新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2~4英寸(50~100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品,而此次
在世界經(jīng)濟形勢不佳,芯片巨頭英特爾近來大幅調(diào)整戰(zhàn)略布局的嚴(yán)峻情況下,英特爾大連工廠的首批生產(chǎn)設(shè)備順利運抵,3月23日進(jìn)入新廠區(qū)??偨?jīng)理柯必杰表示,工廠已經(jīng)安全地完成了1200萬人工時的施工量,工廠建設(shè)如期推進(jìn)
受惠于訂單陸續(xù)回流,在島內(nèi)并稱“晶圓雙雄”的兩大高科技龍頭企業(yè)臺灣聯(lián)華電子股份有限公司與臺灣積體電路公司,估計6月前的產(chǎn)能利用率都能回升到正常景氣谷底時的水平。 一方面是緊急訂單陸續(xù)回流,另一方面是手機
一些大學(xué)的研究人士預(yù)言,很快我們就可能看到存儲技術(shù)上獲得突破,在一個硬幣大小的面積上存儲250張DVD的內(nèi)容。因為不久前美國伯克利加利福尼亞大學(xué)和馬薩諸塞大學(xué)安姆斯特分校的科學(xué)家已經(jīng)找到了一種新的方法,能讓
專家認(rèn)為,受持續(xù)增長的移動設(shè)備和汽車應(yīng)用需求的驅(qū)動,晶圓級封裝(WLP)將向I/O數(shù)更高和引腳節(jié)距更小的方向發(fā)展。2009年其他需要關(guān)注的WLP趨勢還包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式閃存?!?/p>
全球第二大閃存制造商東芝公司本周二表示,未來兩年將提高固態(tài)硬盤(SSD)生產(chǎn)量15倍,并計劃將基于閃存的存儲設(shè)備組裝工廠從日本遷移到菲律賓,借此成為全球最大的固態(tài)硬盤(SSD)提供商。 東芝將從今年第二季度開
2月23日消息,將微粒子作為掩模使用,蝕刻時(上)。左下方是形成了衍射光柵的4英寸SiO2晶圓。中下部是衍射光柵的截面照片。右下方是微粒子通過自組織化整齊排列的樣子。 東芝在“國際納米科技綜合展(nano tech 20
目前,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料,SiC 在熱學(xué)、電學(xué)、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料,可廣泛用于制造半導(dǎo)體照明、微電子、電力電子等半導(dǎo)體器件。 根據(jù)權(quán)
NanoPhotonics與ISMI簽訂合約,將向ISMI出貨兩臺用于450mm晶圓的缺陷檢測設(shè)備。 這兩臺設(shè)備分別是Reflex MC 450和BevelCam MC 450,兩臺設(shè)備將和450mm設(shè)備前端模塊一同集成于ISMI 450mm協(xié)同測試試驗臺。
2月17日,60多家芯片廠商代表在上海浦東共商當(dāng)前困局。在2009年集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會上,中芯國際總裁張汝京表示,為應(yīng)對行業(yè)冬天,晶圓制造企業(yè)正在考慮使用更多的本土材料。這或與即將施行的取消集成電
據(jù)報道,大陸官方主導(dǎo)半導(dǎo)體晶圓廠整合腳步加速,在上海市官方指派傅文彪接任宏力半導(dǎo)體董事長之后,宏力與華虹NEC合併案漸趨明朗,一旦合併成功,將成為僅次於中芯的大陸第2大晶圓代工廠,中芯、華虹2大集團(tuán)逐漸成形,相對於臺灣晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電,大陸晶圓雙杰已呼之欲出。
半導(dǎo)體及面板設(shè)備大廠應(yīng)用材料總裁麥可史賓林特(Mike Splinter)日前表示,由于晶圓廠產(chǎn)能利用率處于歷史低點,內(nèi)存及晶圓代工廠的利用率介于30%至70%,還有部份晶圓廠已經(jīng)完成停工,在客戶的利用率未回升前,晶圓
在經(jīng)濟寒風(fēng)的日益侵襲下,一家DRAM巨頭在寒風(fēng)中體力不支而倒下。1月23日,奇夢達(dá)向德國慕尼黑地方法院提交申請,并進(jìn)入破產(chǎn)保護(hù)階段。在尋找新的投資者協(xié)助的同時,奇夢達(dá)在工廠的去留也引起了業(yè)界關(guān)注。降低生產(chǎn)成