日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝,在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω,比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。與其它競(jìng)爭
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。與其它競(jìng)爭
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。與其它競(jìng)爭
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V,同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V,同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V,同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK&
意法半導(dǎo)體(ST)推出全新系列功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品的擊穿電壓更高,抗涌流能力更強(qiáng),電能損耗更低,特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK&