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IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品
國際整流器公司推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護與逆變器開關(guān)中的負載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大
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可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)
前言我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求？只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些
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可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)
前言我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求？只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬
摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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羅姆推出超低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET R5050DNZ0C9
21ic訊 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本產(chǎn)品采用散熱
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理
電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理
電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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低門限電壓延長電池壽命技術(shù)
多年以來，從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設(shè)計者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)
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低門限電壓延長電池壽命技術(shù)
多年以來，從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設(shè)計者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)
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功率MOSFET設(shè)計考量
用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅(qū)動變?yōu)殡妷候?qū)動，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
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功率MOSFET設(shè)計考量
用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅(qū)動變?yōu)殡妷候?qū)動，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
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飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)和英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)功
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議 為客戶保證供貨穩(wěn)定性
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET
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飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)
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飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。飛兆半導(dǎo)體PowerTrench&r
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ST推出MDmesh V功率MOSFET晶體管打破世界紀錄
21ic訊 中國，2011年12月27日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功
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Vishay功率MOSFET榮獲“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 榮獲專業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎。 在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 6
