GBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
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在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電動/混合動力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高,因此,現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器在提供隔離功能時的最大功率限制及其實現(xiàn)機(jī)制。
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IGBT的發(fā)展對于很多行業(yè)都有益,但是在相當(dāng)長的一段時間里,IGBT的核心技術(shù)都被國外企業(yè)牢牢地把在手里。“核心技術(shù)之痛”依然橫亙在我們面前,在IGBT全球市場中,西門子旗下的子公司英飛凌占有率全面領(lǐng)先,IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和 36.5%。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。
如果正輸入電壓通過柵極,發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面,如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù),則會關(guān)閉電路應(yīng)用。
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在下述的內(nèi)容中,小編將會對基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動電路予以介紹,如果IGBT推挽驅(qū)動電路是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
在這篇文章中,小編將詳細(xì)分析如何檢測比亞迪高壓電控總成IGBT模塊,以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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隨著電子技術(shù)的提高,以及電子產(chǎn)品的發(fā)展,一些系統(tǒng)中經(jīng)常會需要負(fù)電壓為其供電。例如,在大功率變頻器,會使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓
Holtek持續(xù)精進(jìn)電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開發(fā),再推出更具性價比的電磁爐Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源,如硬件輔助UL認(rèn)證功能、硬件I2C可與面板通信及過電流保護(hù)及臺階電壓偵測功能等,同時也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢,如電磁爐所需的硬件保護(hù)電路(電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過壓保護(hù))、PPG含硬件抖頻功能,使電磁爐工作于高功率時,可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾,減少抗EMI元件成本,并通過EMI標(biāo)準(zhǔn)測試。