晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

臺(tái)積電第三間12英寸工廠Fab15本月16日舉行動(dòng)工儀式

臺(tái)積電最近對(duì)外發(fā)放了一批動(dòng)工儀式邀請(qǐng)函，邀請(qǐng)函稱該公司定于本月16日在臺(tái)灣臺(tái)中科技園區(qū)將舉辦其Fab15工廠的破土動(dòng)工儀式。據(jù)臺(tái)積電CEO張忠謀今年4月份透露，臺(tái)積電Fab15工廠建成的初期將采用適合于40nm制程的規(guī)格

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-07-15

臺(tái)積電 FAB 晶圓制程技術(shù)
EVG與新加坡研究機(jī)構(gòu)將共同開發(fā)使用TSV的三維封裝技術(shù)

奧地利EV Group（EVG）與新加坡科技研究局（A*STAR）的微電子研究所（IME）宣布，雙方已就未來(lái)兩年共同開發(fā)使用硅通孔（TSV）的三維IC封裝技術(shù)達(dá)成一致。發(fā)布資料稱，雙方將共同開發(fā)以200mm及300mm晶圓為對(duì)象、

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2010-07-13

封裝技術(shù) 新加坡 EV 晶圓
花旗環(huán)球喊買晶圓雙雄

花旗環(huán)球表示，臺(tái)積電第三季營(yíng)收動(dòng)能仍強(qiáng)，盡管臺(tái)積電對(duì)于28奈米量產(chǎn)的規(guī)劃，稍微延后，但這是市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)制程的需求不強(qiáng)，臺(tái)積電的技術(shù)仍然位居領(lǐng)先地位，預(yù)估臺(tái)積電今年每股純益為5.89元，明年則持續(xù)成長(zhǎng)至6.24

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2010-07-12

先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓
聯(lián)電6月收入同比增長(zhǎng)26%

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣聯(lián)電周四宣布，公司6月份收入同比增長(zhǎng)26%，從上年同期的新臺(tái)幣82.4億元增至新臺(tái)幣103.4億元。聯(lián)電在公告中稱，截至6月30日的6個(gè)月收入同比增長(zhǎng)69%，從新臺(tái)幣334.7億元增至564.6億元。聯(lián)華電子沒

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2010-07-09

聯(lián)電聯(lián)華電子晶圓
全球探針卡銷售預(yù)估

根據(jù)研究調(diào)查機(jī)構(gòu)VLSI Research Inc.于2009年4月所發(fā)表的銷售報(bào)告，由于2008年受到金融風(fēng)暴之影響，導(dǎo)致民間消費(fèi)力減弱，間接造成半導(dǎo)體產(chǎn)能過剩，2008年銷售金額為 9.9億美元，較2007年衰退27%。 2009年持續(xù)受到

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2010-07-08

半導(dǎo)體市場(chǎng) LSI RESEARCH 晶圓
晶圓切割機(jī)大廠Disco上季營(yíng)收創(chuàng)史上次高訂單創(chuàng)新高

日本晶圓切割機(jī)大廠Disco 7月1日于日股盤后發(fā)布新聞稿宣布，上季(2010年4-6月)營(yíng)收(速報(bào)值)為202.36億日?qǐng)A，較前年同期暴增197%，較前一季(2010年1-3月)相比也成長(zhǎng)了17.8%，營(yíng)收并僅次于2007年度第2季(2007年7-9月

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2010-07-03

半導(dǎo)體廠商 LED 切割機(jī) 晶圓
惠瑞捷Direct-Probe解決方案

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備公司惠瑞捷(Verigy)著眼于此商機(jī)，在主要測(cè)試機(jī)臺(tái)V93000平臺(tái)中新增 Direct-Probe解決方案，提升該平臺(tái)的擴(kuò)充性。惠瑞捷SOC測(cè)試事業(yè)部副總Hans-Juergen Wagner表示，隨著晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)發(fā)

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2010-07-02

組件 DIRECT PROBE 晶圓
惠瑞捷推晶圓級(jí)芯片尺度封裝新解決方案

半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷（Verigy納斯達(dá)克交易代碼：VRGY）30日宣布，在其經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的V93000平臺(tái)中新增Direct-Probe解決方案，從而提升該平臺(tái)的擴(kuò)充性。這款針對(duì)數(shù)字、混合信號(hào)和無(wú)線通信集成電路的高性能針測(cè)產(chǎn)品在

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2010-07-01

芯片封裝 DIRECT 晶圓
國(guó)家半導(dǎo)體收購(gòu)無(wú)晶圓半導(dǎo)體廠商GTronix

模擬IC大廠國(guó)家半導(dǎo)體(NationalSemiconductorCorp.)21日發(fā)布新聞稿指出，該公司已收購(gòu)專精于可程序與適應(yīng)性模擬感測(cè)處理技術(shù)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司GTronixInc.，交易條件不予公開。GTronix的技術(shù)提供極低耗電量的雜音消

半導(dǎo)體
2010-06-27

半導(dǎo)體廠商國(guó)家半導(dǎo)體半導(dǎo)體收購(gòu) 晶圓
晶圓測(cè)試／硅格欣銓全智科營(yíng)收唱高調(diào)

晶圓代工產(chǎn)能預(yù)期仍會(huì)滿到今年第四季，讓封測(cè)業(yè)吃下定心丸。不僅封測(cè)雙雄日月光（2311）及硅品（2325）大幅上修資本支出，連二線封測(cè)廠硅格（6257）和欣銓（3264）也因大單到手，積極沖刺產(chǎn)能。硅格目前營(yíng)收結(jié)

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2010-06-26

半導(dǎo)體 5G手機(jī) 3G手機(jī) 晶圓
借世界杯3D概念熱潮 3D芯片聯(lián)盟誕生

又一個(gè)3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項(xiàng)3D多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)，以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來(lái)，Tezzaron一直在致力于研發(fā)

消費(fèi)電子
2010-06-25

DRAM PID 3D芯片晶圓
晶圓雙雄資本支出再調(diào)升

65奈米以下先進(jìn)制程需求暢旺，業(yè)內(nèi)傳出臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）第4季12吋廠接單已全數(shù)滿載，為了提高產(chǎn)能因應(yīng)強(qiáng)勁需求，晶圓雙雄可望在7月底法說會(huì)上，再度宣布調(diào)升今年資本支出。其中臺(tái)積電上看52-53億美元，聯(lián)

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2010-06-25

芯片聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
張忠謀：臺(tái)積電今年資本支出還會(huì)再加碼

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)董事長(zhǎng)張忠謀表示，若人民幣匯率升值，而新臺(tái)幣跟進(jìn)的話，對(duì)臺(tái)積電來(lái)說成本會(huì)增加，但臺(tái)積電在生產(chǎn)力與成本上都還有相當(dāng)?shù)倪M(jìn)步空間，因此會(huì)朝這兩個(gè)方向努力，來(lái)應(yīng)付增加的支出。張忠謀

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2010-06-24

TECHNOLOGY CAPACITY 臺(tái)積電晶圓
今年晶圓設(shè)備銷售成長(zhǎng)率上看113%

隨著IC需求持續(xù)成長(zhǎng)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測(cè)值。由于各大晶圓廠快速擴(kuò)張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(diǎn)(3xnode)制程，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年晶圓制造設(shè)備銷

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2010-06-24

DRAM 內(nèi)存晶圓制造晶圓
晶圓雙雄釋800億現(xiàn)金

繼晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）敲定7月6日為除息日后，同為晶圓雙雄的聯(lián)電（2303）昨（23）日也確定在同一周的8日除息，兩家晶圓代工廠合計(jì)釋出超過800億元現(xiàn)金股利。近期積極買超臺(tái)積電的外資，昨天則小幅調(diào)

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2010-06-24

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

東京大學(xué)在半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSITechnology”上宣布，該公司與富士通微電子（現(xiàn)富士通半導(dǎo)體）、大日本印刷、富士通研究所以及迪思科（Disco）共同在厚度降至10μm以下的半導(dǎo)體晶圓上形成

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2010-06-22

金屬 RAM 邏輯電路晶圓
新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

封測(cè)廠等了多年的IDM廠委外釋單，終于見到明顯增加，而會(huì)讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來(lái)的主要原因，卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今，英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外，英飛凌、德儀等大廠也

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2010-06-21

CPU 封裝 DM 晶圓
中美晶：半導(dǎo)體晶圓缺口達(dá)2成，Q3漲價(jià)3-10%

中美晶(5483)于15日召開股東常會(huì)，總經(jīng)理徐秀蘭在會(huì)后接受訪問時(shí)表示，目前中小尺吋半導(dǎo)體硅晶圓缺貨仍嚴(yán)重，以目前中美晶美國(guó)子公司Globitech已擴(kuò)產(chǎn)5成、臺(tái)灣和大陸廠已擴(kuò)3成的水平下，目前中美晶看到的供給缺口仍達(dá)

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2010-06-15

半導(dǎo)體晶圓廠硅晶圓晶圓
新聞分析－晶圓龍頭擴(kuò)產(chǎn) 先知先覺

晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布將今年資本支出一舉拉高到48億美元的歷史新高后，就一直備受外資分析師的質(zhì)疑，認(rèn)為臺(tái)積電此舉將導(dǎo)致2011年及2012年的半導(dǎo)體市場(chǎng)嚴(yán)重產(chǎn)能過剩。但是，臺(tái)積電能夠成為全球最大晶圓代工廠，靠得

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2010-06-14

3G手機(jī) 臺(tái)積電 FAB 晶圓
臺(tái)積電40奈米制程

臺(tái)積電的40奈米制程技術(shù)領(lǐng)先全球，該公司目前該制程在全球市占率已有80%以上。盡管2009年中曾出現(xiàn)良率問題，但經(jīng)過2個(gè)季度，臺(tái)積電認(rèn)為良率問題已獲得完全解決，估計(jì)40奈米制程占營(yíng)收比重在2009年第4季約9%。

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2010-06-11

臺(tái)積電 FAB 晶圓制程技術(shù)

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晶圓

臺(tái)積電第三間12英寸工廠Fab15本月16日舉行動(dòng)工儀式

EVG與新加坡研究機(jī)構(gòu)將共同開發(fā)使用TSV的三維封裝技術(shù)

花旗環(huán)球喊買晶圓雙雄

聯(lián)電6月收入同比增長(zhǎng)26%

全球探針卡銷售預(yù)估

晶圓切割機(jī)大廠Disco上季營(yíng)收創(chuàng)史上次高訂單創(chuàng)新高

惠瑞捷Direct-Probe解決方案

惠瑞捷推晶圓級(jí)芯片尺度封裝新解決方案

國(guó)家半導(dǎo)體收購(gòu)無(wú)晶圓半導(dǎo)體廠商GTronix

晶圓測(cè)試／硅格欣銓全智科營(yíng)收唱高調(diào)

借世界杯3D概念熱潮 3D芯片聯(lián)盟誕生

晶圓雙雄資本支出再調(diào)升

張忠謀：臺(tái)積電今年資本支出還會(huì)再加碼

今年晶圓設(shè)備銷售成長(zhǎng)率上看113%

晶圓雙雄釋800億現(xiàn)金

東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

中美晶：半導(dǎo)體晶圓缺口達(dá)2成，Q3漲價(jià)3-10%

新聞分析－晶圓龍頭擴(kuò)產(chǎn) 先知先覺

臺(tái)積電40奈米制程

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