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Vishay Siliconix 推出業(yè)內(nèi)率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET
新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技術(shù)，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)83mΩ的低導(dǎo)通電阻日前，Vishay Intertechnology宣布，推
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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片
1 引言 scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7腳D2PAK封裝并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---
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功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車載照明保護(hù)與控制
中心論題：負(fù)載控制前置FET驅(qū)動(dòng)器和N-通道功率FET組合控制系統(tǒng)中的四種不同負(fù)載設(shè)置浪涌電流的動(dòng)態(tài)故障閾值車載照明系統(tǒng)的故障檢測(cè)和保護(hù)解決方案：將一個(gè)高壓側(cè)前置 FET 驅(qū)動(dòng)器和功率FET組合控制車載照明電子開關(guān)進(jìn)
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Vishay推出其E系列600V功率MOSFET新增17款新器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39mΩ～600mΩ，將
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功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)
摘要： 對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計(jì)算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開通過程的影響，并通過仿真和試
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對(duì)汽車電子系統(tǒng)低油耗設(shè)計(jì)的討論
前言我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動(dòng)機(jī)具有更大的功率，同時(shí)還能夠符合各國政府對(duì)每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些M
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怎樣去選擇好逆變器功率器件
逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(GTR)，功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)
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功率MOSFET逆變器
T1具有一個(gè)12.6V的斷層繞阻，它對(duì)于所需要的電壓是一個(gè)合適的變壓器。
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功率MOSFET逆變器
T1具有一個(gè)12.6V的斷層繞阻，它對(duì)于所需要的電壓是一個(gè)合適的變壓器。
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功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析
本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！ ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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如何才能使汽車駕駛室具備更多的功能
前言我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具 備更多的功能，使發(fā)動(dòng)機(jī)具有更大的功率，同時(shí)還能夠符合各國政府對(duì)每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力 系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些
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新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場(chǎng)仍然來自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類電子領(lǐng)域，且在一段時(shí)間內(nèi)將會(huì)持續(xù)保持一定的成長(zhǎng)率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動(dòng)車、LED照明及顯
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新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場(chǎng)仍然來自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類電子領(lǐng)域，且在一段時(shí)間內(nèi)將會(huì)持續(xù)保持一定的成長(zhǎng)率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動(dòng)車、LED照明及顯
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功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)
過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
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12個(gè)大功率MOSFET基于逆變焊機(jī)的應(yīng)用與評(píng)測(cè)
摘要： 逆變焊機(jī)的電路結(jié)構(gòu),一般是采用整流--逆變--再整流的過程,即交流--直流--交流.由于逆變過程中工作頻率高,因此控制過程的動(dòng)態(tài)特性統(tǒng)計(jì)局到提高,焊機(jī)的體積小,重量輕.... 逆變焊機(jī)的電路結(jié)
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羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
21ic訊 羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性，有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)現(xiàn)更低功耗。另外
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Vishay Siliconix 推出 N溝道TrenchFET®功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。 新的Si
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IR推出車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。 在N和P通道配置中，該新型55V平面
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
