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全新系列功率MOSFET晶體管（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，電能損耗更低，特別適用于設(shè)計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產(chǎn)品獎
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產(chǎn)品獎
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的
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最新MDmesh V功率MOSFET技術(shù)（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和
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最新MDmesh V功率MOSFET技術(shù)（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封
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元器件價格走勢分析：市場前景難料
鑒于能源和原材料價格下降，人們認(rèn)為，電子元器件制造商的贏利狀況會有所改善，但另一個更大的挑戰(zhàn)冒了出來，即需求的一蹶不振。通常而言，每年的這一時期，由于九月份定單的原因，電子元器件的出貨量都會上升，而今年，九月份的定單并沒有落實，因此，大多數(shù)元器件制造商都削減了產(chǎn)能，以準(zhǔn)備應(yīng)對困難的2009年上半年。
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