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羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。 新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性，
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IR推出采用TO-220 fullpak 封裝的車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器
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羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
21ic訊 羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性，有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)現(xiàn)更低功耗。另外
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羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
21IC訊 日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性，有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)
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羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
21IC訊 日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性，有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)
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IR推出車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。 在N和P通道配置中，該新型55V平面
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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IGBT在不間斷電源中的應(yīng)用
1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在
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外國芯片商喪失中國市場的四點(diǎn)原因
高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布在中國推廣高端LED產(chǎn)品。新款驅(qū)動IC-R2A20135SP瑞薩電子驅(qū)動IC系列的這款最新成員設(shè)計(jì)用于高精度、高效LED照明系統(tǒng)，集成了調(diào)光功
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Microsemi推出DRF1400功率MOSFET
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM) 領(lǐng)域的RF發(fā)生器中使用，例如用于半導(dǎo)體、LCD和太陽能電池制造的等離子
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn)，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
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Vishay推出下一代D系列高壓功率MOSFET首款器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。日前發(fā)布的D系列MOSFET基
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Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲年度電子成就獎(jiǎng)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎(jiǎng)。中國電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎(jiǎng)項(xiàng)授
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Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎(jiǎng)。 中國電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎(jiǎng)項(xiàng)授予在設(shè)
