電機和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設計的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設計定制電機和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力,但從長遠來看,這樣做的成本很高,而且會延誤設計進度。
缺芯,一直是我國科技產(chǎn)業(yè)揮之不去的痛。因為芯片的作用實在太大了,發(fā)展至今它已經(jīng)滲透到我們的方方面面,比如汽車、各種智能家居、電子產(chǎn)品的正常使用,都依賴于一顆小小的芯片。
搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
智能功率模塊將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對智能功率模塊的相關情況以及信息有所認識和了解,詳細內(nèi)容如下。
在這篇文章中,小編將對智能功率模塊相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
摘要:隨著無線充電技術的發(fā)展,電磁感應式無線充電器占據(jù)了市場的龍頭。對于電場耦合式無線充電,目前在國內(nèi)市場極為少見。文章針對基于電場耦合原理進行簡單無線充電電路設計,采用TL494組成脈寬調(diào)制控制電路并用669、649對管和IRF740組成的功率放大電路模塊組成發(fā)電端,用TPS5430降壓轉換器組成電路充電后級穩(wěn)壓模塊。本系統(tǒng)電路的充電效率能夠穩(wěn)定在50%左右,且用實驗結果證明了電場耦合原理進行無線充電的可行性。
N溝型的 IGBT工作是通過柵極-發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的(正)電壓,在柵極電極正下方的p層上形成反型層(溝道),開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。
2020年全球分立IGBT器件主要供應商中,排名前10的分別為:Infineon,F(xiàn)ujiElectric,Mitsubishi,ON,Toshiba,ST,Littlefuse,RenesasElectronics,MagnaChip,HangzhouSilan。2020年全球...
世界讀書日WorldBookDay點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦!自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊,給這片山川湖海圍上了柵欄,不放出那匹脫韁野馬,這樣就不會有人從我假意的冷淡里,拎出些滾燙的秘密。by陳大力自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊,給這片山川湖海圍上了柵欄...
IGBT數(shù)據(jù)表中連續(xù)集電極電流IC,也稱為直流集電極電流,先對比一下二家不同公司的額定電流相同的IGBT產(chǎn)品(10A/600V)的數(shù)據(jù)表,可以看到標稱的連續(xù)集電極電流IC的差異。廠家1:廠家2:在數(shù)據(jù)表中,25℃和100℃時,二個標稱相同額定電流的IGBT,IC并不相同。那么,I...
2020年,功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期依然非常長。下游需求旺盛,功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET和IGBT的市場供給仍然處于非常緊張的狀態(tài),這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
2020年,功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期非常長。下游需求旺盛,功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET市場供給仍然處于緊張的狀態(tài),一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場研究機構,在其年...
?1.?引言??進入二十一世紀以來,以大規(guī)模風力發(fā)電、太陽能發(fā)電為代表的新能源是我國未來能源結構調(diào)整的重點發(fā)展方向,而傳統(tǒng)的交流輸電和直流輸電技術已經(jīng)難以滿足以大規(guī)模風電和太陽能發(fā)電安全可靠接入電網(wǎng)的迫切需求。而基于高壓大功率電力電子技術的靈活交流輸電和高壓直流輸電是未來智能電網(wǎng)...
“是說芯語”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片...
MOSFET和IGBT的對比
摘要:針對并聯(lián)有源電力濾波器在運行過程中會多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題,經(jīng)過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒 于IGBT的關斷時間極短,連接導線上寄生的微小雜散電感在高頻開關的作用下會產(chǎn)生尖峰過電壓,并與原有電壓疊加,從而 對IGBT的安全構成威脅 。文中為設計的100 kVA并聯(lián)有源電力濾波器所選擇的IGBT模塊設計了一種緩沖電路,從而解決了 IGBT模塊爆炸的問題,保證了并聯(lián)有源電力濾波器的安全運行。
點擊藍字?關注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉載!國際能源署的數(shù)據(jù)顯示,到2030年,太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達到3,300TWh,與2019年的水平相比,年增率為15%[1],這意味著能源供應的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融...
【2021年9月7日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
點擊藍字?關注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉載!國際能源署的數(shù)據(jù)顯示,到2030年,太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達到3,300TWh,與2019年的水平相比,年增率為15%[1],這意味著能源供應的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...