晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

挑戰(zhàn)臺(tái)積電　全球晶圓首度公布20納米技術(shù)藍(lán)圖

全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來(lái)首屆全球技術(shù)論壇，會(huì)中展示28納米類比／混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)套件，并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù)，預(yù)計(jì)于第4季正式向客戶推出，

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2010-09-06

臺(tái)積電晶圓納米技術(shù) HP
全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化

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2010-09-06

飛思卡爾存儲(chǔ)器 ARM 晶圓
全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化

智能硬件
2010-09-06

飛思卡爾存儲(chǔ)器 ARM 晶圓
晶圓雙雄布局太陽(yáng)能9月齊鳴笛

晶圓雙雄臺(tái)積電及聯(lián)電9月紛將為旗下布局的太陽(yáng)能事業(yè)舉行動(dòng)工及開(kāi)幕儀式，雙方較勁意味濃厚，其中，臺(tái)積電銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能廠可望為臺(tái)灣揭開(kāi)新紀(jì)元，至于聯(lián)電旗下硅晶太陽(yáng)能電池廠聯(lián)景開(kāi)幕，顯示聯(lián)電水平及垂

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2010-09-06

太陽(yáng)能聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90奈米閃存技術(shù)

全球晶圓(Global Foundries)除了在28奈米制程上，宣布以28奈米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90奈米閃存技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)

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2010-09-03

飛思卡爾 ARM 閃存技術(shù) 晶圓
挑戰(zhàn)臺(tái)積電GF首度公布20奈米技術(shù)藍(lán)圖

全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來(lái)首屆全球技術(shù)論壇，會(huì)中展示28奈米模擬／混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)工具包，并推出新的28奈米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù)，預(yù)計(jì)于第4季正式向客戶推出

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2010-09-03

AMS 臺(tái)積電晶圓 HP
全球晶圓明年挑戰(zhàn)臺(tái)積

全球晶圓（Globalfoundries）美國(guó)時(shí)間1日宣布，旗下28奈米模擬／混合訊號(hào)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)工具包，預(yù)計(jì)明年初完成芯片驗(yàn)證，下半年可進(jìn)入量產(chǎn)。量產(chǎn)時(shí)間與臺(tái)積電（2330）僅拉近至不到半年，預(yù)料將掀起晶圓代工

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2010-09-03

模擬芯片驗(yàn)證臺(tái)積電晶圓
瑞信艾藍(lán)迪：全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將小幅沖擊臺(tái)積電成長(zhǎng)目標(biāo)

全球晶圓(GlobalFoundries)日前在美西舉行的科技論壇宣布，未來(lái)5年將有積極的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，瑞信證券最新報(bào)告指出，一旦全球晶圓達(dá)成擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330-TW)市占率將受沖擊，合理看來(lái)，臺(tái)積電年復(fù)和

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2010-09-02

AMD AMS 臺(tái)積電晶圓
LDK彭小峰：多晶硅供需缺口達(dá)2成

矽晶圓龍頭江西賽維(LDK)董事長(zhǎng)彭小峰近日表示，由于半導(dǎo)體、太陽(yáng)能(Semiconductor、Solar;簡(jiǎn)稱2S產(chǎn)業(yè))需求同處高峰期，所以目前全球多晶矽出現(xiàn)供不應(yīng)求，供需缺口達(dá)2成。LDK在太陽(yáng)能領(lǐng)域發(fā)展模式將朝「啞鈴型」模式

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-02

光電多晶硅 SOLAR 晶圓
力晶大放送日月鴻上半年出運(yùn)

日月光及力晶合資的內(nèi)存封測(cè)廠日月鴻（3620）公布上半年財(cái)報(bào)，不僅毛利率高達(dá)37.9％，稅后凈利達(dá)4.125億元，超過(guò)去年全年獲利水平，上半年每股凈利為1.02元。由于力晶已開(kāi)始以50奈米量產(chǎn)，年底前又將轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米，所以

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2010-09-02

DRAM 內(nèi)存封裝晶圓
中芯國(guó)際致信股東：踏出持續(xù)盈利步伐

中芯國(guó)際董事會(huì)發(fā)布致股東公開(kāi)信，并表示中芯國(guó)際已經(jīng)踏出了邁向持續(xù)盈利之路的堅(jiān)實(shí)步伐。以下是公開(kāi)信全文：親愛(ài)的股東們：我們剛剛度過(guò)一個(gè)寫(xiě)滿艱難挑戰(zhàn)的2009年，就迎來(lái)了一個(gè)充滿發(fā)展機(jī)遇的2010年。今年上半年的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-31

中芯國(guó)際晶圓納米技術(shù)
芯國(guó)際上半年銷售額同比增77% 達(dá)7.3億美元

（吳迪）8月27日，中芯國(guó)際公布未經(jīng)審核的中期業(yè)績(jī)，時(shí)間范圍截至2010年6月30日，共6個(gè)月。業(yè)績(jī)顯示，上半年中芯國(guó)際銷售額由截至2009年6月30日止6個(gè)月的4.139億美元增加77.0%至截至2010年6月30日止6個(gè)月的7.3

消費(fèi)電子
2010-08-30

中芯國(guó)際晶圓
GF半導(dǎo)體威脅臺(tái)積電：對(duì)自己有信心

美臺(tái)商業(yè)協(xié)會(huì)（US-Taiwan Business Council）今天呼吁臺(tái)灣政府，審慎因應(yīng)來(lái)自阿拉伯聯(lián)合大公國(guó)日益強(qiáng)大的半導(dǎo)體工業(yè)挑戰(zhàn)，指的就是來(lái)自全球晶圓(Global Foundries)公司的威脅。對(duì)此，臺(tái)積電指出，對(duì)自己的競(jìng)爭(zhēng)能力

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2010-08-27

半導(dǎo)體 GLOBAL 臺(tái)積電晶圓
全球最大太陽(yáng)能電池廠動(dòng)工　新日光將快速躍居前3大

太陽(yáng)能電池廠新日光25日舉行臺(tái)南廠動(dòng)工典禮，該廠規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)34億瓦(3.4GWp)，將成為全球最大單一太陽(yáng)能電池廠，董事長(zhǎng)林坤禧表示，該廠加入后，將使新日光快速躍居全球前3大太陽(yáng)能電池制造商。新日光25日舉行臺(tái)南廠

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-27

太陽(yáng)能電池 4G 晶圓
成本漲、售價(jià)降歐洲太陽(yáng)能模塊廠兩頭燒

因?yàn)榭剂康缴a(chǎn)成本關(guān)系，歐洲太陽(yáng)能模塊廠有相當(dāng)大的比例已依賴兩岸的太陽(yáng)能電池供貨，但兩岸太陽(yáng)能電池第3季未因德國(guó)下砍補(bǔ)助而降價(jià)、反而還漲價(jià)，使諸多專攻德國(guó)市場(chǎng)的歐系模塊廠面恐面臨「兩頭燒」的窘境，此時(shí)也

半導(dǎo)體
2010-08-26

供應(yīng)鏈太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能模塊晶圓
晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充　2011年恐供過(guò)于求

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)脫離2009年經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴后迅速?gòu)?fù)蘇，晶圓代工大廠紛紛增加資本支出，并向高階制程靠攏，今年除推展40奈米(nm)制程外，28和20奈米制程規(guī)畫(huà)也如火如荼展開(kāi)。分析師預(yù)測(cè)，隨著新產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出，2011年全球晶圓

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2010-08-24

晶圓代工 DM 臺(tái)積電晶圓
迎戰(zhàn)三星、全球晶圓臺(tái)積電忙搶人才

隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘(advancedoffer)方式，搶大專院

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2010-08-24

三星 EUV 臺(tái)積電晶圓
新材料突破晶圓片銷臺(tái)積電

上海市積極發(fā)展新材料科技達(dá)重要突破，晶圓外延片已能達(dá)到自主供應(yīng)，并同時(shí)外銷臺(tái)灣晶圓龍頭臺(tái)積電。上海市經(jīng)濟(jì)信息化委員會(huì)表示，將全力發(fā)展新材料，預(yù)估今年產(chǎn)值達(dá)1200億元（人民幣，下同）以上。上海著重發(fā)展新

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2010-08-24

DVD 新材料臺(tái)積電晶圓
第二季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率達(dá)到95.6%

綜合外電報(bào)導(dǎo)，SemiconductorInternationalCapacityStatistics(SICAS)報(bào)告顯示，今(2010)年第二季大多數(shù)先進(jìn)晶片產(chǎn)能利用率已逼近100%；而且雖然代工業(yè)者擴(kuò)大了產(chǎn)能，該季整體利用率仍維持在穩(wěn)定的水準(zhǔn)，為95.6%，相

半導(dǎo)體
2010-08-24

半導(dǎo)體晶片 SEMICONDUCTOR 晶圓
迎戰(zhàn)三星、全球晶圓　臺(tái)積電忙搶人才

隨著三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘 (advanced offer)方式，搶大

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-24

三星 EUV 臺(tái)積電晶圓

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晶圓

挑戰(zhàn)臺(tái)積電　全球晶圓首度公布20納米技術(shù)藍(lán)圖

全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

晶圓雙雄布局太陽(yáng)能9月齊鳴笛

全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90奈米閃存技術(shù)

挑戰(zhàn)臺(tái)積電GF首度公布20奈米技術(shù)藍(lán)圖

全球晶圓明年挑戰(zhàn)臺(tái)積

瑞信艾藍(lán)迪：全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將小幅沖擊臺(tái)積電成長(zhǎng)目標(biāo)

LDK彭小峰：多晶硅供需缺口達(dá)2成

力晶大放送日月鴻上半年出運(yùn)

中芯國(guó)際致信股東：踏出持續(xù)盈利步伐

芯國(guó)際上半年銷售額同比增77% 達(dá)7.3億美元

GF半導(dǎo)體威脅臺(tái)積電：對(duì)自己有信心

全球最大太陽(yáng)能電池廠動(dòng)工　新日光將快速躍居前3大

成本漲、售價(jià)降歐洲太陽(yáng)能模塊廠兩頭燒

晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充　2011年恐供過(guò)于求

迎戰(zhàn)三星、全球晶圓臺(tái)積電忙搶人才

新材料突破晶圓片銷臺(tái)積電

第二季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率達(dá)到95.6%

迎戰(zhàn)三星、全球晶圓　臺(tái)積電忙搶人才

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