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華為稀缺旗艦手機(jī)再度開賣了，華為5G麒麟有望獲新生 ！
沒有5G的華為手機(jī)，就算是搭載麒麟芯片，給消費(fèi)者的感覺依然有一些缺憾。華為稀缺旗艦手機(jī)華為Mate40Pro，從上市以來就一直處于需要搶購的狀態(tài)，經(jīng)常是就算加價也一機(jī)難求。
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新I/O技術(shù)有望成為實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑
【導(dǎo)讀】低成本有機(jī)基板搭配新的I/O技術(shù)有望成為實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑，NVIDIA公司首席科學(xué)家兼研發(fā)副總裁William Dally表示。 摘要： 低成本有機(jī)基板搭配新的I/O技術(shù)有望成為實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的最佳路徑，NVI
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3D芯片封測準(zhǔn)備就緒但成本需降低
近日消息，來自全球11個國家、超過200位的半導(dǎo)體封裝技術(shù)專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是， 3D芯片堆疊技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，但有需要再進(jìn)一步降
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硅通孔的3D芯片堆疊并非最新技術(shù)
據(jù)報道，目前最先進(jìn)的技術(shù)應(yīng)該是使用硅通孔的3D芯片堆疊，幾乎主要的半導(dǎo)體公司都在研究這種技術(shù)。去年舉行的國際固態(tài)電路會議上，三星公開宣布了其2.5D技術(shù)，據(jù)稱這種2.5D技術(shù)非常適合位于在系統(tǒng)級芯片上進(jìn)行帶硅通
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3D芯片堆疊并非最新技術(shù)
據(jù)報道，目前最先進(jìn)的技術(shù)應(yīng)該是使用硅通孔的3D芯片堆疊，幾乎主要的半導(dǎo)體公司都在研究這種技術(shù)。 去年舉行的國際固態(tài)電路會議上，三星公開宣布了其2.5D技術(shù)，據(jù)稱這種2.5D技術(shù)非常適合位于在系統(tǒng)級芯片上進(jìn)行帶硅
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實(shí)現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導(dǎo)體
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3D芯片堆疊時代即將到來？GF晶圓廠更新
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司
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3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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3D芯片堆疊漸流行！GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實(shí)現(xiàn)20納米及3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導(dǎo)體
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)
公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領(lǐng)先的20nm技術(shù)平臺，在半導(dǎo)體晶圓處
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)
【IT168 資訊】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8實(shí)現(xiàn)20納米的3D芯片堆疊
21ic訊 GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上
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GLOBALFOUNDRIES Fab8晶圓廠啟用3D芯片堆疊技術(shù)
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司
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3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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半導(dǎo)體業(yè)界呼吁半年內(nèi)制定出3D芯片堆疊標(biāo)準(zhǔn)
一位高通（Qualcomm）公司的主管稍早前表示，若要在2013年如期量產(chǎn)3D芯片，就必須在半年內(nèi)制定出3D芯片堆疊標(biāo)準(zhǔn)?！ 『孟⑹荍EDEC在今年一月初公布了對移動應(yīng)用處理器來說至關(guān)重要的Wide I/O存儲器初始標(biāo)準(zhǔn)。壞
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先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點(diǎn)互連
電子工業(yè)越來越關(guān)注采用硅通孔（TSV）的高密度3D集成，以便應(yīng)對未來世代IC不斷增長的提高微細(xì)化和性能的產(chǎn)品需求。這引起了用傳統(tǒng)引線鍵合芯片堆疊封裝無法達(dá)到的高帶寬連接。3D集成要求如芯片-芯片（D2D）或芯片-晶
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臺積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于
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臺積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于
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臺積電年底有望推出首款3D芯片
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(shù)(臺
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臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%
臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%
