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MOS管中的安全區(qū)詳解
MOS管中的安全區(qū)，即安全工作區(qū)(Safe Operating Area，簡(jiǎn)稱SOA)，是指由一系列電壓和電流坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域。這個(gè)區(qū)域定義了MOS管在正常工作條件下所能承受的最大電壓和電流范圍。只要MOS管的工作電壓和電流不超過這個(gè)區(qū)域，就可以認(rèn)為是安全的;一旦超出這個(gè)區(qū)域，就可能導(dǎo)致器件損壞，甚至可能引發(fā)爆炸等嚴(yán)重后果。
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匯總功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)
高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)，高頻工作導(dǎo)致功率元件開關(guān)損耗增加，因此要使用軟開關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。
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一文搞懂直流穩(wěn)壓電源同步整流MOSFET失效問題分析與解決方案
同步整流MOSFET是一種基于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的電子器件，廣泛應(yīng)用于交流電到直流電的轉(zhuǎn)換過程中。它能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的整流，提供穩(wěn)定的直流輸出。
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
采用最新一代工藝，提高了電源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬...
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工作于線性區(qū)功率MOSFET（5）：分立負(fù)載開關(guān)及熱插撥設(shè)計(jì)7步法
??完整的分立負(fù)載開關(guān)及熱插撥外圍電路，如圖1所示，包括如下元件：（1）G極電阻總和RG及其并聯(lián)快關(guān)斷二極管D1（2）功率MOSFET的G、S外加電容CGS1（3）G、D外加電容CGD1和電阻R?GD?RG為G極電阻總和，包括功率MOSFET內(nèi)部電阻，驅(qū)動(dòng)芯片上拉電阻，外加串聯(lián)電...
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工作于線性區(qū)功率MOSFET（4）：di/dt和dv/dt分開控制方法
??題注??：????????本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨(dú)控制方法，不僅適用于負(fù)載開關(guān)，還廣泛用于電機(jī)控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)電路：（1）調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路電阻RG，調(diào)整dV/dt（2）調(diào)整并聯(lián)電容CGS，調(diào)整di/dt1、功率MOSFET的開關(guān)過程功率MOSFE...
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工作于線性區(qū)功率MOSFET（3）：熱插撥浪涌電流限制方法
通信設(shè)備和服務(wù)器中，在插入和拔出電路板和板卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，系統(tǒng)必須能夠保持正常工作。當(dāng)后級(jí)的電路板和板卡接入前級(jí)電源系統(tǒng)時(shí)，由于后級(jí)電路輸入端帶有大的濾波電容，那么，在上電的瞬間電容相當(dāng)于短路，大的電容充電電流和負(fù)載電流一起作用，產(chǎn)生大的浪涌電流，同時(shí)大的浪涌電流導(dǎo)致高...
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正確理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，...
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2020年全球功率MOSFET和IGBT供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額及排名
2020年，功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期依然非常長(zhǎng)。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET和IGBT的市場(chǎng)供給仍然處于非常緊張的狀態(tài)，這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
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減小汽車設(shè)備尺寸，從N溝道功率MOSFET產(chǎn)品開始！
一個(gè)人的工作能力是指他承擔(dān)某項(xiàng)工作、執(zhí)行某項(xiàng)業(yè)務(wù)、任務(wù)的能力。具體表現(xiàn)有兩方面，一是他的專業(yè)知識(shí)水平，二是他解決、處理實(shí)際工作的能力。在實(shí)踐中二者常常是揉合在一起，相得益彰。運(yùn)用所學(xué)知識(shí)處理實(shí)際工作的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！新品近日，東芝針...
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工作于線性區(qū)功率MOSFET的設(shè)計(jì)（2）：線性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)
1、線性區(qū)工作負(fù)溫度系數(shù)特性功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖1所示，VGS與電流ID曲線有一個(gè)溫度系數(shù)為0的電壓值5.5V，通常這個(gè)點(diǎn)就稱為零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC（ZeroTemperatureCoefficient）。VGS高于5.5V時(shí)，溫度越高電流越小，功率MOSFET的RDS是...
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2020年全球功率MOSFET/IGBT供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額及排名
2020年，功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期非常長(zhǎng)。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET市場(chǎng)供給仍然處于緊張的狀態(tài)，一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)，在其年...
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工作于線性區(qū)的功率MOSFET的設(shè)計(jì)（1）
1、概述在筆記本電腦主板、LCDTV主板、STB機(jī)頂盒等電子系統(tǒng)應(yīng)用中，內(nèi)部有不同電壓的多路電源，通常需要采用功率MOSFET作為負(fù)載切換開關(guān)，控制不同電壓的電源的上電時(shí)序；同時(shí)還有USB接口，用于輸出5V電壓，這些電源通常后面帶有較大的電容，也需要負(fù)載開關(guān)，限制后面電容在上電的...
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電池充放電管理PCM保護(hù)板功率MOSFET應(yīng)用（2）
?4、PCM功率MOSFET的性能要求離子電池的容量從早期的600mAh、1000mAh到現(xiàn)在，高達(dá)6000mAh、10000mAh，為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度，降低充電時(shí)間，通常采用提高電流、使用大電流充電的快充技術(shù)，那么，大電流充電，對(duì)電池包內(nèi)的功率MOSFET就提出了更高的技術(shù)...
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東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備的效率
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z...
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功率MOSFET的應(yīng)用問題分析20180420
???問題1：在功率MOSFET的應(yīng)用中主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用中，如?何計(jì)算其導(dǎo)通時(shí)間？PCB的設(shè)計(jì)?，銅箔面積開多大會(huì)比較好？D、S極的銅箔面??積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？?回復(fù)：?MOSFET主要參數(shù)包括BVDSS，RDS(on)，Crss，Coss以...
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功率MOSFET鋁接合線的連續(xù)電流實(shí)驗(yàn)
通常功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中定義了基于硅片結(jié)溫和封裝限制的額定連續(xù)漏極電流ID值，理論上基于接合線的熔化理論來計(jì)算接合線的電流限制值。功率MOSFET源極管腳的銅皮（內(nèi)部框架）可以有助于硅片的散熱，大多數(shù)情況下，功率MOSFET晶元的表面、線的接合處具有最高的電流密度，因此功率...
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功率MOSFET損壞模式及分析
摘要：本文結(jié)合功率MOSFET管失效分析圖片不同的形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中，發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效是在關(guān)斷還是在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出...
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電池充放電管理PCM保護(hù)板功率MOSFET應(yīng)用（1）
?0、前言鋰離子電池包的內(nèi)部，電芯和輸出負(fù)載之間要串聯(lián)功率MOSFET，使用專用的IC控制MOSFET的開關(guān)，從而對(duì)電芯的充、放電進(jìn)行管理，如圖1所示。在消費(fèi)電子系統(tǒng)中，如手機(jī)電池包，筆記本電腦電池包等，帶有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他電子元件的電路系統(tǒng)稱為電池充放電...
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適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源的N溝道功率MOSFET
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的N溝道功率MOSFET，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)N溝道功率MOSFET。
