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NVIDIA首席科學(xué)家談3D芯片、中國崛起
GTC 2012大會上，曾擔(dān)任斯坦福大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)系主任的NVIDIA首席科學(xué)家Bill Dally在接受EE Times采訪時談到了3D整合電路，技術(shù)層面上中國的崛起以及美國研發(fā)投資的現(xiàn)狀。關(guān)于3D芯片方面，Dally稱GPU的未來存在著整合
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硅通孔的3D芯片堆疊并非最新技術(shù)
據(jù)報(bào)道，目前最先進(jìn)的技術(shù)應(yīng)該是使用硅通孔的3D芯片堆疊，幾乎主要的半導(dǎo)體公司都在研究這種技術(shù)。去年舉行的國際固態(tài)電路會議上，三星公開宣布了其2.5D技術(shù)，據(jù)稱這種2.5D技術(shù)非常適合位于在系統(tǒng)級芯片上進(jìn)行帶硅通
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3D芯片堆疊并非最新技術(shù)
據(jù)報(bào)道，目前最先進(jìn)的技術(shù)應(yīng)該是使用硅通孔的3D芯片堆疊，幾乎主要的半導(dǎo)體公司都在研究這種技術(shù)。 去年舉行的國際固態(tài)電路會議上，三星公開宣布了其2.5D技術(shù)，據(jù)稱這種2.5D技術(shù)非常適合位于在系統(tǒng)級芯片上進(jìn)行帶硅
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多維設(shè)計(jì)技術(shù)力促3D芯片
您可能聽說過這樣的宣傳：隨著目前還是平面結(jié)構(gòu)的裸片向多層結(jié)構(gòu)的過渡，半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)在今后幾年內(nèi)將發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。為了使這種多層結(jié)構(gòu)具有可制造性，全球主要半導(dǎo)體組織作出了近10年的不懈努力，從明年開始三維（
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實(shí)現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導(dǎo)體
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3D芯片堆疊時代即將到來？GF晶圓廠更新
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司
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3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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3D芯片堆疊漸流行！GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實(shí)現(xiàn)20納米及3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導(dǎo)體
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)
公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領(lǐng)先的20nm技術(shù)平臺，在半導(dǎo)體晶圓處
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)
【IT168 資訊】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8實(shí)現(xiàn)20納米的3D芯片堆疊
21ic訊 GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上
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3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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應(yīng)用材料聯(lián)合IME建立3D芯片封裝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
應(yīng)用材料公司和新加坡科技研究局研究機(jī)構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學(xué)園區(qū)共同為雙方連手合作的先進(jìn)封裝卓越中心舉行揭幕典禮。該中心由應(yīng)用材料和 IME 合資超過 1 億美元設(shè)立，擁有14,000 平方英尺
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應(yīng)用材料聯(lián)合IME設(shè)立3D芯片封裝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
應(yīng)用材料公司和新加坡科技研究局研究機(jī)構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學(xué)園區(qū)共同為雙方連手合作的先進(jìn)封裝卓越中心舉行揭幕典禮。該中心由應(yīng)用材料和 IME 合資超過 1 億美元設(shè)立，擁有14,000 平方英尺
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應(yīng)用材料聯(lián)合IME設(shè)立3D芯片封裝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
應(yīng)用材料公司和新加坡科技研究局研究機(jī)構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學(xué)園區(qū)共同為雙方連手合作的先進(jìn)封裝卓越中心舉行揭幕典禮。該中心由應(yīng)用材料和 IME 合資超過 1 億美元設(shè)立，擁有14,000 平方英尺
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應(yīng)用材料聯(lián)合IME設(shè)立3D芯片封裝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
應(yīng)用材料公司和新加坡科技研究局研究機(jī)構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學(xué)園區(qū)共同為雙方連手合作的先進(jìn)封裝卓越中心舉行揭幕典禮。 該中心由應(yīng)用材料和 IME 合資超過 1 億美元設(shè)立，擁有14,000 平方英
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半導(dǎo)體業(yè)界呼吁半年內(nèi)制定出3D芯片堆疊標(biāo)準(zhǔn)
一位高通（Qualcomm）公司的主管稍早前表示，若要在2013年如期量產(chǎn)3D芯片，就必須在半年內(nèi)制定出3D芯片堆疊標(biāo)準(zhǔn)?！ 『孟⑹荍EDEC在今年一月初公布了對移動應(yīng)用處理器來說至關(guān)重要的Wide I/O存儲器初始標(biāo)準(zhǔn)。壞
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德國廠商宣布首款平板電腦2D轉(zhuǎn)3D芯片研制成功
雖然2D轉(zhuǎn)3D技術(shù)在電視領(lǐng)域的應(yīng)用正逐漸趨于成熟，但該技術(shù)在便攜機(jī)領(lǐng)域的使用還并不多見。好消息是，德國高效電源管理和音頻半導(dǎo)體解決方案廠商 Dialog Semiconductor日前宣布，他們已經(jīng)開發(fā)出了首款針對便攜產(chǎn)品使用
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Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術(shù)挑戰(zhàn)
美國半導(dǎo)體科技研發(fā)聯(lián)盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義出了wide I/O DRAM 之后的未來3D芯片(3D IC)技術(shù)殺手級應(yīng)用，以及
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美提名下一代殺手級應(yīng)用 3D芯片成最大技術(shù)挑戰(zhàn)
美國半導(dǎo)體科技研發(fā)聯(lián)盟Sematech旗下的3D Enablement Center(3DEC)與美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)、Semiconductor ResearchCorp.(SRC)，日前共同定義出了wideI/ODRAM之后的未來3D芯片(3DIC)技術(shù)殺手級應(yīng)用，以及將遭遇的
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