功率MOSFET

基于一種低成本的新型步進(jìn)電機驅(qū)動器的研制

本文作者創(chuàng)新點：以單片步進(jìn)電機控制器L297為控制核心，采用由晶體三極管和功率MOS管組成的分立式的功率驅(qū)動電路，以及以單片電流型脈寬調(diào)制（PWM）控制器SI9114A為核心的高頻開關(guān)電源電路構(gòu)成并實現(xiàn)了一種通用性強、控制簡單、成本低廉的兩相混合式步進(jìn)電機驅(qū)動器。通過在包裝機控制系統(tǒng)中的實際使用，進(jìn)一步證明了該步進(jìn)電機驅(qū)動器工作可靠，效率高，矩頻特性好。

Vishay展示業(yè)內(nèi)領(lǐng)先器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，將在6月21-23日于上海國際會議中心舉行的PCIM（功率轉(zhuǎn)換，智能運動）Asia 2011期間，在A15和A16展位展示該公司最新的業(yè)界領(lǐng)先的電容器、電阻和功率

IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機

ST提升航天級功率電子元器件的市場供給和產(chǎn)品價值

21ic訊 隨著全球?qū)πl(wèi)星通信、衛(wèi)星電視、衛(wèi)星天氣預(yù)報及衛(wèi)星地理數(shù)據(jù)的需求不斷升溫，意法半導(dǎo)體（ST） 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。據(jù)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會報告顯示，全球衛(wèi)星市場正在

IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機

ST提升航天級功率電子元器件的市場供給和產(chǎn)品價值

21ic訊 隨著全球?qū)πl(wèi)星通信、衛(wèi)星電視、衛(wèi)星天氣預(yù)報及衛(wèi)星地理數(shù)據(jù)的需求不斷升溫，意法半導(dǎo)體（ST） 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。據(jù)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會報告顯示，全球衛(wèi)星市場正在

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括

2010年中國功率MOSFET市場增長43%

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括

基于PIC16F873單片機的步進(jìn)電機控制系統(tǒng)

單片機控制步進(jìn)電機具有功能靈活多樣，脈沖輸出準(zhǔn)確，實時性強等特點，通過軟件設(shè)計可以實現(xiàn)各種復(fù)雜的控制，其系統(tǒng)成本較低，近些年來已被廣泛應(yīng)用在各種不同的運動控制系統(tǒng)中?！　≡趯嶋H應(yīng)用中，若步進(jìn)電機在升降

IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組

21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含 AUIRL7

IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組

21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含 AUIRL7

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采用功率MOSFET的充電電路圖

采用功率MOSFET的充電電路圖

瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品RJK60S5DPK

21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱瑞薩電子）推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK，具有極高的效率，能顯著降低PC服務(wù)器、通信基站以及太陽能

瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品RJK60S5DPK

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功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在

Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ

21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器

Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ

21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器