功率MOSFET

NEC電子在華啟動(dòng)全方位大學(xué)合作活動(dòng)

NEC電子的全資子公司—日電電子(中國)有限公司相繼推出一系列與大學(xué)的合作活動(dòng)，在原有的大學(xué)合作活動(dòng)的基礎(chǔ)上，通過全方位的合作方式，更積極的協(xié)助中國國內(nèi)大學(xué)推進(jìn)電子行業(yè)的教育。在該方針的帶動(dòng)下，NEC電子日前

Onsemi 推出SOT-723封裝功率MOSFET

TNY256型單片機(jī)開關(guān)電源及其應(yīng)用

單片開關(guān)電源具有性價(jià)比高、外圍電路簡單、效率高、功耗低等顯著特點(diǎn)，文中介紹了TNY256的性能特點(diǎn)、工作原理，并給出了TNY256的典型應(yīng)用電路。

TNY256型單片機(jī)開關(guān)電源及其應(yīng)用

單片開關(guān)電源具有性價(jià)比高、外圍電路簡單、效率高、功耗低等顯著特點(diǎn)，文中介紹了TNY256的性能特點(diǎn)、工作原理，并給出了TNY256的典型應(yīng)用電路。

TNY256型單片機(jī)開關(guān)電源及其應(yīng)用

單片開關(guān)電源具有性價(jià)比高、外圍電路簡單、效率高、功耗低等顯著特點(diǎn)，文中介紹了TNY256的性能特點(diǎn)、工作原理，并給出了TNY256的典型應(yīng)用電路。

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。

同步整流技術(shù)及其在DC／DC變換器中的應(yīng)用

同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管，因此能大大降低整流器的損耗，提高DC／DC變換器的效率，滿足低壓、大電流整流的需要。首先介紹了同步整流的基本原理，然后重點(diǎn)闡述同步整流式DC／DC電源變換器的設(shè)計(jì)。

意法半導(dǎo)體第二代MDmesh高壓功率MOSFET技術(shù)

世界功率器件的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM），日前推出了第一批采用該公司獨(dú)有的MDmeshTM高壓功率MOSFET第二代技術(shù)制造的半導(dǎo)體元器件。新產(chǎn)品特別適合開關(guān)電源（SMPS）、功率因數(shù)校正器（PFC）

Renesas發(fā)布5W高頻功率MOSFET

Renesas 兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP

瑞薩科技公司(Renesas)宣布推出具有兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP，封裝形式是WPAK (瑞薩科技的封裝代碼)*1高熱輻射封裝，尺寸僅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大)，用

Renesas 兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP

瑞薩發(fā)布 P溝道功率MOSFET

瑞薩科技公司(Renesas)發(fā)布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導(dǎo)通電阻，用于筆記本電腦和類似產(chǎn)品中的電源管理開關(guān)和

瑞薩發(fā)布 P溝道功率MOSFET