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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹
所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術(shù)復雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 4 部分數(shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性一
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 5 部分數(shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性二
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 6 部分IGBT靜態(tài)特性
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ，正向電壓由J2結(jié)承擔，反向電壓由J1結(jié)承擔。 無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓 做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平， 限制了IGBT的某些應用范圍。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 7 部分IGBT動態(tài)特性
一個等效的 IBGT 模型，其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。
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IGBT 基礎(chǔ)教程：第 8 部分IGBT熱和機械特性
這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果，熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱為熱阻，是因為使用電氣模型根據(jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預測溫升。
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溫度監(jiān)控系統(tǒng)優(yōu)化電源設(shè)計中的冷卻系統(tǒng)
與低功率同類產(chǎn)品不同，MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產(chǎn)生大量熱量。因此，有效的熱管理對于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要，包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導體材料制成的設(shè)備。
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提高 IGBT 熱性能的 PCB 設(shè)計提示
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感，需要為化石燃料動力車輛開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內(nèi)燃機的設(shè)計具有較小的容積、較高的發(fā)動機轉(zhuǎn)速，并且能夠以較不濃的燃料混合物運行。
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IGBT工作原理？IGBT的主要應用領(lǐng)域有哪些？
IGBT相當于一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP型晶體管，它的簡化等效電路如圖(b)所示，圖中的RN為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。
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英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT ，進一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容
【2022年5月30日，德國慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管(FWD)、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT(PPI)，進一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該PPI專為輸配電應用而設(shè)計，是大電流模塊化多電平轉(zhuǎn)換器(MMC)、中壓驅(qū)動器、直流電網(wǎng)斷路器、風電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇。
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車用芯片大廠安森美(Onsemi)IGBT停止接單！國產(chǎn)廠商的機會來了？
據(jù)業(yè)內(nèi)人士爆料稱，車用芯片大廠安森美(Onsemi)深圳廠內(nèi)部人士透露，其車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)訂單已滿且不再接單，2022年-2023年產(chǎn)能已全部售罄，但不排除有部分客戶重復下單的可能。
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直流斷路器工況中IGBT的關(guān)斷特性測試與分析
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關(guān)鍵器件對斷路器整機分斷能力有著重要影響?，F(xiàn)對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據(jù)實際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進行超額定值的大電流關(guān)斷測試,并對測試結(jié)果進行理論分析,這對直流斷路器用IGBT的器件參數(shù)配置具有良好的指導意義。
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車規(guī)MCU產(chǎn)品陣容再擴充 比亞迪半導體推出全新8位通用MCU BS9000AMXX系列
如果說IGBT解決了汽車電動化的瓶頸，那MCU就是解決汽車智能化的關(guān)鍵，對汽車智能化發(fā)展起著決定性的作用。
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如何使用柵極驅(qū)動器設(shè)備來控制繼電器
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計用于以短時間高峰值電流驅(qū)動高頻容性負載，但我們知道它們還可以驅(qū)動感性負載，例如功率繼電器線圈嗎？這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器的秘密生命。 這不是新概念。當它們驅(qū)動感性負載時，它們通常以低得多的頻率切換，驅(qū)動電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動 IC 已用于驅(qū)動電感負載，例如柵極驅(qū)動變壓器，但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。
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直流斷路器工況中IGBT的關(guān)斷特性測試與分析
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關(guān)鍵器件對斷路器整機分斷能力有著重要影響?，F(xiàn)對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據(jù)實際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進行超額定值的大電流關(guān)斷測試,并對測試結(jié)果進行理論分析,這對直流斷路器用IGBT的器件參數(shù)配置具有良好的指導意義。
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突破！聞泰科技IGBT產(chǎn)品流片成功
安世半導體的IGBT產(chǎn)品流片成功，意味著聞泰科技在車規(guī)級半導體行業(yè)的發(fā)展再進一步，也將進一步帶動國內(nèi)車規(guī)級半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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我們的 IGBT 柵極驅(qū)動器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第1部分
我們中的許多人都熟悉低功率直流電機，因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作，以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設(shè)備驅(qū)動。在本文的第 1 部分中，我們將討論用于控制三相交流電機大電流的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的理論和要求。在第 2 部分中，我們將討論隔離要求和正確計算 IGBT 驅(qū)動功率量。
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我們的 IGBT 柵極驅(qū)動器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第2部分
在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，我們將了解有關(guān)隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。 對于任何工業(yè)電機驅(qū)動，必須確保輸入電路（低壓）和輸出電路（高壓）的電位分離。低壓側(cè)與控制電子設(shè)備接口，而高壓側(cè)連接到 IGBT。隔離是必要的，因為上部 IGBT 的發(fā)射極電位在直流母線的 DC+ 和 DC- 電位之間切換，其范圍可以在數(shù)百或數(shù)千伏之間。根據(jù)應用，必須遵守相應的電氣間隙和爬電距離標準以及符合測試電壓。觀察到的一些典型標準是：IEC60664-1、IEC60664-3、IEC61800-5-1 和 EN50124-1。
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如何檢測智能功率模塊IPM的故障?智能功率模塊主要參數(shù)解讀
在這篇文章中，小編將對智能功率模塊IPM的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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意法半導體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
2022年2月15日，中國---意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
