晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

晶圓雙雄接連調(diào)高資本支出拼市占

晶圓代工廠臺(tái)積電日前調(diào)升資本支出，聯(lián)電也于4日跟進(jìn)，宣布將資本支出提高至18億美元，晶圓雙雄皆積極擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，而在上半年，受惠于全球景氣復(fù)蘇，晶圓雙雄接單滿載，即便有三星電子(Samsung Electronics)、

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2010-08-05

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電
聯(lián)電Q3產(chǎn)能持續(xù)滿載季營(yíng)收成長(zhǎng)幅度約5至10%

聯(lián)電（2303）預(yù)估第三季產(chǎn)能利用率仍將持續(xù)滿載，晶圓出貨量可季增1%至5%，平均晶圓價(jià)格（ASP）將較上季提高5%，換算季營(yíng)收將季增5%至0%，毛利率上看31至33%，是五年來單季新高，此一預(yù)期比外資好，比臺(tái)積電預(yù)估第

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2010-08-05

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電
聯(lián)電Q2獲利創(chuàng)5年多來新高第2季稅后凈利52.7億元

聯(lián)電(2303)昨召開法說會(huì)，公布第2季營(yíng)業(yè)利益54.37億，本業(yè)獲利創(chuàng)近5年多來新高，稅后凈利52.7億元，每股獲利0.42元。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示第3季高階制程成長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁，產(chǎn)能持續(xù)滿載，業(yè)績(jī)將優(yōu)于第2季，下半年也會(huì)優(yōu)于

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2010-08-05

電子電表晶圓聯(lián)電
聯(lián)電Q2稅后凈利創(chuàng)5年半新高，EPS 0.42元

聯(lián)電(2303)第二季產(chǎn)能滿載，出貨量創(chuàng)歷史新高，毛利率攀升至29.6%，稅后凈利52.73億元，創(chuàng)近五年半以來新高，季增率為51.4%，單季EPS為0.42元。上半年EPS達(dá)0.7元。聯(lián)電今舉行法說會(huì)，公布第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，單季營(yíng)

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2010-08-04

電表 EPS 晶圓聯(lián)電
中芯國(guó)際65納米技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司作為世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠，也是最中國(guó)內(nèi)地最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商今天宣布，其自2009年第三季開始在中芯國(guó)際北京12寸廠生產(chǎn)的65納米技術(shù)晶圓出貨累計(jì)已超過10,000片，目前已成功進(jìn)入

消費(fèi)電子
2010-08-04

中芯國(guó)際納米技術(shù) I/O 晶圓
中芯國(guó)際65納米晶圓出貨超萬片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司日前宣布，其自2009年第三季開始在中芯國(guó)際北京12寸廠生產(chǎn)的65納米技術(shù)晶圓出貨累計(jì)已超過10,000片，目前已成功進(jìn)入量產(chǎn)。中芯目前擁有超過10個(gè) FOT (Foundry Owned-Tooling) 和 COT(Cu

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-04

中芯國(guó)際納米技術(shù) I/O 晶圓
中芯國(guó)際65納米技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司作為世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠，也是最中國(guó)內(nèi)地最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商今天宣布，其自2009年第三季開始在中芯國(guó)際北京12寸廠生產(chǎn)的65納米技術(shù)晶圓出貨累計(jì)已超過10,000片，目前已成功進(jìn)入量

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2010-08-03

中芯國(guó)際納米技術(shù) I/O 晶圓
聯(lián)發(fā)科展望差封測(cè)廠期待8月下旬訂單回溫

手機(jī)芯片大廠聯(lián)發(fā)科(2454)上周五舉行法說會(huì)，對(duì)于第三季的展望保守，并指出將會(huì)有8%-15%的營(yíng)收季衰退幅度，其中手機(jī)芯片出貨量雖然微幅成長(zhǎng)，不過ASP競(jìng)爭(zhēng)壓力大。預(yù)料后段的IC封測(cè)廠包括硅格(6257)、京元電(2449)、

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2010-08-03

聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片 IC 晶圓
日月光收購(gòu)星測(cè)試公司

日月光(2311)繼完成環(huán)電收購(gòu)后，再次展開收購(gòu)行動(dòng)，這次為強(qiáng)化其新加坡子公司之半導(dǎo)體測(cè)試業(yè)務(wù)，昨日透過其子公司ASE Singapore Pte. Ltd.與EEMS Asia Pte Ltd.(下稱「EEMS Asia」)簽屬股權(quán)收購(gòu)合約，以67.7百萬美

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2010-08-03

終端新加坡 ASIA 晶圓
華潤(rùn)上華晶圓二廠（8英寸生產(chǎn)線）被評(píng)為“綠色企業(yè)”

在無錫市環(huán)境保護(hù)局組織的企業(yè)環(huán)境行為等級(jí)評(píng)定中，華潤(rùn)上華晶圓二廠（8英寸生產(chǎn)線）被評(píng)為“綠色企業(yè)”。依據(jù)企業(yè)環(huán)境行為的不同，無錫市環(huán)保局將所有參評(píng)企業(yè)的環(huán)境行為劃分為五個(gè)等級(jí)，“綠色企業(yè)”是環(huán)境行為最佳

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2010-08-02

晶圓
強(qiáng)化業(yè)務(wù)，日月光收購(gòu)eems test singapore

日月光(2311)為強(qiáng)化其新加坡子公司之半導(dǎo)體測(cè)試業(yè)務(wù)，于今日透過其子公司ase singapore pte. ltd.與eems asia pte ltd.簽屬股權(quán)收購(gòu)合約，以67.7百萬美元企業(yè)價(jià)值完成收購(gòu)eems asia之子公司eems test singapore 10

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2010-08-02

TEST 新加坡 ASIA 晶圓
投資46.8億八寸晶圓項(xiàng)目奠基

7月30日，福日能（包頭）高新科技有限公司八寸晶圓項(xiàng)目開工奠基儀式在稀土高新區(qū)濱河新區(qū)舉行。該項(xiàng)目的建設(shè)將實(shí)現(xiàn)包頭太陽能及電子級(jí)晶圓“零”的突破，對(duì)于延伸多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈、打造我市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)具有重要意義。

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2010-08-02

集成電路多晶硅單晶硅晶圓
TSMC2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元第三季增長(zhǎng)勢(shì)頭繼續(xù)

TSMC29日公布2010年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,049.6億元，稅后純益為新臺(tái)幣402.8億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.55元（換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.24美元）。與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后

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2010-08-02

通訊電腦 TSMC 晶圓
TSMC 2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元第三季增長(zhǎng)勢(shì)頭繼續(xù)

TSMC 29日公布2010年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,049.6億元，稅后純益為新臺(tái)幣402.8億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.55元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.24美元)。與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-02

通訊電腦 TSMC 晶圓
日月光2010年2Q表現(xiàn)

日月光第2季封測(cè)營(yíng)收為新臺(tái)幣316.97億元，季增16%；毛利率為26.2%，高于首季的23.5%。雖然有匯率和金價(jià)上漲等不利因素，但新制程效益顯現(xiàn)，包括銅導(dǎo)線、aQFN、擴(kuò)散型晶圓級(jí)封裝等營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)，而這些產(chǎn)品線毛利率高

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2010-08-02

封裝 QFN 晶圓
TSMC2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元

TSMC昨日公布2010年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,049.6億元，稅后純益為新臺(tái)幣402.8億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.55元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.24美元)。與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后純

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-07-30

電腦 MIDDOT TSMC 晶圓
瑞薩28奈米臺(tái)積代工

日本IDM大廠瑞薩電子（Renesas）宣布今年內(nèi)將進(jìn)行大規(guī)模精簡(jiǎn)措施，將裁撤4,000名員工，同時(shí)對(duì)生產(chǎn)體制進(jìn)行重新調(diào)整，其中瑞薩將停止28奈米以下先進(jìn)制程設(shè)備投資，未來28奈米以下芯片將全數(shù)交由臺(tái)積電及全球晶圓（Glo

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2010-07-30

先進(jìn)制程瑞薩電子晶圓臺(tái)積電
外資驚傳臺(tái)積下季出貨兩位數(shù)衰退

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看好下半年景氣，但外資圈并非全然樂觀，外資圈并驚傳，本季就是臺(tái)積電出貨頂峰（Peak），第四季晶圓出貨量恐呈現(xiàn)「兩位數(shù)衰退」。外資圈預(yù)言，臺(tái)積電等晶圓大廠下季40奈米產(chǎn)能將大舉釋出，

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2010-07-30

終端晶圓臺(tái)積電
惠瑞捷子公司推出用于高級(jí)DRAM測(cè)試的全晶圓探針

半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷 (Verigy)旗下全資子公司 Touchdown Technologies 推出了其 1Td300 全晶圓探卡，這是該公司首款用于高級(jí) DRAM 存儲(chǔ)器件單次觸壓、高容量測(cè)試的探卡。該產(chǎn)品能夠?qū)?300 mm或200 mm 晶圓進(jìn)行高并行

測(cè)試測(cè)量
2010-07-28

DRAM HD TECHNOLOGIES 晶圓
惠瑞捷子推出用于高級(jí)DRAM測(cè)試全晶圓探針

半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷(Verigy)旗下全資子公司TouchdownTechnologies推出了其1Td300全晶圓探卡，這是該公司首款用于高級(jí) DRAM存儲(chǔ)器件單次觸壓、高容量測(cè)試的探卡。該產(chǎn)品能夠?qū)?00mm或200mm晶圓進(jìn)行高并行測(cè)試(hi

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2010-07-27

DRAM HD TECHNOLOGIES 晶圓

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晶圓

晶圓雙雄接連調(diào)高資本支出拼市占

聯(lián)電Q3產(chǎn)能持續(xù)滿載季營(yíng)收成長(zhǎng)幅度約5至10%

聯(lián)電Q2獲利創(chuàng)5年多來新高第2季稅后凈利52.7億元

聯(lián)電Q2稅后凈利創(chuàng)5年半新高，EPS 0.42元

中芯國(guó)際65納米技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

中芯國(guó)際65納米晶圓出貨超萬片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

中芯國(guó)際65納米技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

聯(lián)發(fā)科展望差封測(cè)廠期待8月下旬訂單回溫

日月光收購(gòu)星測(cè)試公司

華潤(rùn)上華晶圓二廠（8英寸生產(chǎn)線）被評(píng)為“綠色企業(yè)”

強(qiáng)化業(yè)務(wù)，日月光收購(gòu)eems test singapore

投資46.8億八寸晶圓項(xiàng)目奠基

TSMC2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元第三季增長(zhǎng)勢(shì)頭繼續(xù)

TSMC 2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元第三季增長(zhǎng)勢(shì)頭繼續(xù)

日月光2010年2Q表現(xiàn)

TSMC2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元

瑞薩28奈米臺(tái)積代工

外資驚傳臺(tái)積下季出貨兩位數(shù)衰退

惠瑞捷子公司推出用于高級(jí)DRAM測(cè)試的全晶圓探針

惠瑞捷子推出用于高級(jí)DRAM測(cè)試全晶圓探針

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