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Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器
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新型DirectFETplus功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術，可為 12V輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。IRF6811和
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單通道功率MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界
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單通道功率MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界
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單通道功率MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界
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新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
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功率MOSFET驅動技術詳解
功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流組件，不過，在選用MOSFET時有一些注意事項。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在
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通用半橋驅動器NJW4800（新日本無線）
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了內置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800，并已經(jīng)開始投入生產了。該產品的特點是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號輸入就能很容易進行功率開關控制。【開發(fā)背景】 為了減
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通用半橋驅動器NJW4800（新日本無線）
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了內置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800，并已經(jīng)開始投入生產了。該產品的特點是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號輸入就能很容易進行功率開關控制?！鹃_發(fā)背景】 為了減
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通用半橋驅動器NJW4800（新日本無線）
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了內置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800，并已經(jīng)開始投入生產了。該產品的特點是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號輸入就能很容易進行功率開關控制?！鹃_發(fā)背景】 為了減
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通用半橋驅動器NJW4800（新日本無線）
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了內置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800，并已經(jīng)開始投入生產了。該產品的特點是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號輸入就能很容易進行功率開關控制?！鹃_發(fā)背景】 為了減
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計?！ ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。 數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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2010年中國功率MOSFET領域將增長，但明年將放緩
據(jù)iSuppli公司，由于2010年銷售增長50%以上，而且產量有限，英飛凌、意法半導體和飛兆半導體等主要供應商的某些功率MOSFET對中國市場實行配給，而且交貨期拉長。2010年中國功率MOSFET市場預計增長到24億美元，比2009
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高
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非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有
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非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有
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600V、47A N溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導通電
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封裝上下均設有散熱路徑，飛兆發(fā)布新構造功率MOSFET
美國飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）開發(fā)出面向功率MOSFET的高散熱封裝技術“Dual Cool”，已經(jīng)開始量產供貨采用該技術的5款產品。產品用于DC-DC轉換器的開關元件。通過將其設置成不僅封裝底端，從上端也可散
