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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，
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GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億
美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSupp
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集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻
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集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻
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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
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如何為電路設(shè)計(jì)選擇適合的IGBT
什么是IGBT？其工作原理是什么？為什么大家要選擇IGBT？它的優(yōu)勢(shì)是什么？一系列疑問的拋出，在3月5日第十五屆國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China2010)上，國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱IR)公司給出
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開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
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開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
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開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
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具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器(TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，其與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)器相比，可將板級(jí)空間與組件數(shù)銳減 80%。UCD7242 使設(shè)計(jì)人員能在小型封裝中獲得采用
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12款新N溝道功率MOSFET系列(安森美半導(dǎo)體)
經(jīng)過100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰2010年2月2日 – 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市
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12款新N溝道功率MOSFET系列(安森美半導(dǎo)體)
經(jīng)過100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰2010年2月2日 – 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市
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汽車用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸
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汽車用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度
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汽車用DirectFET 2功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺
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面向隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的低損耗功率MOSFET (瑞薩科技)
瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱瑞薩）推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開關(guān)損耗*2、提高能效的同時(shí)，還具有很寬的電壓容差
xdqfc
myzk001
cxshixilu
lemonhub
LLLemmm
lionpower
yaneda
氯化鈣補(bǔ)鈣
shenyaoo
18503088884
風(fēng)云ljh
mounthill
timixiaoyouxi
shell.albert
Benjaminsein
xiaokefei
hm365703550
jasonyeh333
江陽(yáng)
朱德榮
