功率MOSFET

采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45

新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)

新款單輸出、降壓控制器（研諾）

新款單輸出、降壓控制器（研諾）

全新OptiMOS 3系列功率MOSFET器件（英飛凌）

英飛凌科技股份公司推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無(wú)鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。

全新OptiMOS 3系列功率MOSFET器件（英飛凌）

英飛凌科技股份公司推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無(wú)鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。

新型功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器器件（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。

新型功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器器件（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。

新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品（NEC電子）

NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。

微歐功率MOSFET晶體管（ST）

意法半導(dǎo)體（ST)推出一款型號(hào)為STV300NH02L的新的功率MOSFET，這款新產(chǎn)品的特性是導(dǎo)通電阻極低，達(dá)到微歐的水平，在要求嚴(yán)格的電源系統(tǒng)中，新產(chǎn)品有助于降低損耗，提高能效。

微歐功率MOSFET晶體管（ST）

意法半導(dǎo)體（ST)推出一款型號(hào)為STV300NH02L的新的功率MOSFET，這款新產(chǎn)品的特性是導(dǎo)通電阻極低，達(dá)到微歐的水平，在要求嚴(yán)格的電源系統(tǒng)中，新產(chǎn)品有助于降低損耗，提高能效。

NEC電子在華啟動(dòng)全方位大學(xué)合作活動(dòng)

NEC電子的全資子公司—日電電子(中國(guó))有限公司相繼推出一系列與大學(xué)的合作活動(dòng)，在原有的大學(xué)合作活動(dòng)的基礎(chǔ)上，通過(guò)全方位的合作方式，更積極的協(xié)助中國(guó)國(guó)內(nèi)大學(xué)推進(jìn)電子行業(yè)的教育。在該方針的帶動(dòng)下，NEC電子日前