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植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將為業(yè)內(nèi)首個(gè)用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強(qiáng)化的工藝流程制造，對(duì)制造工藝進(jìn)行了嚴(yán)格控制。今天發(fā)布的器
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植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將為業(yè)內(nèi)首個(gè)用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強(qiáng)化的工藝流程制造，對(duì)制造工藝進(jìn)行了嚴(yán)格控制。今天發(fā)布的器
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硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用
功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅(jiān)固，并且具有更高的電流增益。因此開(kāi)關(guān)型電源轉(zhuǎn)換技術(shù)得以真正商用化。早期臺(tái)式電腦的AC/DC開(kāi)關(guān)電
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硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用
功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅(jiān)固，并且具有更高的電流增益。因此開(kāi)關(guān)型電源轉(zhuǎn)換技術(shù)得以真正商用化。早期臺(tái)式電腦的AC/DC開(kāi)關(guān)電
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本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品
功率MOSFET市場(chǎng)為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場(chǎng)，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等市場(chǎng)。甚至，隨著高壓功率器件市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，幾年前IR也開(kāi)始不斷
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IR車用DirectFET2功率MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)宣布針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車用 DirectFET2 功率 MOSFET ，這些開(kāi)關(guān)應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)
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3款新型功率MOSFET產(chǎn)品（瑞薩電子）
瑞薩電子株式會(huì)社已于近日宣布開(kāi)始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器
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3款新型功率MOSFET產(chǎn)品（瑞薩電子）
瑞薩電子株式會(huì)社已于近日宣布開(kāi)始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器
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車用DirectFET2 功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)宣布針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，這些開(kāi)關(guān)應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強(qiáng)度氣體放電燈 (HID) 照明
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車用DirectFET2 功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)宣布針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，這些開(kāi)關(guān)應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強(qiáng)度氣體放電燈 (HID) 照明
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車用DirectFET2 功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)宣布針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，這些開(kāi)關(guān)應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強(qiáng)度氣體放電燈 (HID) 照明
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2款功率半導(dǎo)體器件（瑞薩電子）
瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布推出2款功率半導(dǎo)體器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新產(chǎn)品采用超小型封裝，主要面向服務(wù)器與筆記本電腦的CPU，以及存儲(chǔ)器等產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換器（注釋1），并將于2010年8月起在日本
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2款功率半導(dǎo)體器件（瑞薩電子）
瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布推出2款功率半導(dǎo)體器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新產(chǎn)品采用超小型封裝，主要面向服務(wù)器與筆記本電腦的CPU，以及存儲(chǔ)器等產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換器（注釋1），并將于2010年8月起在日本
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開(kāi)關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開(kāi)關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
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電源管理市場(chǎng)大增 新能源市場(chǎng)將拉動(dòng)5年成長(zhǎng)
據(jù)iSuppli公司，由于在商業(yè)與工業(yè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)勢(shì)頭喜人，電源管理半導(dǎo)體2010年將取得驕人增長(zhǎng)，隨后幾年將望尖莫及。包括集成電路和分立器件在內(nèi)，電源管理半導(dǎo)體2010年銷售額將達(dá)到314億美元，比2009年的224億美元大增
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面積最小厚度最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET ---Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減
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電源管理半導(dǎo)體今年增長(zhǎng)勢(shì)頭突出
據(jù)iSuppli公司，由于在商業(yè)與工業(yè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)勢(shì)頭喜人，電源管理半導(dǎo)體2010年將取得驕人增長(zhǎng)，隨后幾年將望尖莫及。 包括集成電路和分立器件在內(nèi)，電源管理半導(dǎo)體2010年銷售額將達(dá)到314億美元，比2009年的224億美
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N溝道芯片級(jí)功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度
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全新HEXFET®功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開(kāi)關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以
xdqfc
myzk001
cxshixilu
lemonhub
LLLemmm
lionpower
yaneda
氯化鈣補(bǔ)鈣
shenyaoo
18503088884
風(fēng)云ljh
mounthill
timixiaoyouxi
shell.albert
Benjaminsein
xiaokefei
hm365703550
jasonyeh333
江陽(yáng)
朱德榮
