搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長(zhǎng),近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
智能功率模塊將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象,通過這篇文章,小編希望大家可以對(duì)智能功率模塊的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
在這篇文章中,小編將對(duì)智能功率模塊相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
摘要:隨著無線充電技術(shù)的發(fā)展,電磁感應(yīng)式無線充電器占據(jù)了市場(chǎng)的龍頭。對(duì)于電場(chǎng)耦合式無線充電,目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)極為少見。文章針對(duì)基于電場(chǎng)耦合原理進(jìn)行簡(jiǎn)單無線充電電路設(shè)計(jì),采用TL494組成脈寬調(diào)制控制電路并用669、649對(duì)管和IRF740組成的功率放大電路模塊組成發(fā)電端,用TPS5430降壓轉(zhuǎn)換器組成電路充電后級(jí)穩(wěn)壓模塊。本系統(tǒng)電路的充電效率能夠穩(wěn)定在50%左右,且用實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了電場(chǎng)耦合原理進(jìn)行無線充電的可行性。
N溝型的 IGBT工作是通過柵極-發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的(正)電壓,在柵極電極正下方的p層上形成反型層(溝道),開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。
2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中,排名前10的分別為:Infineon,F(xiàn)ujiElectric,Mitsubishi,ON,Toshiba,ST,Littlefuse,RenesasElectronics,MagnaChip,HangzhouSilan。2020年全球...
世界讀書日WorldBookDay點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊,給這片山川湖海圍上了柵欄,不放出那匹脫韁野馬,這樣就不會(huì)有人從我假意的冷淡里,拎出些滾燙的秘密。by陳大力自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊,給這片山川湖海圍上了柵欄...
IGBT數(shù)據(jù)表中連續(xù)集電極電流IC,也稱為直流集電極電流,先對(duì)比一下二家不同公司的額定電流相同的IGBT產(chǎn)品(10A/600V)的數(shù)據(jù)表,可以看到標(biāo)稱的連續(xù)集電極電流IC的差異。廠家1:廠家2:在數(shù)據(jù)表中,25℃和100℃時(shí),二個(gè)標(biāo)稱相同額定電流的IGBT,IC并不相同。那么,I...
2020年,功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期依然非常長(zhǎng)。下游需求旺盛,功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET和IGBT的市場(chǎng)供給仍然處于非常緊張的狀態(tài),這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
2020年,功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期非常長(zhǎng)。下游需求旺盛,功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET市場(chǎng)供給仍然處于緊張的狀態(tài),一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu),在其年...
?1.?引言??進(jìn)入二十一世紀(jì)以來,以大規(guī)模風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能發(fā)電為代表的新能源是我國(guó)未來能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重點(diǎn)發(fā)展方向,而傳統(tǒng)的交流輸電和直流輸電技術(shù)已經(jīng)難以滿足以大規(guī)模風(fēng)電和太陽(yáng)能發(fā)電安全可靠接入電網(wǎng)的迫切需求。而基于高壓大功率電力電子技術(shù)的靈活交流輸電和高壓直流輸電是未來智能電網(wǎng)...
“是說芯語(yǔ)”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片...
MOSFET和IGBT的對(duì)比
摘要:針對(duì)并聯(lián)有源電力濾波器在運(yùn)行過程中會(huì)多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題,經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒 于IGBT的關(guān)斷時(shí)間極短,連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會(huì)產(chǎn)生尖峰過電壓,并與原有電壓疊加,從而 對(duì)IGBT的安全構(gòu)成威脅 。文中為設(shè)計(jì)的100 kVA并聯(lián)有源電力濾波器所選擇的IGBT模塊設(shè)計(jì)了一種緩沖電路,從而解決了 IGBT模塊爆炸的問題,保證了并聯(lián)有源電力濾波器的安全運(yùn)行。
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什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融...
【2021年9月7日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
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2021年9月6日,模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融...