意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布,引領(lǐng)全球半導體技術(shù)升級的半導體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導體制
瑞士定位及無線模塊和芯片供應商u-blox和GLOBALFOUNDRIES日前共同宣布:基于GLOBALFOUNDRIES先進的65納米低功耗強化型(LPe)RF制程技術(shù)平臺的u-blox 7全球定位系統(tǒng)/全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)片上系統(tǒng)(GPS/GNSS SoC)已經(jīng)開
“當談到FinFET時,它必用在行動處理器上,我們才能真正感受到它的優(yōu)勢,”Globalfoundries技術(shù)長辦公室先進技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri稍早前臺北國際電腦展(Computex)期間的媒體活動上表示。他也指出,在次20nm
21ic訊 u-blox和GLOBALFOUNDRIES日前共同宣布:基于GLOBALFOUNDRIES 先進的65納米低功耗強化型(LPe)RF制程技術(shù)平臺的u-blox 7全球定位系統(tǒng)/全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)片上系統(tǒng)(GPS/GNSS SoC)已經(jīng)開始供貨。u blox集成電路
28nm 類比/混合訊號流程的延伸及驗證;20nm 進階支援通過初步認證里程碑 下周登場的設(shè)計自動化會議 (DAC) 將于加州舊金山揭幕,其中 GLOBALFOUNDRIES 擬利用高介電常數(shù)金屬閘極 (High-k Metal Gate, HKMG) 展示其
在一個溫暖、陽光明媚的日子,聯(lián)電(UMC)砸下2,400億興建的南科 Fab 12A 新廠正式動土。據(jù)表示,新廠完工時每月產(chǎn)能將達五萬片 300mm 晶圓,最初將采用 28nm 制程,隨后將轉(zhuǎn)移到 20nm 和 14nm 制程。該公司預計2013下
爾必達的部分債券持有人認為,對于公司的收購,美光科技的出價太低了,現(xiàn)在正在與韓國的海力士和美國的 Globalfoundries進行談判。該報道援引一位不愿透露姓名的人士的說法稱, Globalfoundries對爾必達在日本廣島的
爾必達的部分債券持有人認為,對于公司的收購,美光科技的出價太低了,現(xiàn)在正在與韓國的海力士和美國的 Globalfoundries進行談判。該報道援引一位不愿透露姓名的人士的說法稱, Globalfoundries對爾必達在日本廣島的
爾必達收購案生變:嫌美光出價低
barron`s.com報導,Piper Jaffray晶片分析師Gus Richard 14日發(fā)表研究報告指出,高通(Qualcomm)在臺積電(2330)28奈米製程技術(shù)才剛推出2-3季時,就直接要求臺積電代為生產(chǎn)其「MSM8960」晶片,這也導致供應出現(xiàn)延遲的情
據(jù)路透社報導,隸屬阿布達比官方Mubadala投資基金旗下的Advanced Technology Investment Co. (ATIC),過去兩年來都呈現(xiàn)虧損狀態(tài),且截至2011年底,累積赤字已達到11.2億美元。路透社報導指出,Mubadala在一份文件中表
據(jù)路透社報導,隸屬阿布達比官方Mubadala投資基金旗下的Advanced Technology Investment Co. (ATIC),過去兩年來都呈現(xiàn)虧損狀態(tài),且截至2011年底,累積赤字已達到11.2億美元。路透社報導指出,Mubadala在一份文件中表
GlobalFoundries 公司正在仔細考慮其 20nm 節(jié)點的低功耗和高性能等不同制程技術(shù),而在此同時,多家芯片業(yè)高層也齊聚一堂,共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ,以及進一步往 7nm 節(jié)點發(fā)展的途徑。IBM 的專家指出,下
【日經(jīng)BP社報道】美國GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日(美國時間)宣布,可在20nm工藝半導體晶圓上形成TSV(through-silicon via,硅通孔)的生產(chǎn)設(shè)備,已開始在該公司位于美國紐約州薩拉托加郡(Saratoga)的生
GLOBALFOUNDRIES日前宣布,在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上,公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導體
GlobalFoundries已開始在紐約的Fab 8廠房中安裝矽穿孔(TSV)設(shè)備。如果一切順利,該公司希望在2013下半年開始采用20nm及28nm制程技術(shù)制造3D堆疊晶片。據(jù)了解,GlobalFoundries正在和包括Amkor在內(nèi)的多家封裝廠合作開發(fā)
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布,在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示,旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠,已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司
GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上,公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導體
公司今天宣布,在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。表示,旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠,已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領(lǐng)先的20nm技術(shù)平臺,在半導體晶圓處
【IT168 資訊】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布,在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示,旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠,已開始安裝一套特殊