瑞薩電子株式會(huì)社正式宣布:推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在內(nèi)的7款功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品主要面向汽車電子控制單元(如引擎控制單元和泵電機(jī)控制單元)的應(yīng)用,采
瑞薩電子株式會(huì)社正式宣布:推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在內(nèi)的7款功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品主要面向汽車電子控制單元(如引擎控制單元和泵電機(jī)控制單元)的應(yīng)用,采
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似,放大電路必須采用對(duì)稱電路,而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路,各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路,可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器,而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似,放大電路必須采用對(duì)稱電路,而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路,各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路,可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器,而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng),加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代,平面柵極功率MOSFET
用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng),加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代,平面柵極功率MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)和英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布,兩家公司就采用MLP3x3(Power33™)和PowerStage3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時(shí)滿
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時(shí)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時(shí)滿
德國(guó)英飛凌科技與美國(guó)飛兆半導(dǎo)體宣布,雙方就功率MOSFET用封裝達(dá)成合作伙伴協(xié)議。 合作的封裝是英飛凌的“PowerStage 3x3”及飛兆的“MLP 3x3(Power33)”。據(jù)稱,此次合作旨在避免該封裝供貨上的風(fēng)險(xiǎn),該封裝集
恩智浦半導(dǎo)體近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn),新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化
恩智浦半導(dǎo)體近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn),新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化