式OLED顯示屏產(chǎn)品。索尼這款可卷曲OLED顯示屏的尺寸為4.1英寸，其厚度僅為80微米，該顯示屏之所以可以達(dá)到如此超薄的程度主要得感謝特別
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EDWARDS發(fā)布IXL120 面向真空半導(dǎo)體工藝應(yīng)用
全球領(lǐng)先的真空設(shè)備供應(yīng)商Edwards近日發(fā)布iXL120設(shè)備，拓展了其面向半導(dǎo)體制造工藝的干泵設(shè)備產(chǎn)品。iXL120具有專(zhuān)為負(fù)載時(shí)鐘和其他清洗應(yīng)用的設(shè)計(jì)，在同等產(chǎn)品中可達(dá)到最快速的抽取速度，同時(shí)還具有低能耗、高吞吐量的
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張忠謀：臺(tái)積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)
臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì)議上表示，臺(tái)積電將會(huì)和整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。 張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì)很快，原因有很多，其中之
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張忠謀:臺(tái)積電花41億美元轉(zhuǎn)向14nm工藝
臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì)議上表示，臺(tái)積電將會(huì)和整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。 張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì)很快，原因有很多，其中
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張忠謀：臺(tái)積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)
臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì)議上表示，臺(tái)積電將會(huì)和整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì)很快，原因有很多，其中之一
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半導(dǎo)體工藝的發(fā)展對(duì)模擬設(shè)計(jì)者的挑戰(zhàn)
隨著工藝微細(xì), MOS管子速度越來(lái)越快, 我們?cè)谠O(shè)計(jì)中會(huì)體會(huì)到把電路離散處理化有很多好處. 這在后面我們?cè)俜治? 首先先談一下為什么工藝微細(xì)化讓數(shù)字設(shè)計(jì)者也要考慮管子模擬特性. 舉個(gè)例子-EMC的問(wèn)題, 隨著電子產(chǎn)品越來(lái)
海中水
WRB9609
Blueshadow1002
sure5556382
li1874
grantwen
21ic小喇叭
zyj9490
fansi
askeyes
chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛(ài)說(shuō)話
yingdian6
shuangbang
dcf866553
cdwujinshan
lele4090039
lilijiang2
