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元器件價(jià)格走勢(shì)分析：市場(chǎng)前景難料
鑒于能源和原材料價(jià)格下降，人們認(rèn)為，電子元器件制造商的贏利狀況會(huì)有所改善，但另一個(gè)更大的挑戰(zhàn)冒了出來(lái)，即需求的一蹶不振。通常而言，每年的這一時(shí)期，由于九月份定單的原因，電子元器件的出貨量都會(huì)上升，而今年，九月份的定單并沒(méi)有落實(shí)，因此，大多數(shù)元器件制造商都削減了產(chǎn)能，以準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)困難的2009年上半年。
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封
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元器件價(jià)格走勢(shì)分析：市場(chǎng)前景難料
鑒于能源和原材料價(jià)格下降，人們認(rèn)為，電子元器件制造商的贏利狀況會(huì)有所改善，但另一個(gè)更大的挑戰(zhàn)冒了出來(lái)，即需求的一蹶不振。通常而言，每年的這一時(shí)期，由于九月份定單的原因，電子元器件的出貨量都會(huì)上升，而今年，九月份的定單并沒(méi)有落實(shí)，因此，大多數(shù)元器件制造商都削減了產(chǎn)能，以準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)困難的2009年上半年。
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元器件價(jià)格走勢(shì)分析：市場(chǎng)前景難料
鑒于能源和原材料價(jià)格下降，人們認(rèn)為，電子元器件制造商的贏利狀況會(huì)有所改善，但另一個(gè)更大的挑戰(zhàn)冒了出來(lái)，即需求的一蹶不振。通常而言，每年的這一時(shí)期，由于九月份定單的原因，電子元器件的出貨量都會(huì)上升，而今年，九月份的定單并沒(méi)有落實(shí)，因此，大多數(shù)元器件制造商都削減了產(chǎn)能，以準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)困難的2009年上半年。
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新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其
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新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45
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氯化鈣補(bǔ)鈣
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江陽(yáng)
朱德榮
