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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用，能實現(xiàn)更高能效和更佳性能
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HOLTEK新推出HT45F0006/36電磁爐MCU
Holtek針對電磁爐應(yīng)用領(lǐng)域，新推出HT45F0006/HT45F0036電磁爐Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供電磁爐所需的硬件保護(hù)電路，如電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過壓保護(hù)、過電流保護(hù)及臺階電壓偵測等。相較于前代產(chǎn)品，HT45F0006/HT45F0036提供更豐富的資源，內(nèi)建硬件輔助UL認(rèn)證功能，并提供硬件UART及I2C可用來與面板通信，同時也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標(biāo)準(zhǔn)測試。
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超結(jié)MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導(dǎo)體IGBT系列。
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Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器為隔離開關(guān)應(yīng)用提供浮動電源
提供高電壓與大電流，可驅(qū)動不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴(kuò)大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進(jìn)制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(tuán)(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴(kuò)產(chǎn)最為積極。
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第18屆中國研究生電子設(shè)計競賽全國總決賽落幕
（全球TMT2023年8月14日訊）第18屆中國研究生電子設(shè)計競賽（研電賽）全國總決賽暨頒獎典禮落幕。今年，來自全國53所高校的90支參賽隊伍報名了由德州儀器 (TI) 提供的企業(yè)命題，通過德州儀器行業(yè)先進(jìn)的技術(shù)方案與產(chǎn)品支持，電子工程專業(yè)學(xué)生們在研電賽舞臺充分展現(xiàn)電子設(shè)計專業(yè)...
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絕緣柵雙極晶體管的基本概述，在應(yīng)用上具有什么特點？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的優(yōu)點，還具備自身獨特的特性。本文將對絕緣柵雙極晶體管進(jìn)行基本概述，并介紹其在應(yīng)用上的特點。
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廠家有推出哪些絕緣柵雙極晶體管的系列產(chǎn)品？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品，包括其特點和應(yīng)用領(lǐng)域，為讀者了解IGBT的市場情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導(dǎo)。
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絕緣柵雙極晶體管是什么？有什么作用？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電力電子和驅(qū)動技術(shù)中廣泛應(yīng)用。本文將介紹IGBT的基本原理、結(jié)構(gòu)組成和工作原理，并探討其在電力變換和控制中的重要作用。
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Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率
為功率電子設(shè)計人員提供帶有全額快速恢復(fù)二極管的穩(wěn)健型175℃標(biāo)準(zhǔn)IGBT。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片，保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動
L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。
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對比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率零組件。
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電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。
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士蘭微2022年上半年凈利潤同比增長39.12%，主要在MOSFET、IGBT 大功率模塊（PIM）
8月22日，A股收盤后，士蘭微發(fā)布了2022年半年度報告，公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入41.85億元，同比增長26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤5.99億元，同比增長39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤5.03億元，同比增長25.11%;基本每股收益0.42元/股。公司分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入為 22.75 億元，較上年同期增長 33.13%。分立器件產(chǎn)品中，MOSFET、IGBT 大功率模塊(PIM)、肖特基管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管、TVS 管等產(chǎn)品的增 長較快，公司的超結(jié) MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵 MOSFET 等分立器件的技術(shù)平臺研發(fā) 持續(xù)獲得較快進(jìn)展，產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的水平。士蘭的分立器件和大功率模塊除了加快在白電、工業(yè)控制等市場拓展外，已開始加快進(jìn)入電動汽車、新能源等市場，預(yù)計公司的分立器件產(chǎn)品營收將繼續(xù)快速成長。
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我們的 IGBT 柵極驅(qū)動器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第1部分
我們中的許多人都熟悉低功率直流電機(jī)，因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機(jī)在幕后工作，以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機(jī)由具有不同要求和更高電流的電子設(shè)備驅(qū)動。在本文的第 1 部分中，我們將討論用于控制三相交流電機(jī)大電流的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的理論和要求。在第 2 部分中，我們將討論隔離要求和正確計算 IGBT 驅(qū)動功率量。
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我們的 IGBT 柵極驅(qū)動器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第2部分
在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，您將了解有關(guān)隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。 IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動電壓水平的確定、驅(qū)動芯片驅(qū)動功率的確定、短路保護(hù)電路等等。今天我們重點討論一下驅(qū)動電流以及功率的確定，也就是說如何確定一個驅(qū)動芯片電流能力是不是可以驅(qū)動一個特定型號的IGBT，如果不能驅(qū)動該如何增強(qiáng)驅(qū)動輸出能力。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 1 部分如何選擇 IGBT
IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件，它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點，在電壓電流轉(zhuǎn)換，電能輸出領(lǐng)域用的非常多，特別是在高壓大電流領(lǐng)域，IGBT占主導(dǎo)地位，是人類控制電能，利用電能的核心半導(dǎo)體器件之一，這種主要應(yīng)用在電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，我們統(tǒng)稱功率半導(dǎo)體
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 2 部分IGBT概述
N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導(dǎo)致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹
所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術(shù)復(fù)雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達(dá)到了100μm和200μm。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 4 部分?jǐn)?shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性一
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。
小莊2
huaohui
王林鑫
paderboy
01XO
01XO
jjsshen
侯森
漩渦銘人
wuyi1981
flamer
ohy3686
LUZHIYONG
liuchnegjie
zqykkkk
vftom3
zss113
李偉億
jhsch
cm1z
