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Vishay Siliconix推出新品擴充PowerPAIR雙芯片不對稱功率MOSFET家族
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應用的PowerPAIR®家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產(chǎn)品
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Vishay Siliconix推出新品擴充PowerPAIR雙芯片不對稱功率MOSFET家族
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應用的PowerPAIR®家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產(chǎn)品
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理解功率 MOSFET 的電流
通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
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Vishay Siliconix推出通過JAN認證N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應
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Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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Vishay的TrenchFET功率MOSFET榮獲電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品?！督袢针娮印返木庉嫃拈_創(chuàng)性的設計、在技術(shù)或應用方面取得
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羅姆推出34ｍΩ的低導通電阻
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
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羅姆推出34ｍΩ的低導通電阻
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
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Vishay Siliconix公司功率MOSFET榮獲《今日電子》Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET®功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品?！督袢针娮印返木庉嫃拈_
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TinySwitchⅡ及其在待機電源中的應用
1、引言 近年來，單片開關電源以其構(gòu)成電源系統(tǒng)的低成本、高可靠性和設計靈活性等優(yōu)點越來越受到電源設計者的歡迎。TinySwitch-Ⅱ系列是美國Power Integrations公司繼TinySwitch之后，最新推出的第二代增強型高效
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TinySwitchⅡ及其在待機電源中的應用
1、引言 近年來，單片開關電源以其構(gòu)成電源系統(tǒng)的低成本、高可靠性和設計靈活性等優(yōu)點越來越受到電源設計者的歡迎。TinySwitch-Ⅱ系列是美國Power Integrations公司繼TinySwitch之后，最新推出的第二代增強型高效
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安森美半導體推出帶開關控制器功率MOSFET
21ic訊 8月18日，安森美半導體推出帶開關控制器的電流鏡CAT2300，將這器件與安森美半導體的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET® 功率MOSFET器件結(jié)合使用，能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導通電阻紀錄
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。新款SiB437EDK
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瑞薩電子推出面向消費類電機驅(qū)動應用功率半導體器件
21ic訊 瑞薩電子公司（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較
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完全自保護MOSFET功率器件分析
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設計人員使用完全
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完全自保護MOSFET功率器件分析
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設計人員使用完全
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IR推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用
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IR推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用
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基于一種低成本的新型步進電機驅(qū)動器的研制
本文作者創(chuàng)新點：以單片步進電機控制器L297為控制核心，采用由晶體三極管和功率MOS管組成的分立式的功率驅(qū)動電路，以及以單片電流型脈寬調(diào)制（PWM）控制器SI9114A為核心的高頻開關電源電路構(gòu)成并實現(xiàn)了一種通用性強、控制簡單、成本低廉的兩相混合式步進電機驅(qū)動器。通過在包裝機控制系統(tǒng)中的實際使用，進一步證明了該步進電機驅(qū)動器工作可靠，效率高，矩頻特性好。
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基于一種低成本的新型步進電機驅(qū)動器的研制
本文作者創(chuàng)新點：以單片步進電機控制器L297為控制核心，采用由晶體三極管和功率MOS管組成的分立式的功率驅(qū)動電路，以及以單片電流型脈寬調(diào)制（PWM）控制器SI9114A為核心的高頻開關電源電路構(gòu)成并實現(xiàn)了一種通用性強、控制簡單、成本低廉的兩相混合式步進電機驅(qū)動器。通過在包裝機控制系統(tǒng)中的實際使用，進一步證明了該步進電機驅(qū)動器工作可靠，效率高，矩頻特性好。
