IGBT

太陽能逆變器效率如何?太陽能逆變器作用介紹!

逆變器是工業(yè)、生活中常用設備之一，即便是家用電器中，也存在逆變器的身影。

仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。

深度剖析IGBT的結構與工作原理

IGBT的結構如下圖所示，一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，有兩個N區(qū)，其中一個N區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。另一個N區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P和P-區(qū)，溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)...

可顯著降低家用電器功耗，東芝IGBT產品又添新成員！

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！近日，東芝新推出了一款額定值為1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，擴充了其IGBT產品陣容。新產品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器，例如IH電磁爐、IH電飯煲和微波爐。GT30N135SRAGT30N...

大功率晶閘管參數解析之正向特性

功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。

極端溫度半導體解決方案供應商CISSOID授權世強硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產品

7月，來自比利時的高溫半導體解決方案供應商CISSOID正式與世強硬創(chuàng)電商簽署授權代理協(xié)議，授權其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產品。

英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率

近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產品組合，具有650 V阻斷電壓。

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍

如何用一顆IGBT撬動電動汽車逆變器？

ROHM開發(fā)出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

損耗比以往IGBT產品低67%，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備功耗

Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權，正式更名為Nexperia Newport

這家威爾士半導體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導體等車規(guī)級產品的生產

全面智能化與低碳減排并重，英飛凌無錫工廠繼續(xù)升級擴能

1995年英飛凌無錫工廠成立，歷經20多年的發(fā)展后，現已經成為了其大中華區(qū)最大的制造基地、其全球最為重要的IGBT制造中心之一。

功率半導體掀新一輪漲價潮：預計漲幅12%

據媒體報道，全球功率半導體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產品漲價，MOSFET的漲幅將有12%，預計本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導體廠商也在近期發(fā)布了漲價通知。

英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅動器系列推出增強型隔離產品

近日，英飛凌科技股份公司進一步壯大了其易于設計使用的EiceDRIVER? X3 Compact(1ED31xx)、高靈活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模擬(1ED34xx)和數字(1ED38xx)柵極驅動器系列，分別推出了增強型隔離產品，旨在提升應用安全性和延長使用壽命。

關于UPS電源過早發(fā)生故障的一些原因以及解決方法解析

隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產品，那么你一定不知道這些產品的一些組成，比如UPS電源。

ROHM開發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”

～有助于進一步減少白色家電和小型工業(yè)設備的功耗和設計工時～

IGBT原來是這么玩的！

傳統(tǒng)的功率器件根據主要導電載流子一般分為多子和少子器件，少子器件主要包括二極管，BJT，晶閘管，GTO等，這些器件導通的時候電流至少經過一個PN節(jié)，并且電子和空穴同時導電，其都是進入對應的PN區(qū)的少數載流子，最終形成電流。

通過合適的柵極驅動技術最大化SiC的性能

電動汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術優(yōu)勢，驅動電動汽車的電力電子設備正在迅速發(fā)展。

MOS管和IGBT的區(qū)別

為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？

英飛凌推出全新 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管，進一步提高效率

英飛凌科技股份公司 推出 650 V 關斷電壓的 CoolSiC? Hybrid IGBT 單管。