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全球首款采用3D芯片堆疊的數(shù)據(jù)中心CPU來了，由AMD推出
當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月21日，加利福尼亞州圣克拉拉訊 – AMD(超威)宣布推出世界首款采用3D芯片堆疊的數(shù)據(jù)中心CPU，即采用AMD 3D V-Cache技術(shù)的第三代AMD EPYC(霄龍)處理器，代號“Milan-X(米蘭-X)”。這些處理器基于“Zen 3”核心架構(gòu)，進(jìn)一步擴(kuò)大了第三代EPYC處理器系列產(chǎn)品，相比非堆疊的第三代AMD EPYC處理器，可為各種目標(biāo)技術(shù)計(jì)算工作負(fù)載提供高達(dá)66%的性能提升。
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全球3D芯片及模組引領(lǐng)者，強(qiáng)勢登陸中國市場
銀牛微電子（Inuitive）重磅推出“3D機(jī)器視覺模組C158”，立足3D視覺+SLAM+AI算法，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)提供全球先進(jìn)的3D機(jī)器視覺產(chǎn)品
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超越摩爾的3D芯片，如何實(shí)現(xiàn)全流程設(shè)計(jì)加速？
摩爾定律的延續(xù)在橫向上的可以靠chiplet等先進(jìn)封裝方式來實(shí)現(xiàn)，所以3D芯片設(shè)計(jì)的效率將決定我們走的有多快。芯片越復(fù)雜，設(shè)計(jì)也就愈復(fù)雜；芯片設(shè)計(jì)全流程的集成和數(shù)據(jù)打通將會是EDA工具的必然發(fā)展方向。
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3D芯片堆棧技術(shù)向數(shù)據(jù)中心拋媚眼
運(yùn)算密度跟不上因特網(wǎng)流量增加速度，數(shù)據(jù)中心分析之?dāng)?shù)據(jù)量的成長速度前所未有;要解決這個(gè)問題，需要更大的內(nèi)存帶寬，而這是3D芯片堆棧技術(shù)展現(xiàn)其承諾的一個(gè)領(lǐng)域。
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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù)
三星計(jì)劃明年開始與臺積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
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高清裸眼3D單芯片最佳解決方案
近年來，隨著平板顯示技術(shù)與相關(guān)材料領(lǐng)域技術(shù)的不斷進(jìn)步，以及好萊塢對3D顯示技術(shù)的運(yùn)用和推動，3D顯示技術(shù)正離我們越來越近。這種對3D顯示的追求是符合顯示技術(shù)發(fā)展規(guī)律的。在顯示領(lǐng)域中，我們經(jīng)歷
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腦科學(xué)屆的革命：3D芯片精確控制腦神經(jīng)
網(wǎng)絡(luò)與多媒體芯片大廠瑞昱半導(dǎo)體，于2013 CES展示全方位通訊網(wǎng)路及多媒體芯片解決方案，包括：最新一代IEEE 802.11ac，提供了比目前普遍使用的802.11n快三倍以上的速度，同時(shí)
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3D打印全液體“芯片實(shí)驗(yàn)室”，實(shí)現(xiàn)裝置可編程、可重配
芯片上的實(shí)驗(yàn)室-微流控芯片技術(shù)(Microfluidics)是把生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)分析過程的樣品制備、反應(yīng)、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上， 自動完成分析全過程。由于它在生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的巨大潛力，已經(jīng)發(fā)展成為一個(gè)生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)、流體、電子、材料、機(jī)械等學(xué)科交叉的嶄新研究領(lǐng)域。
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新思科技設(shè)計(jì)平臺能先進(jìn)到什么地步呢？
新思科技宣布新思科技設(shè)計(jì)平臺(Synopsys Design Platform)已通過臺積電最新系統(tǒng)整合芯片3D芯片堆棧(chip stacking)技術(shù)的認(rèn)證，其全平臺的實(shí)現(xiàn)能力，輔以具備高彈性的參考流程，能協(xié)助客戶進(jìn)行行動運(yùn)算、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)性和汽車電子應(yīng)用，對于高效能、高連結(jié)和多芯片技術(shù)等設(shè)計(jì)解決方案的部署。
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國內(nèi)首款3D AI/MR芯片即將量產(chǎn)
“芯片是人工智能及混合現(xiàn)實(shí)(AI/MR)的基礎(chǔ)，是各項(xiàng)功能、應(yīng)用場景實(shí)現(xiàn)的核心?！苯?，在接受21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道等媒體采訪時(shí)，華捷艾米研發(fā)副總裁王行直言道。這也就意味著，唯有掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片技術(shù)和產(chǎn)品，中國才能在新興技術(shù)領(lǐng)域打破受制于人的局面。
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全球首款3D原子級硅量子芯片架構(gòu)問世，向量子計(jì)算機(jī)又近一步
澳大利亞新南威爾士大學(xué)近日發(fā)布消息稱，該校量子計(jì)算與通信技術(shù)卓越中心（CQC2T）的研究人員已經(jīng)證明，他們開創(chuàng)性的單原子技術(shù)可以適用于構(gòu)建3D硅量子芯片，實(shí)現(xiàn)具有精確的層間對準(zhǔn)和高精度的自旋狀態(tài)測量，
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構(gòu)建未來計(jì)算引擎，英特爾下注3D芯片堆疊技術(shù)
外媒The Next Platform隨即發(fā)布了一篇深度分析文章,對Tick-Tock模式演進(jìn)和Foveros 3D芯片封裝技術(shù)進(jìn)行了深度解析。作者認(rèn)為,面臨壓力,英特爾能從現(xiàn)有工藝中釋放出超乎想象的更高性能;而Foveros將在不久的將來為英特爾計(jì)算引擎的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。
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先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點(diǎn)互連
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一：瞬時(shí)液相(TLP)鍵合，在此過程中，全部Sn焊料熔化，隨后通過與焊料盤的作用及凸點(diǎn)下金屬化層(UMB)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物。這些金屬間化合物的特點(diǎn)是比焊料本身有更高的熔點(diǎn)。
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解決3D芯片堆疊難題，突破摩爾定律微縮限制
為了解決3D芯片堆疊時(shí)的液體冷卻問題，美國國防部先進(jìn)研究計(jì)劃署(DARPA)與IBM、喬治亞理工學(xué)院合作展開芯片內(nèi)/芯片間增強(qiáng)冷卻計(jì)劃，如今已經(jīng)開發(fā)出一種使用絕緣介電質(zhì)制冷劑(以取代水)的途徑。
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3D芯片堆棧技術(shù)向數(shù)據(jù)中心拋媚眼
運(yùn)算密度跟不上因特網(wǎng)流量增加速度，數(shù)據(jù)中心分析之?dāng)?shù)據(jù)量的成長速度前所未有;要解決這個(gè)問題，需要更大的內(nèi)存帶寬，而這是3D芯片堆棧技術(shù)展現(xiàn)其承諾的一個(gè)領(lǐng)域。
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速加快 芯片制造工藝技術(shù)不斷推進(jìn)
對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，經(jīng)歷了2015年的產(chǎn)業(yè)大整合之后，整個(gè)產(chǎn)業(yè)競爭格局已經(jīng)發(fā)生了深刻的變化。
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3D集成系統(tǒng)的測試自動化
封裝技術(shù)的進(jìn)步推動了三維(3D)集成系統(tǒng)的發(fā)展。3D集成系統(tǒng)可能對基于標(biāo)準(zhǔn)封裝集成技術(shù)系統(tǒng)的性能、電源、功能密度和外形尺寸帶來顯著改善。雖然這些高度集成系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和測試要求仍在不斷變化，但很顯然先進(jìn)的測試自
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3D IC發(fā)展尚需時(shí)日
【導(dǎo)讀】“發(fā)展3D IC時(shí)所面臨的問題，不是單一工具可以解決的，”新思 (Synopsys ， Inc.)總裁兼營運(yùn)長陳志寬指出，“每一顆3D芯片都是從數(shù)個(gè)2D元件所組成的，特別是在異質(zhì)芯片的整合上，存儲器、邏輯、類比混合訊號
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新I/O技術(shù)有望成為實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑
【導(dǎo)讀】低成本有機(jī)基板搭配新的I/O技術(shù)有望成為實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑，NVIDIA公司首席科學(xué)家兼研發(fā)副總裁William Dally表示。 摘要： 低成本有機(jī)基板搭配新的I/O技術(shù)有望成為實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑，NVI
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應(yīng)用材料公司推出全新PVD沉積系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高成本效益的3D芯片垂直集成
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司今天宣布推出Endura® Ventura™ PVD 系統(tǒng)。該系統(tǒng)沿襲了應(yīng)用材料公司在業(yè)界領(lǐng)先的PVD技術(shù)，并融入了公司最新創(chuàng)新成果，
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